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高低压开关综合测试
高低压开关综合测试台主要用来检测不同电压等级的馈电开关的各种性能参数，其中包括馈电开关的过流保护、过压保护、漏电保护、欠压保护以及绝缘电阻检测等，并且能够对不同电压等级的馈电开关进行故障检测，除此之外还对外提供了 AC36V、AC0-100V 与 DC0-100V 控制电压和 DC5V、DC12V 开关电压、还可以输出 0 到 99.9KΩ的可调电阻。
安徽理工大学
2021-04-13
用于集成电路的静电放电触发电路
本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路，通过在电路中设置由 NOMS 晶体管和 PMOS 晶体管组成的反相器、 BigFET 晶体管、低阈值电压 NMOS 晶体管使电路实现释放静电放电电流（ ESD ）的功能，且在电路中采用 NMOS 晶体管代替传统的电容器，在能够有效的释放静电放电（ ESD ）电流的同时，避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值 MOS 管，使 BigFET 栅上的电荷快速泄放干净，没有漏电产生。
辽宁大学
2021-04-11
实现紫外-可见-近红外广谱触发长余辉
设计了一种基于D-π-A型配体的金属-有机超分子盒。配体的电子结构赋予其同时具有良好的单光子吸收（OPA）和双光子吸收（TPA）的双路径发光特性。在配体与Cd(II)组装构筑的M2L2超分子盒中，配体的双路径发光得以保持，并通过金属中心的重原子效应，以及超分子组装中的π堆积和J聚集态得以强化、放大和优化。在该配位超分子盒材料中，不仅可以利用紫外(UV)或可见白光(WL)激发的OPA路径，同时可以有效利用低能近红外光(NIR)激发的TPA路径，经由不同激发单重态到三重态之间的能量转移过程，实现了蓝色荧光(F)、黄色磷光(P)、组合白光(WLE)、以及红色长余辉发光(LPL)的丰富发光现象。由此，在金属-有机材料中，首次获得了同时具有紫外、可见白光和近红外光的广谱光能蓄水池，并由此触发红色长余辉的多功能发光材料，可广泛应用于隐身、防伪、装饰、显示等不同领域。
中山大学
2021-04-13
一种触发式激光测速夹持装置
本实用新型公开一种触发式激光测速夹持装置，包括固定基板、固定立柱、高度调节组件、调节座和夹持调节组件；固定立柱竖直安装于固定基板的上端面；高度调节组件包括滑套、调节臂和配重臂；滑套滑动套设于固定立柱，调节臂一端水平固定安装在滑套的一端上；配重臂一端水平固定安装在滑套的另一端上，且调节臂与配重臂位于同一直线上；调节座上设有相互独立的第一安装孔和第二安装孔，调节座通过第一安装孔滑动安装在调节臂上；夹持调节组件包括调节杆和用以夹持激光发射器或激光接收器的夹持座，调节穿设在第二安装孔，夹持座安装于调节杆下端。本实用新型技术方案方便在对不同车型进行测速时快速准确地调节激光发射器或激光接收器的安装姿态。
（注：本项目发布于2020年）
武汉科技大学
2021-01-12
低温SCR 脱硝催化剂及工程技术
NOx 选择性催化还原（SCR）技术在电力和玻璃等行业得到了大规模的推广应用，但是，传统的SCR 催化剂需要在 300℃ 运行，难以应用于焦化、冶金化工、酸洗和中小工业锅炉等行业烟气脱硝工程。北京工业大学对低温 SCR 催化剂和低温 SCR 脱硝工艺进行了长达 10 年的研究，成功地开发出反应温度为180—400℃的低温 SCR 催化剂，并将低温 SCR 催化剂应用于草酸、催化剂和金属板材酸洗等行业的脱硝工程，也在焦化和玻璃行业进行了烟气脱硝应用示范工程和工业侧线实验，从而形成了低温 SCR 催化脱硝技术，为我国解决雾霾污染提供了技术支持。该技术主要创新点是利用离子修饰和掺杂技术提 高了 SCR 催化剂的低温活性，拓展了 SCR 脱硝技术应用范围，使低温烟气（低于 300℃）催化脱硝成为可能，该项技术处于国内外领先地位。
北京工业大学
2021-04-13
锅炉烟气选择性催化还原（SCR）脱硝技术
一、技术背景 氮氧化物（NOx）是引起酸雨、光化学烟雾、温室效应和臭氧层空洞等一系列环境问题的主要污染物，对地球生态和人体健康产生了严重的影响。 燃煤电厂与热电厂所排放的NOx在人为固定污染源中占有很大的比例。因此，如何有效地消除电厂烟气中的NOx，已成为目前环境保护中一个令人关注的重要课题。国家对氮氧化物的控制与治理也逐渐严格起来，氮氧化物的控制技术将成为环境领域的一个新
南开大学
2021-04-14
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料，在外加磁场的作用下，液体的粘度发生很大的变化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件，它们可以用于车辆悬挂系统，土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
光学微腔器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进 而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108， 从而达到国内领先，国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光 器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激 光技术
中国科学技术大学
2021-04-14
光学微腔器件
1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108，从而达到国内领先，国际先进水平。
2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激光技术）等小型化器件的技术原理和实现方案。与常规产品相比，体积可缩小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2个量级，成本可下降 80%。成果可实现的光学微腔器件主要指标：研制出光学晶体微腔，Q 值优于 108，根据用户要求研制小型化应用模块。
中国科学技术大学
2023-05-17