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均匀硫化亚铜(Cu2S)纳米球及其可放大生产技术
均匀硫化亚铜(Cu2S)纳米球及其可放大生产技术 项目简介 硫化亚铜(Cu2S)是一种直接窄带隙半导体(Eg = 1.21 eV)材料。由于这一合适的 带隙宽度以及其元素构成无毒无污染、地球含量丰富,Cu2S 广泛应用于光伏太阳能电池、 光电转化领域。已报道的研究证明,Cu2S 与 CdS 组建的复合纳米材料展现出高达 5.4%的 太阳能转化效率,可望运用于太阳能光伏行业,与多晶硅太阳能电池材料相媲美。本
江苏大学 2021-04-14
一种耐高温纳米硅薄膜二极管及其制备技术
该成果是一种用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法进行低成本的耐高温二极管制备的技术,它采用高熔点的钨或钽丝作为催化分解热丝,对通入生长腔体中的气体进行快速分解,通过控制热丝温度、H2稀释比、衬底温度和生长气压等参数,可以实现不同导电类型的纳米硅薄膜的沉积和相关二极管的制备,制备的纳米硅薄膜大面积均匀,载流子浓度和迁移率可控性好。 该成果主要面向微电子器件制造行业,如集成电路、大功率器件、特种环境探测器和传感器、光伏产业、发光器件等相关领域。 该成果
南京航空航天大学 2021-04-14
燃料电池技术突破——天津大学教授单相法合成COF纳米片
近日,天津大学姜忠义教授、Michael Guiver教授、尹燕教授合作报道了单相法合成共价有机框架(COF)纳米片的研究工作。单相法摆脱了目前常用的“两相法”或“多相法”对表面/界面的依赖,利用电荷排斥效应,实现了COF纳米片的超高体积收率。
天津大学 2023-01-03
脉冲放电等离子体协同纳米光催化有机废气及恶臭净化技术
项目简介 本成果将低温等离子体废气净化技术和纳米光催化废气净化技术两者协同作用,在 脉冲放电等离子体体系中引入纳米光催化剂,充分利用气相辉光放电激发的光能,组成 脉冲放电等离子体协同纳米光催化净化废气体系,从而产生更多的氧自由基或超氧自由 基等,进而产生更多的活性物质,加速废气污染物的降解和矿化,是一种兼具高能电子 辐射、自由基氧化等作用于一体,高效低能耗的废气净化净化技术。 性能指标 (1)能耗低,由
江苏大学 2021-04-14
含硅固废(尾矿)绿色制备纳米孔道 ZSM-5 分子筛技术
本技术提出以无溶剂法合成ZSM-5分子筛,在分子筛合成过程中无溶剂参与,仅将初始原料研磨混匀后,转移到反应釜中进行晶化反应,从而简化了合成工艺,实现ZSM-5分子筛低成本、高效、绿色合成。
北京科技大学 2021-04-13
风味成分及香精油类的纳米乳化技术及产业化应用
针对风味成分、香精油类普遍存在的易挥发、易氧化损失等特性,本实验室 采用纳米乳化体系,在提高这两类物质稳定性的同时,进一步提高风味成分和香 精油类物质的水溶解性,并通过乳化体系的构建达到风味物质的控制释放效果。 同时,对于具有抗菌性的香精油类,提高并延长抗菌特性,可作为食品级抗菌剂,在食品体系中广泛应用。本技术加工手段温和,过程中无污染,非常适用于食品 中风味成分和香精油类物质的深加工,提高产品附加值。以薄荷油为例的微乳化 产品,储藏期间粒径保持在 20 nm 左右,常温储藏 12 个月有效成分保留率分别 达 98.2%和 97.6%,损失率小于 10%。 
江南大学 2021-04-11
一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法
本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法,包 括:制得下层和上层封装结构,这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域;制作延性互连结构,该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构;将上下层封装结构对应贴合,同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中;最后,将绝缘性流体注射至微腔 体内,使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构,由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明,能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能,避免面外翘曲现象,并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。 
华中科技大学 2021-04-11
一种提高高温煤焦油附加值利用的方法
(专利号:ZL 201310226753.X) 简介:本发明公开了一种提高高温煤焦油附加值利用的方法,属于化工技术领域。该方法以高温煤焦油或其与有机溶剂按一定质量比混合的高温煤焦油溶液为原料,通过高压反应装置,在加氢催化剂作用下,进行高温煤焦油的选择性催化加氢转化反应,将高温煤焦油中的稠环芳香化合物尤其是煤沥青定向催化转化为低环芳烃化合物,所述高温煤焦油经选择性加氢提质后,可直接进入目前的高温煤焦油加工装置中,进行后续的分离加工利用,而经
安徽工业大学 2021-01-12
SWIPT系统中无源中继收集干扰能量来提高最优系统速率方法
专利名称:
天津工业大学 2021-01-12
一种基于多目标决策提高硬盘可靠性的方法
本发明公开了一种基于多目标决策提高硬盘可靠性的方法,包 括:获取不同采样时刻硬盘阵列的参数,计算不同采样时刻硬盘阵列 的参数所对应的隶属值,包括温度、性能、运行时间以及功耗,根据 用户的需求得到各自对应的目标系数,包括温度系数 A、性能系数 B、 运 行 时 间 系 数 C 和 功 耗 系 数 D 。 获 取 该 硬 盘 阵 列 的 聚 合 值 F=A+B+C+D,改变磁盘阵列的大小,并重复上述步骤,以获取不同大 小
华中科技大学 2021-04-14
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