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太阳能电池演示器
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
朗能LED格栅系列黑板灯
灯具采用整体式铝合金结构设计,造型简洁、易于安装; 灯罩采用优质pc扩散材料,有效减少嫁光; 釆用优质高效的隔离恒流驱动,高p无频闪; 密封式设计、防尘、防蚊虫;技术性能指标符合国家强制认证标准;
广东朗能电器有限公司 2021-08-23
太阳能的应用材料
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
太阳能的利用无小车
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
广东朗能电器有限公司
  广东朗能电器有限公司创立于1991年, 至今已发展成为行业的领导品牌之一。 公司地处珠三角腹地——中山市小榄镇,其舒适、安全的工作环境,吸引了众多有志之士的不断加入,共同为电工、照明、通风、智能家居应用等产业的创新发展献力。      公司多年来凭借务实、奋进、高格局的风范,在行业和市场上树立了稳健、前沿的企业形象和口碑;产品广泛应用于商业楼宇、房产别墅、学校医院和平常百姓的家居装饰中。      21世纪初,朗能与美国霍尼韦尔达成战略合作协议,整合双方优势资源,为世界一流企业沃尔码、固特异、爱默生、百胜、哈飞、上海地铁等提供LED照明、电工解决方案。通过合资。为公司历练了一支高执行力的团队,学习了先进的管理理念,积累了丰富的管理经验。      2014年朗能完成与合资公司的业务重组, 朗能重点发展照明、 通风业务。2018年,朗能公司重启电工战略,推出开关插座新品牌 “LONSIN朗绚” 及系列产品,并加大投资购进新模具、 新设备,通过公司28年的开关插座制造经验,积极拓展传统渠道、家装、 工程、 电商等各领域的销售工作。期间,公司再次站在历史的风口,与阿里巴巴出口通平台签署战略合作,拓展海外市场,将产品销往世界各地。      展望未来,公司将着眼全球,布局新时代,为世界每一个角落提供更安全、更舒适、更节能、更具创新力的智能家居生活环境,全力打造一个快速成长和锐意创新为导向的全球化高科技企业。
广东朗能电器有限公司 2021-01-15
佰能大型仪器共享管理系统
佰能大型仪器共享管理系统采用B/S架构设计,系统通过构建多级管理体系,以大型仪器共享管理系统为主导,扩展将仪器共享管理、设备授权管理、仪器预约管理、实验室送样检测管理、实验室技术服务管理、安全准入考试系统、仪器智能控制、实验室门禁管理、实验室监控管理、实验室环境监测管理集成建设,实现仪器查询和预约、服务与共享、授权与鉴权、管理与控制、收费与结算、查询与统计等功能。
广州佰能信息科技有限公司 2021-02-01
江苏省教育厅关于印发《江苏高校人工智能赋能专业建设行动方案》的通知
为深入贯彻习近平总书记关于发展人工智能的重要论述,积极响应教育部人工智能赋能教育行动,加快人工智能理念、知识、方法和技术深度融入高等教育专业建设,推动课程教材、培养方式、实习实践、教学管理及评价机制等改革创新,打造一流“人工智能+”专业体系,特制定如下行动方案。
江苏省教育厅 2024-12-10
一种能充分利用液化天然气冷能的蓄冷冷库系统
本发明公开了一种能充分利用液化天然气冷能的蓄冷冷库系统,它包括液化天然气气化系统、乙二醇循环系统和冷水循环系统,它还包括蓄冷系统和制冷系统,其中,(1)液化天然气气化系统包括液化天然气—乙二醇换热器;(2)乙二醇循环系统包括两个串联回路;(3)冷水循环系统包括水循环管路;(4)蓄冷系统包括蓄冷循环管路;(5)制冷系统包括经冷凝器的出口依次与压差调节阀、循环水泵、止回阀、蒸发器、板式换热器以及冷凝器的进口相连的制冷循环管路。本发明的优点:该系统在不影响液化天然气气化的前提下,起到液化天然气冷量削峰填谷的功能,有效改善制冷循环的能效比,充分保证了制冷性能稳定。
天津城建大学 2021-04-11
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
一种基于全息波导的头戴式显示器件
本发明公开了一种基于全息波导的头戴式显示器件,该器件包括入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5);入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、贴附于矩形波导(5)的上表面或下表面;入耦合光栅(1)、左视场偏折光栅(2)、右视场偏折光栅(3)、出耦合光栅(4)、矩形波导(5)贴于上表面或下表面由出入瞳光线设计方向决定。本发明利用光瞳重塑方式解决了传统二维扩瞳方式产生的大视场角情况下的视场分离。
东南大学 2021-04-11
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