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超衍射极限纳米光刻机技术
研发阶段/n1、在该方向发表论文10余篇，Nature子刊，Science子刊各一篇。。2、申报和获得该方向相关发明专利8项。其中1项授权转让给Facebook，Sony和中国一家企业。在华中科技大学申报5项发明专利，依托武汉舒博光电技术有限公司申报2项发明专利。。3、研发出2代超分辨纳米光刻样机。。4、配备光学装备开发专门团队，初步建成光学精密制造和检测平台。
华中科技大学
2021-01-12
一种光刻机自动调焦方法及装置
本发明公开了一种光刻机自动调焦方法及装置，其方法是将平行光束经第一狭缝投射至硅片表面，再经振动反射镜扫描后通过第二狭缝，由光电探测器接收光强信号，然后通过提取光强信号中二倍于扫描频率的频域成分得到硅片的粗调量，通过提取光强信号中一倍于扫描频率的频域成分得到硅片的精调量，最后由驱动装置调整硅片至焦点位置。调焦装置主要由两个狭缝、一个振动反射镜、光电传感器、驱动台和若干光学镜片组成，信号处理过程由计算机编程完成。该方法与装置相较于以往对比光斑强度进行调焦的方式，具有结构简单、响应迅速、精度高(优于 0.
华中科技大学
2021-04-14
一种光刻机投影物镜波像差的测量方法
本发明公开了一种用于投影式光刻机成像系统的波像差检测方法，包括光刻机成像系统的快速正向模型建立，泽尼克系数灵敏度矩阵的解析求解，检测用掩模图形优化求解，基于单次光强测量的波像差求解。本发明方法通过解析求解无像差时的空间像光强值和泽尼克系数灵敏度矩阵，实现了基于单次离焦空间像光强测量的波像差检测。
华中科技大学
2021-04-14
精确控制浸没式光刻机浸液温度的装置及其温控方法
本发明公开了一种精确控制浸没式光刻机浸液温度的装置，包括增压泵；初级热交换器，其浸液入口与增压泵出口连通，浸液在其中进行热交换，实现浸液温度的初级调控；次级热交换器，其浸液入口与初级热交换器浸液出口连通，浸液在其中进行再次热交换，实现浸液温度的次级调控；流量伺服阀，其入口与初级热交换器浸液出口连通，与次级热交换器形成并联，用于调节进入次级热交换器的浸液流量。通过协调控制进入初级热交换器和次级热交换器的冷媒流量，并结合流量伺服阀对进入次级热交换器的浸液流量的调节，可实现对浸液温度的两级调控，从而获得温
华中科技大学
2021-04-14
东北师范大学物理学院无掩膜光刻机（进口）设备采购竞争性磋商公告
(东北师范大学物理学院无掩膜光刻机（进口）设备采购)的潜在供应商应在（长春市二道区东南湖大路3030号，中资国际工程咨询集团有限责任公司一楼）获取采购文件，并于2020年12月14日13点30分（北京时间）前提交响应文件。
东北师范大学
2021-08-25
压印法集成电路光刻技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
用于浸没式光刻的浸液温控装置
本发明公开了一种用于浸没式光刻的浸液温控系统，包括：用 于浸液流动的浸液管路，待温控的浸液通过一管路进口进入该浸液管 路，温控处理后的具有稳定温度的浸液通过该浸液管路的出口输出； 用于对所述浸液进行冷却的工艺冷却液回路，工艺冷却液在该回路中 循环流动；以及多个热交换器，其沿流向依次布置，所述浸液管路和 工艺冷却水回路同时流经每个热交换器，并利用各热交换器分别依次 完成工艺冷却液和浸液之间的热交换，从而通过多次换热获得具有稳 定温度的浸液，实现对浸液的温度控制。本发明的装置系统采用内部 回流结构与多级热交换器相结合，实现对浸液温度的多级控制，可以 实现浸没光刻中对浸液稳定的精确稳定的控制，提供温控效率。
华中科技大学
2021-04-11
一种光刻掩模优化设计方法
本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表 征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩 模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网 格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。
华中科技大学
2021-04-11
微纳米压印光刻工艺及装备
微纳米结构成形是光电子制造中的核心工艺之一。压印光刻克服了传统光学光刻中光学衍射效应的限制，是一种经济、高效、高分辨的结构成形方法。 正在探索的压印工艺方法包括：UV-NIL、模板电诱导自组装纳米成形、电润湿驱动纳米压印等。 正在探讨压印光刻的应用领域包括：集成电路(IC)、微机电系统(MEMS)、生物微流控、光波导、光或磁存储、有机光电子、平板显示等器件的制造。
西安交通大学
2021-04-11
一种光刻掩模优化设计方法
本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。
华中科技大学
2021-04-14