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驻马店韵光科技有限公司
韵光源起于科艺华，科艺华成立于1996年，是光艺术作品的全球开拓者和领导者。上海市高新技术企业，参与众多863攻关项目，拥有中国最多的LED智能控制领域的基础发明专利，已经授权与正在申请的专利总数为133项，其中107项为发明专利，共获得10项软件著作权。
驻马店韵光科技有限公司
2021-12-07
北京卓立汉光仪器有限公司
北京卓立汉光仪器有限公司是一家集光学、精密机械、电子、计算机技术于一体的高科技企业。卓立汉光自1999年起，通过十年的不断努力，成长为光电仪器知名厂商。目前公司的电控位移台、手动位移台、光学调整架等产品已经形成产品系列化,规格多元化，国内多家科研单位、激光加工设备厂商、光纤设备厂商在使用我们的产品。2000年推出国内第一套量产型三光栅光谱仪后，不断推出了多套荧光、拉曼、光电探测器光谱响应、太阳能电池检测等光谱测量系统，广泛应用在众多高校和科研院所的研究与试验,为国家科技创新贡献了一份力量，产品凭借优良的品质远销欧美、东南亚等海外市场。 2005年10月在同行业中率先通过ISO9001质量管理体系SGS国际认证。
卓立汉光主要生产经营：光谱仪、光谱测量系统、光量测仪器、电控精密位移台、手动精密位移台、光学调整架、光学平台、光学元件等系列产品。
我们诚心聆听用户的需要与批评，作为不断改进的动力，能让您满意卓立汉光的产品及服务，就是我们最大的成就。因此我们以卓立汉光的光机产品提供 “终身保固” 的承诺,来表达我们对产品的信心。我们坚持从设计、零件选型、制造、装配、检验、包装、运输、直到售后服务做好全方位质量保证，就是要让您 “付有所值”，以合理的价位得到优质的产品，这是我们对您选择卓立汉光真诚的回报。
北京卓立汉光仪器有限公司
2021-01-15
上海卓光仪器科技有限公司
上海卓光仪器科技有限公司
2022-05-24
25016光的干涉、衍射、偏振演示器
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
超高性价比的工业光场相机
产品概述： 超高性价比的工业光场相机，可同时捕捉目标场景的二维图像和三维深度信息。 具备三维重建/先拍照后聚焦/视角变换等功能，适合用于大学生“计算成像”专题演示实验中。 附带C#、C++、Java、Python等编程工具包，便于进行二次开发。 可适配多种接口的常规工业镜头，支持用户自行安装和更换镜头。 支持用户深度定制光场相机的核心参数。
广州爱闪思光电科技有限公司
2024-03-18
一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学
2021-02-01
一种用于三层结构薄膜的接料装置
本发明提供了一种用于三层结构薄膜的接料装置，包括接料底板，设置在接料底板的一相对两侧，用于提供粘结胶带的粘结胶带组件；设置在接料底板的另一相对两侧，用于对接薄膜整齐对位的胶带纠偏组件；设置在接料底板上用于接料时固定对接薄膜的压合组件；以及设置在接料底板上方用于夹持三层结构薄膜各层的夹持组件。本发明实现三层结构薄膜的分层对接，整个装置结构简单，操作方便，易于实现。
华中科技大学
2021-04-11
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池
一种机械叠层ALSB/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由ALSB顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中ALSB顶电池,指的是在CORNING 7459玻璃上先沉积N型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在SODA LIME玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。
四川大学
2021-04-11
安装在汽车进气系统上的薄膜空气吸振器
其他成果/n本发明公开了一种安装在汽车进气系统上的薄膜吸振器，用于消除由进气系统引起的至少一种车内噪声，所述汽车进气系统包括依次连接的进气管、空气滤清器和出气管，该吸振器包括开设在所述进气管振动异常处的开孔以及密封覆盖在所述开孔外侧的薄膜，所述开孔的孔径小于进气管的直径。本发明在不增加进气系统降噪空间的前提下，以及合理的成本控制下，可以有效改善进气系统低、中、高各频率段噪声。
武汉理工大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12