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厦门光莆电子股份有限公司
厦门光莆电子股份有限公司成立于1994年，总部坐落于国家半导体照明产业基地之一的美丽厦门，是一家从事LED照明及光电传感器和智能控制模组的研发、生产、销售的技术先导型企业、国家高新技术企业。公司注册资本18298.2997万元，拥有120000平方米的生产基地，现有员工1000多人，2018年末实现营业收入7.75亿元，实现利润1.38亿元。
2017年4月，公司在深交所创业板上市（股票代码：300632）。
公司是国内最早的LED制造企业之一，始终秉承“用专业的心做专业的事”的理念，紧跟国际先进技术及品质发展趋势，坚持自主开发，注重前瞻性的技术开发储备及集成技术的深入研究，并持续优化在研发、制造、品质、客户服务等方面与国际级客户需求契合度，逐渐赢得了全球通用照明行业及显示器领域知名企业的认可。经过多年的磨练，公司在品质管理及产品工艺技术方面具有深厚的技术沉淀，已获得140多项（含欧盟）授权专利，通过了ISO、TS、BSCA等一系列管理体系认证。公司的LED封装器件市场不良率低于5PPM，处于国际较高标准水平，LED灯具主要产品先后通过3C、CQC、CE、UL、SAA等100余项国际认证。公司主导或参与了多项国标、行标和省标的编制，先后承担过国家火炬计划、国家创新基金计划、国家重点新产品等十多项国家级计划项目，先后获得过厦门市科技进步奖一等奖和福建省科技进步一等奖，是福建省LED封装工程技术研究中心，厦门市企业技术中心、国际权威认证机构TUV莱茵和TUV南德授权实验室的依托单位。
厦门光莆电子股份有限公司
2021-01-15
余姚市科仪光仪有限公司
余姚市科仪光仪有限公司（原余姚市科仪光仪厂）成立于1985年，属教学仪器设备专业生产企业，中国教学仪器设备行业协会会员。本公司一直从事教学仪器设备的研究、开发、生产。特聘请教学仪器设备管理部门的专家3名，作为本公司常年技术顾问，现有机械、电子、光学、塑料专业的高级工程师、工程师6名（高级工程师1名、工程师5名）高级技术工人8人，一线生产工人（中级工）103人，年生产销售额3600万元。二十多年来，研究开发、生产的普仪器设备品种已达272种，大多数通过教学仪器质量检测合格。在同行业中率先通过ISO9001：2000质量管理体系认证。
在以后的日子里，本厂将一如既往地以市场为导向，以“严谨务实，精益求精”为创业精神，以“育人为本，服务教育”为企业宗旨，竭诚与社会各界携手共创，为教育事业的辉煌添砖加瓦。
余姚市科仪光仪有限公司
2021-01-15
光峰3LCD激光高亮投影机
深圳光峰科技股份有限公司
2021-08-23
光峰3LCD激光教育投影机
深圳光峰科技股份有限公司
2021-08-23
变幻的色彩（光的彩色偏振实验器）
310mm×250mm×280mm，偏振片一对，不同部位用不同的层数，显示不同的彩色。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜，以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能，如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法，厚度均匀，根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单，重现性好是本技术的优势。
北京科技大学
2021-04-11
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持，经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年，该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太阳 电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池技术推向产业化。
南开大学
2021-02-01
低成本制备高效硅薄膜太阳电池关键技术研发
南开大学 1978 年在国内率先开展非晶硅材料及其电池的研究，该技术获得天津市技术发明二等奖。自“六五”至“九五”期间，连续 4 个五年国家科技攻关计划，获科技部重点攻关和天津市科委的支持， 经过 20 余年潜心研发，硅基薄膜太阳电池性能跻身世界先进行列。 于 2003 实现非晶硅电池产业化。 2000 年始，在国内率先开展新一代硅薄膜电池的研究。2007 年， 该成果实现技术转移生产。 2009 年，研制成功我国首套基于自主专利技术的、衬底面积 0.79m2、线列式 5 室连续 VHF-PECVD 系统及相应中试生产线及其 组件制造技术。成为国际上为数不多可开展大面积新一代硅基薄膜太 阳电池研究的单位。 2011 年，开发出年产能 2 兆瓦、具有自主知识产权的、我国首条 年产能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅锗/微晶硅叠层电池生产线及其组件生 产技术。生产出的太阳电池组件效率达 9.59%，将新一代硅薄膜电池 技术推向产业化。
南开大学
2021-04-11
一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
本发明阐述了一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法。具体步骤为：先通过DMF、DMSO、环己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加热方法制备出足量的CsPbBr3单晶并压成靶材，再采用脉冲激光沉积薄膜制备技术：调整激光能量和基底温度，通过激光脉冲数控制薄膜厚度，真空沉积制备CsPbBr3薄膜。本发明利用脉冲激光沉积技术制备CsPbBr3薄膜，可实现均匀大面积薄膜的便捷制备，易于有效控制薄膜厚度并且节约材料，有利于该材料在太阳能电池的工业化生产与应用。
东南大学
2021-04-11
碲化镉薄膜太阳电池的产业化制造技术
本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm 的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。 主要技术指标： 组件效率超过12%。 应用范围： 用于太阳能直接发电，建立大规模光伏电站或小型户用光伏发电系统。国家扶持光伏发电系统的建设，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太阳电池，出口不会受到限制。 项目目前已进入产业化阶段，成果权属为我校独自拥有。
四川大学
2021-04-11