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XM-847细胞超微立体结构模型   XM-847细胞超微立体结构模型为立方形半模式细胞立体的超微结构，细胞三面剖开细胞膜，切开细胞核的1/4部分。暴露各种细胞器及核的结构，主要的细胞器有线粒体，粗面及滑面内质网，高尔基体，中心粒等，细胞核切面显示核膜、染色质和核仁，同时还显示核糖体、溶酶体，微丝、微管、分泌泡等。此外，细胞膜还显示微绒毛（已切除）及基底膜內褶等结构。 尺寸：36×27×52cm 材质：PVC材料

 库帕品牌主体是深圳市金研微科技有限公司，于2009年7月27日在深圳成立，由具有工匠精神的德国海归团队与国内IT精英创建，公司位于深圳市南山区，专注于智能创意终端产品（软硬件一体）的开发和生产。公司可提供从产品系统设计、开发、生产、品控再到售后跟踪的一站式服务，具有国际领先的行业方案综合解决能力。 金研微科技是国家级高新技术企业、双软认定企业，在硬件开发和软件应用领域拥有多项知识产权。荣膺中国留学生创业园百家企业、最具成长性企业奖、深圳市南山区创新科技基金奖等荣誉，是深圳市银政企合作项目重点支持单位。在第16届中国风险投资论坛上被评为“最具投资潜力的互联网企业”，公司产品连续两年获得美国权威电脑杂志PC Magazine的四星级评价，美国 CTIA无线协会2013年度Mobile CE 类产品全球评选第三名，2018年中国投影机行业品牌大奖，2018年中国投影优秀产品奖。 金研微以其原创的设计和优异的行业表现，先后获得达晨创投、深圳高新投等多家著名投资机构的投资。 

北京微电达电子技术有限公司一家集研发、生产、销售及系统集成等为一体的高科技企业，立足于工控、测控、自动化领域，专注于低功耗、嵌入式、无风扇系列产品及OEM定制设计等，致力于为用户提供最新的低功耗、嵌入式工控产品及专业的技术服务，提高企业自动化应用水平。公司还可为客户提供工控机、一体化工作站、嵌入式工业电脑、工业显示器、便携机、KVM、原装整机、工控主板、底板、采集卡、模块、组态软件和嵌入式电子产品OEM/ODM客制化等系统解决方案，及相当具有竞争力的工业电子产品。公司的部分中高端工控产品适应高温高湿振动强磁及粉尘等严苛工业环境，外形美观，性能优良，稳定耐用。 (北京专营嵌入式电脑、嵌入式工业电脑、嵌入式工控机、嵌入式计算机等，另经营军用便携笔记本、加固便携机、加固便携工控机及承接嵌入式电子oem定制)

该连接器采用新型高可靠绞线柔性插针，高密度的接触对排列，接触件尾端分为压接导线、直插印制板、弯插印制板三种形式。塑料外壳,产品符合GJB2446A，广泛应用于各类军用电子设备的电路连接，特别适用于安装空间小，要求重量轻的场合。

深圳市西微数字技术有限公司，成立于2013-10-15，注册资本为1000万人民币，法定代表人为李圣遥，经营状态为存续，工商注册号为440301108116891，注册地址为深圳市南山区粤海街道科技园社区科苑路8号讯美科技广场3号楼1008M23，经营范围包括一般经营项目是：经营电子商务；化妆品的销售；物联网的技术研发、技术咨询、技术转让；通讯器材、生物传感器的技术研发、技术咨询及销售；按摩体调仪器、测温仪器、护目镜、消毒液、手套、检测试剂、二类医疗器械的销售；经济信息咨询；市场调研；商务信息咨询;国内贸易；经营进出口业务。 传递品牌唤醒肌肤本来之美的宗旨，对于自然的尊重，终于天然的美丽。TSON为深圳西微旗下子品牌，专注于美容电子领域。公司成立于2013年，专注于电子产类产品的研发，核心产品技术领先国际。现进军国内美容电子领域，采用领先的国际美容技术、赋能国内20年美容仪制造史的国际知名企业，联手打造出更加适合女性娇嫩肌肤、更符合中国女性使用习惯的美容电子仪器。

本发明公开了一种快充气型微正压保护系统，包括：经依次顺 序连接的第一开关阀 2、第一减压阀 3 和第二减压阀 4 分为两条支路， 其中，一条支路经第一流量计 5 与毛细管 6 一端相连，另一支路经第 二流量计 7 与第二开关阀 8 一端相连，毛细管 6 另一端和第二开关阀 8 另一端接过滤器 9 的一端，过滤器 9 另一端与目标腔体 10 一端相连， 目标腔体 10 另一端与节流部件 14 相连，其中，所述目标腔体 10 为密封腔体，其内壁上布置有测量腔内压力的压力传感器 11、用于测量腔 内气体纯度的成分检测仪 12、以及过压保护阀 13。本发明实现了微正 压保护系统初始化过程的快速充气功能，缩短了系统的初始化时间， 同时还保证目标腔体在工作过程中的微正压稳定。 

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。