1.测量R-T主机一台（主要完成温度的测量和电阻测量，以及为样品提供电流的恒流源） 2.测量X-T用主机一台（主要完成温度的测量和显示，磁化率的测量和显示） 3.测量实验台架一套（测量零电阻和磁化率共用） 4.测温传感器（PT100） 5.低温杜瓦（内径φ120×80）

产品详细介绍OMS材料物理光学属性测量仪OMS2材料物理光学属性BRDF测量仪，用于测量光学材料表面BRDF光学属性以及材料体光学属性，测量出的数据经过OMS2数据处理软件的拟合，得出.BRDF格式的文件，这些文件都携带了材料的表面光学属性和体光学属性。这些数据文件可在OMS2支持软件中直接读取，在OMS2支持软件的协助下完成杂散光仿真分析处理。国内外用户有拜尔材料、洛克希德马丁、NASA、三星、LG、航天508所、中航工业上海航空电器有限公司等。设备组成OMS2材料BRDF光学属性高精测量系统由OMS2测量仪、数据处理工作站、OMS4数据处理软件。注：B2DF的解释双向反射分布函数（Bidirectional Reflectiondistribution function, BSDF）是研究物体表面粗糙度之光学性质。由于物体表面上有凹凸不平的微小表面，一束入射光线射到表面而产生反射现象，用BRDF 来表示这种反射（散射）现象。其中双向（Bidirectional）系指入射光与接受散射光的方向，因不同的入射光角度所产生的散射性质亦不相同。BRDF 主要应用在计算机仿真物体表面明亮度，与真实人眼所看物体之明亮度相符；另外可应用在背光模块之光学模拟，例如扩散膜之散射性质。测量波段OMS2测量系统可获得测量、提取材料在可见光以及近红外波段的光学属性，具体测量波段是400nm—670nm测量结果（1）材料表面光学属性BRDFa. 材料BRDF点阵数据在使用OMS2测量材料时，仪器中的光电倍增管（PMT）在2π空间内接受样品反射以及透射的光能量数据，因此测量后会得到离散型的点阵数据。b. 材料BRDF文件数据离散型数据直接被使用于软件仿真并不精确，所以所得的离散型数据必须经过数据处理才可使用，OMS2系统的工作站中带有由OPTIS研发出来的数据处理系统，经过OMS2数据处理软件的数据拟合、处理可得出精确的可直接使用.BRDF格式的文件结果中可以查看光的不同入射角度，以及不同波长时，光在材料表面反射、吸收的参数，并且还可查看反射的光型。（2）OMS2数据处理软件OMS2数据处理软件内含有OPTIS大量材料属性数据库，可对采集到的离散型数据进行处理拟合，生成.BSDF格式的材料面光学属性文件，以及.Material格式的材料体光学属性文件。生成的材料光学属性文件可在OMS2支持软件中使用。

产品详细介绍Eutech   PC700多参数水质测量仪 Eutech优特700系列仪表价格实惠，操作界面友好，测量准确，是日常测量的理想选择。可广泛用于实验室、生产车间、科研院校等场所。从2010年7月起已全面取代510系列产品。• 设计紧凑，大屏幕便于读数• 仪表可接pH，ORP，电导率 / TDS电极，多参数集于一身• 多至5点校准 • 电导池常数可选• 5档电导率量程，自动选择 • 替换电极操作方便• 可储存100条记录 • 含电极支架测量参数pH/ORP/电导率/TDS/温度pH测量范围    -2.00 - 16.00 pH分辨率      0.01 pH精度        ±0.01pH + 1LSD校准点      1-5点校准液类型  USA, NISTORP测量范围    ±2000 mV相对mV测量范围   ±2000 mV分辨率      0.1 mV (±199.9 mV内) / 1 mV (其它范围)精度        ±0.2 mV (±199.9 mV内) / ±2 mV (其它范围)电导率测量范围    0 μS/cm ~ 200.0 mS/cm分辨率      0.01 μS; 0.1 μS ; 1 μS ; 0.01 mS ; 0.1 mS 精度        全量程的±1% 校准点      自动（4点）；每个范围最多1点；手动（5点）；每个范围最多1点电导池常数  0.1, 1.0, 10.0 (可选)TDS测量范围    0 ~ 100 ppt （TDS 常数0.5 时）；0 ~ 200 ppt（TDS 常数1.0 时）分辨率      0.01 ppm; 0.1 ppm ; 1 ppm ; 0.01 ppt ; 0.1 ppt精度        全量程的±1% 校准点      1 - 5点TDS常数     0.40 ~ 1.00 (可调)温度测量范围（仪表）    0.0 ~ 100.0 ℃ / 32.0 ~ 212.0 ℉分辨率      0.1 ℃ / 0.1 ℉精度        ±0.5 ℃ / ±0.9 ℉系数        0.00 ~ 10.00 %标准化      15.0 ~ 30.0 ℃ (可调)补偿类型及范围    电极自带温度探头自动补偿或手动补偿 0.0~100℃/32.0~212.0℉, 0~80℃/ 32.0~176.0℉校准        0.1℃增量偏移；偏移范围：± 5 ℃ / 9 ℉

产品概述：      VSM振动样品磁强计可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  VSM振动样品磁强计材料磁性测量仪器 可原位测量磁性材料从液氮温区至室温或室温至500℃温区的磁性能随温度的变化曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ VSM振动样品磁强计材料磁性测量仪器 技术指标： 1、测量磁矩范围(磁极间距30mm时)：1*10-3emu—300emu(灵敏度：5×10-5emu) 2、相对精度(量程30emu时)：优于±1% 3、重复性(量程30emu时)：优于±1% 4、稳定性(量程30emu时)：连续4小时工作优于1% 5、温度范围：室温到500摄氏度以及室温到液氮温区 6、磁场强度：0—±3.8T之间 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁矩测量单元： 磁矩量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu(即0.015emu)共18档，灵敏度优于5×10-5emu;当磁矩量程为30emu 时，测量磁矩的相对精度和重复性均优于±1%，预热24小时，连续24小时工作的稳定性优于1%。 磁场量程3.8T—0—-3.8T连续测量，分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。 低温装置： 样品室的温度变化范围：80-500K 可选，分辨率0.1K。 测量系统软件： *可直接设置系统参数，直观显示数据 *原始数据文件后缀为13D，直接存储于计算机之中，方便后续处理，可以使用Excel和Origin直接对数据进行处理； *测量的多种曲线和特性参数即可在微机屏幕上显示，软件可对数据进行任意选取，局部放大，平移，可对曲线进行平滑处理，也可在激光打印机上输出打印；还可由其它通用绘图软件上进行处理。 *可自动测量磁化曲线，磁滞回线，快速MH回线，升温曲线，降温曲线，升降温曲线，控温曲线，设定温度下的磁化曲线、磁滞回线、快速MH回线，及背底曲线；在已知退磁因子和样品密度的情况下，能将VSM的开路样品磁特性曲线自动转化为物质本身（即闭路样品）磁性测量曲线 *软件可同时算出国际单位制和高斯单位制下的曲线参数（饱和磁矩/饱和磁化强度/比饱和磁化强度，剩余磁矩/剩余磁化强度，矫顽力，内禀矫顽力，矩形系数，磁能积极大值，回线面积，居里温度）    

本实用新型公开了一种用于原子吸收分光光度计的伸缩测样架，涉及分光光度计的样品支架领域，所述定位板设置在底座上，所述滑块活动设置在底座上，所述滑块内设有螺纹孔，所述丝杠设置在滑块内的螺纹孔内，所述丝杠的一端通过定位板的螺孔后与旋钮连接；所述滑块的顶端设有固定杆Ⅰ，所述固定杆Ⅰ和固定杆Ⅱ铰连接，固定杆Ⅰ和固定杆Ⅱ的顶端连接置物架。本实用新型的有益效果是，首先利用滚轴丝杠的原理，实现了置物架的左右移动，然后利用调节板和交叉杆的相互配合作用，实现了置物架的上下移动，此外，该调节板和左右移动的控制端位于同侧，方便调节，具有人性化，提高了操作的效率，值得推广使用。

随着品牌客户对于印刷品质量和一致性要求越来越严格，印刷厂必须具备足够的实力才能获得品牌客户的订单，因此基于不同角度设计和实施的第三方质量认证就应运而生。目前主流的质量认证包括 G7、GMI 认证等。我们团队在这两个认证领域都具备丰富的实践经验，可以为企业提供认证服务以及质量提高的服务和相应的培训以及 SOP 文件的准备。目前已经为多家企业提供相关技术和服务。

本装置是智能电网中电能质量控制关键设备之一。电能质量问题大多可以归结为电压质量问题，特别是公共结点(PCC)的电压质量问题。电网电压存在的各种干扰，如电压暂升、暂降、过压、欠压、谐波、瞬变等，将导致一些重要负荷或对电压质量敏感的设备不能正常使用、性能降低、寿命缩短，还会造成一些生产设备无法工作、甚至损坏，严重的电压质量问题还可能造成重大事故。