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溶剂解吸型活性炭管
产品详细介绍 溶剂解吸型活性炭管 溶剂解吸型和热解吸型、碱性和浸渍活性炭采样管;   溶剂解吸型和热解吸型、碱性、酸性和浸渍硅胶采样管;   401有机担体、CDX-501、CDX-103、XAD-2、碘化钾、聚氨酯泡沫、Tenax TA(TVOC)等特殊吸附材料采样管;   总粉尘采样收集器;   大小型气泡、多孔玻管(白,棕)和冲击式吸收管;   三氧化铬氧化管、顶空瓶、螺口瓶等玻璃仪器等。   溶剂解吸型活性碳采样管通过中国疾病预防控制中心职业卫生与中毒控制所、上海疾病预防控制中心、上海市环境监测中心、江苏省疾病预防控制中心和江苏省环境检测中心等权威部门的测试和试用,苯、甲苯和二甲苯本底值低于检出限,苯的解吸效率>99.6%,甲苯的解吸效率>98%,二甲苯的解吸效率>96%,100mg活性炭苯穿透容量>7mg,甲苯穿透容量>13.1mg,二甲苯穿透容量>10.8mg,达到环境监测和职业监测的要求。 规格:Φ6×80、Φ6×120、Φ6×150、Φ6×200 李 丽 : 1 5 8 0 1 2 6 6 4 3 4  联 系 电 话 :0 1 0 –5 8 4 3 1 7 8 1  /  8 0 3 3 6 3 7 3  /  5 9 1 4 5 1 3 1  Q  Q 号;5 2 5 5 0 0 9 8 8 
北京华博科技制造有限公司 2021-08-23
全不锈钢真空碳管炉
产品详细介绍 全不锈钢真空碳管炉  产品编号:898435416  ◎产品说明  设备特点:  本电炉为周期作业式,广泛用于功能陶瓷、光学材料、碳复合材料、硬质合金、粉末治金等高温下进行上海烧结处理,也可在充气保护下成型烧结。  技术参数:  1、型号:ZT-20-22   2、 额定功率:20KW   3、 额定温度:2200℃  4、仪表控温精度:正负1℃   5、控温方式:钨铼热电偶+红外衣  6、工作区尺寸:直径80x100mm   7、冷态极限真空度:5x10-3 Pa   8、压升率:2Pa/h   9、电源电压:380V 50Hz 单相  10、充气压力:<0.03Mpa(可充氮气、氩气)   11、发热元件:石墨管(高纯石墨)  结构组成与说明  1、炉体:采用双层水夹层结构,"内层为不锈钢(1Gr18N9Ti)抛光。上、下法兰组焊筒形结构,法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封,并设有水冷装置(防止因温度过高“0”圈老化)。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖:采用双层水夹层封头结构,设有观察窗,屏蔽锁紧、开启装置,并通水冷。  3、炉底:采用双层水夹层封头结构,设有电极引出装置,支撑平台等,并设有水冷装置。  4、炉架:山型钢及钢板组焊成箱式结构,炉体安装放在箱体内,美观大方。  5、真空系统:又一台K-100扩散泵配冷阱,一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表(Pa)、充气阀、放气阀和真空管路等组成,扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接(减缓震动),真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制:控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件,画面显示友好,操作简单,要以炉内工况进行实时监测,软件彩色模拟屏显示,加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作,现场也可以手动操作,需要电脑操作时,直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件,可检测到各种状态,也可通过485通讯连接到办公室操作,本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间,方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统:整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制:采用各种管道阀等相关装置组成,具有断水声光报警自动切断电源能。 
上海晨鑫电炉有限公司 2021-08-23
无管式净气型储药柜
GR系列无管净气型储药柜由风机和高效过滤系统组成。过滤器将柜内有毒气体过滤成洁净气体排出。室内的气体在柜内负压的影响下进入柜体,形成循环,达到净化空气、保护操作人员身体健康的目的。 产品特点: 节约能源:无管净气型储药柜的年消耗成本远低于传统外排通风橱。 保护环境:保护实验室内及实验室周围环境免受污染。 降低成本:采用高效过滤系统代替传统管道设施,减少占用的空间,降低设施成本。 操作简单:仅需30分钟就可安装完成,插电后就可以安全高效工作。
济南格润实验仪器有限公司 2022-06-21
无管式净气型通风柜
产品主要特点: GR无管式通风柜是一款高效能产品,可以保护实验室操作者及环境免受工作中产生的有害气体的伤害。 无管技术: 原装进口高效过滤器,通过SGS检测认证,吸附效率高达99.7%。寿命可达18个月。经济性能优。 环保优势: 有效吸附操作过程中产生的有毒气体,阻止其释放到工作环境中,净化室内空气,保证实验室的生态平衡。 能源效益: 采用无管技术,节省85%以上的空调损耗 方便使用: 安装便捷,选配小车后可在实验室方便移动,满足不同操作需求。 智能防护。
济南格润实验仪器有限公司 2022-06-21
互联网教学管控融合系统
深圳市中科卓软科技有限公司 2022-09-08
紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱
产品详细介绍 紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱 产品名称:紫外光加速老化试验机|紫外光耐气候试验箱|紫外老化箱 产品售价: 请咨询 产品规格:ZN-P 产品备注:该系列产品适用于非金属材料的耐阳光和人工光源的老化试验。 说明: ■ 紫外老化箱产品用途   该系列产品适用于非金属材料的耐阳光和人工光源的老化试验。 ■ 紫外老化箱箱体结构   箱体采用数控机床加工成型,造型美观大方,箱盖为双向翻盖式,操作简便。 箱体内胆采用进口高级不锈钢板,箱体外胆采用A3钢板喷塑,增加了外观质感和洁净度。 加热方式为内胆水槽式加热,升温快,温度分布均匀。 排水系统使用回涡型及U型积沉装置排水,方便用户清洁。 ■ 紫外老化箱控制系统   采用黑色铝板联接温度传感器,采用黑板温度仪表控制加热,温度更稳定。 辐射计探头采用固定式,无须每次装卸。 辐射量采用高精度显示和测量的专用紫外线辐照计。 辐射度不大于50W/ m2。 光照和冷凝可独立控制可以交替循环控制。 光照和冷凝的独立控制时间和交替循环控制的时间可在一千小时内任意设置。 ■ 紫外老化箱符合标准   GB/T16422.3-1997 GB/T16585-96    紫外老化箱规格与技术参数   型号 ZN-P 工作室尺寸D×W×H 450×1170×500 支持样板数量:150×75约40块 性能指标 温度范围 RT+10℃~70℃ 湿度范围 ≥95%R.H 灯管间距离 35mm 样品与灯管距离 50mm 紫外波长 290nm~400nm UV-A、UV-B、UV-C(定货时说明) 灯管功率 40W 温湿度运行控制系统 温度控制器 进口LED数显P、I、D+S、S、R.微电脑集成控制器 时间控制器 进口可编程时间电脑集成控制器(金钟默勒) 光照加热系统 全独立系统,镍铬合金电加热式加热器 凝露加湿系统 全不锈钢浅表面蒸发式加湿器 黑板温度 双金属黑板温度计 供水系统 加湿供水采用自动控制 暴露方式 湿汽冷凝暴露,光照辐射暴露 安全保护 漏电、短路、超温、缺水、过电流保护/控制器停电记忆
北京东工联华科学仪器设备有限公司 2021-08-23
一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
一种磷硅镉单晶体的制备方法,以富磷CdSiP2多晶粉末为原料,工艺步骤为:(1)生长容器的清洗与干燥;(2)装料;(3)将装有生长原料并封结的双层坩埚放入三温区管式晶体生长炉,然后将生长炉的高温区和低温区以30~60℃/h的速率分别升温至1150~1180℃、950~1050℃,并保持该温度,继后调节梯度区的温度,使温度梯度为10~20℃/cm,当所述生长原料在高温区保温12~36h后,控制双层坩埚以3~6mm/day匀速下降,当双层坩埚下降到低温区并完成单晶生长后,使其停止下降,在低温区保温24~72h,保温时间届满,将高温区、梯度温区、低温区的温度同时以20~60℃/h降至室温。一种单晶体生长容器,由内层坩埚和外层坩埚组成,内层坩埚与外层坩埚之间的环形腔室内加有调压用CdSiP2多晶粉末。
四川大学 2021-04-11
一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法
本发明公开了一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法,采用二氧化硅胶体微球作为模板,并将其置于反应管中,加入预凝胶A反应、聚合后,去除二氧化硅胶体微球,制得反蛋白石骨架,将预凝胶B加入该骨架中反应、聚合20~60s后,即制得混合光子晶体,随后配制叶酸?二甲基亚砜混合溶液,加入1?(3?二甲氨基丙基)?3?乙基碳二亚胺盐酸盐,混合光子晶体和N?羟基琥珀酰亚胺反应后,洗涤,即可制得该复合材料。本发明的显著优点为制法简单容易,对设备要求低,制得的复合材料稳定性强,具有优越的生物兼容性和磁性响应性,能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞,并使得耐要细胞株具有良好的生物活性。
东南大学 2021-04-11
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉,包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室,生长室设置有坩埚,绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈,主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈,主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距,有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内,绝热外壳的顶部设置有气流出口,气流出口作为籽晶杆移动通道,绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整
华中科技大学 2021-04-14
一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法,采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体;其中,沉积设备为水平管式炉,顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区,所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区,所述衬底放置于下游低温区;利用不同温区的温度差,单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区;两者反应生成 SnSe2,并通过 沉积载气带入下游温区,在衬底上沉
华中科技大学 2021-04-14
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