本发明涉及一种铌钼复合微合金化高强度贝氏体钢及其制备方法。其技术方案是：将铸坯采用热轧机组进行轧制，粗轧开轧温度为1150——1200℃，精轧开轧温度为950——1000℃，精轧终轧温度为900——950℃；然后以30——50℃/s的速度冷却至420——450℃，再空冷至330——380℃，在330——380℃条件下保温30——45min，然后水冷至室温。所述铸坯的化学成分及其含量是：C为0.19——0.224wt%，Si为1.43——1.50wt%，Mn为1.94——2.05wt%，Nb为0.025——0.027wt%，Mo为0.142——0.15wt%，P<0.008wt%，S<0.002wt%，N<0.004wt%，剩余部分为Fe及不可避免的杂质。本发明具有成本低廉、工艺简单和生产周期的特点，所制备的制品的强度与塑形良好匹配，综合性能优良。 （注：本项目发布于2015年）

本申请公开了一种3D打印构建菌丝体活体材料并调控生长行为的方法，通过制备封装了真菌孢子的微凝胶颗粒，形成具有优异流变性能的双相微凝胶生物墨水；该墨水适用于挤出式3D打印，可支持真菌孢子的萌芽和菌丝网络的生长，实现菌丝体自生长行为在空间约束、营养浓度和基质刚度等关键因素上的精准调控。本申请通过设计构建自引导菌丝体生长通道结构，为工程化活体材料的设计与应用提供了创新解决方案，具有广阔的应用前景。

本发明涉及一种用于白内障手术的低温等离子体组织消融系统及控制方法，包括：智能能量平台；组织抽吸模块；组织消融电极，用于将生成的等离子体直接作用于目标组织，组织消融电极包括：由内向外依次同轴布置的阴极、绝缘套管、阳极，绝缘套管与阳极之间存在的间隙构成组织抽吸通道，组织抽吸通道与组织抽吸模块连接；设在阳极外围的持握手柄；设在持握手柄上的阴极长度控制滑块，以控制阴极伸出绝缘套管的长度；设在持握手柄内的温度传感器；以及设在智能能量平台的阻抗传感器，温度传感器对电极周围的温度进行检测，阻抗传感器对阴极和阳极之间的阻抗进行检测。本发明提高白内障手术的安全性和有效性，同时有效防止电极腐蚀现象的发生。

1. 痛点问题 目前硅基太阳能电池占据着太阳能电池的主导地位，其中单晶硅电池转换效率已可以达到25%左右，但它们需要比较多的单晶硅材料，生产成本高。而对于多晶硅，由于缺陷较多，转换效率比较低。III-V族材料转换效率高，但是材料和生产成本居高不下，难以推广使用。虽然可以利用纳米柱阵列来提高光吸收能力及减少材料成本，但是由于纳米柱结构具有很大的表面积，载流子较大的表面复合严重影响着器件的性能，而且需要昂贵的设备生长径向异质结和控制掺杂浓度。 2. 解决方案 本项目提出一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的简单制备方法，目前已完成高效太阳能电池验证和原型器件的制备，另还有可见光探测器等在研。 本方法是在磷化铟纳米柱制备过程中，利用刻蚀气体中加入氢气，可以同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及氢气含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。在降低成本方面，纳米柱结构相比于平面结构具有更好的陷光效应，只需使用少量的材料便可以实现高效光吸收。 合作需求 本项目下一步发展需求主要集中在与太阳能电池相关企业的技术和产品合作，优化和固定产品制作工艺流程，降低生产成本。其次是资本投资、政府政策等方面的扶持。需要的外部资源主要是产业的工程化和市场资源。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本产品可将多联式空调连接至智能家居系统，以实现智能化监控与控制。

西安电子科技大学机电工程学院多智能体研究中心郑元世教授团队通过引入了智能体及邻居的历史状态，提出了一种基于记忆信息的一致性协议并建立了该协议下显式的一致域。

本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置，所述黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置设有等离子发射器、等离子体发生器、传送带装置、鼓风机及控制面板。本实用新型提供了一种黄曲霉毒素的流态化连续式等离子体降解装置，主要用于粮食表面的黄曲霉毒素的降解，物料在处理过程中处于流态化，保证每颗粮食都能接触到高能粒子和活性自由基，因此可以快速连续化地降解每粒粮食表面的黄曲霉毒素。该装置降解过程低温、无溶剂残留，无环境污染，且能保护粮食中的营养成分不被破坏。

本发明公开了一种针对粗粒组或大尺度单元体试样的毛细水上升试验仪，包括基槽，补水罐，过滤箱，抽真空装置，试样筒和试样筒固定组件；试样筒通过试样筒固定组件固定在基槽内，基槽的一端通过进水管连接补水罐，基槽的另一端通过出水管连接过滤箱，抽真空装置设置在试样筒的顶部；本发明基于单元体试样截面尺寸与粗颗粒公称上限粒径相容机制，研制了一种毛细水上升试验仪，适用于

研究表明，陈绝缘体可以通过磁性掺杂的拓扑绝缘体薄膜获得，但是这种方法产生稳定的长程铁磁序比较困难，而且产生的体能隙也比较小，导致可观测温度极低（30-100 mK）。刘奇航课题组及其合作者通过研究本征的层状磁性拓扑材料Mn-Bi-Te家族（MnBi