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低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学
2021-04-14
高效有机磷光发光材料及OLED器件
高效有机磷光发光材料及OLED器件，2012年12月获四川省科技进步三等奖，技术指标达到国际先进水平；申请发明专利12项（5项授权）。项目中所制备的铱配合物磷光电致发光材料在四川虹视显示技术有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率为96×64；1.8英寸、分辨率为128×64；2.2英寸、分辨率为160×128）样品中使用，该项目研究成果，填补了我国在新型平板显示器件---高效有机磷光电致发光材料及OLED器件方面的材料制备和器件化工艺的空白。
电子科技大学
2021-04-14
坚持“三全育人”工作大格局 助推创新创业教育高质量发展——宣城校区“六位一体”创新创业教育实践体系探索
为深入推进创新创业教育工作，宣城校区构建了“文化引领—意识培训—竞赛锤炼—孵化培育—资金扶持—导师护航”六位一体创新创业教育实践体系，将双创教育贯穿于人才培养全过程，实现“三全育人”工作格局，助推双创教育高质量发展。
合肥工业大学
2022-07-27
芯片热设计自动化系统
TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学
2025-05-16
一种检测TNF-α的光电免疫传感器及其制备方法和应用
本发明公开了一种检测TNF?α的光电免疫传感器及其制备方法和应用，光基底电极表面依次经GO?PTC?NH2溶液、anti?TNF?α溶液修饰，所述基底电极为玻碳电极或氧化铟锡半导体电极。本发明利用GO?PTC?NH2纳米复合物制备光电免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法，与传统的酶联免疫吸附以及PCR等方法相比具有操作简便、技术要求低、反应迅速的特点，所使用的光电探针摒弃了传统金属材料等的光腐蚀等弊端，稳定性较好且负载量大，功能化基团多，便于修饰。
东南大学
2021-04-11
一种两性分子改性的钙钛矿光电功能材料及其应用
本发明公开了一种有机两性分子改性的 MzAyBXz+y+2 钙钛矿 基光电功能材料，其特征在于，该功能材料是以 ABX3 钙钛矿材料为 基 体 ， 以 有 机 两 性 分 子 M 为 改 性 成 分 ， 其 化 学 通 式 表 示 为 MzAyBXz+y+2。本发明还公开了所述光电功能材料的制备方法及其应 用。本发明所用的基体材料与改性材料成本低廉，原料丰富；此外， 制备方法可采用全溶液法，制备工艺简单，无需昂贵的设备仪器，同
华中科技大学
2021-04-14
一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法
本发明公开了一种基于二氧化锡纳米颗粒的光电逻辑门及其制备方法，该光电逻辑门包括相互配合使用的第一正光电导器件和第一负光电导器件，用于接收第一光信号；第一正光电导器件采用二氧化锡纳米颗粒；第一负光电导器件采用二氧化锡/碳纳米管复合材料；第一正光电导器件和第一负光电导器件均具有供能电极和输出电极；第一正光电导器件的输出电极与第一负光电导器件的输出电极相连，作为输出逻辑运算结果的端口用于输出逻辑运算结果，该逻辑运算结果受第一光信号影响。本发明利用二氧化锡/碳纳米管复合材料的负光电导效应，提高了负光电导器件
华中科技大学
2021-04-14
一种氧化锌纳米线阵列紫外光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm 紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短长光电器件领域有广泛的运用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种氧化锌纳米纤维同质p-n结器件及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌纳米纤维同质P-N结器件及其制备方法，属于纳米材料和半导体器件领域。采用静电纺丝技术进行二次纺丝，形成交叉结构纳米纤维P-N结氧化锌半导体，制备方法简单，成本较低，适宜批量生产，由此方法制得的含有交叉结构纳米纤维P-N结的氧化锌纳米纤维同质P-N结器件具有结构稳定、性能稳定可靠、实用性强的优点。
青岛大学
2021-04-13
一种芯壳型纳米线三维 NAND 闪存器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件，该存 储器件由芯壳型纳米线作为 NAND 串组成，所述 NAND 串垂直于衬 底。利用芯壳型纳米线作为 NAND 串制作存储器件，不仅使器件的结 构更加简单，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简 化了制备过程，对降低制造成本有积极作用
华中科技大学
2021-04-14