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基于激光诱导击穿光谱对水体元素定量分析的制样方法
本发明公开了一种基于激光诱导击穿光谱对水体元素定量分析的制样方法，包括步骤 S1 获取不含待测元素的金属衬底，并将其表面抛光，使得金属衬底的上、下表面平行；S2 对滤纸进行裁剪，使得裁剪后的滤纸面积小于金属衬底的表面面积；S3 将裁剪后的滤纸放置在抛光后的金属衬底表面上，并将待测液滴滴至金属衬底表面的滤纸上，·829·再对其进行加热处理；S4 待加热处理结束后，将滤纸去除，在金属衬底表面获得分布均匀、扩
华中科技大学
2021-04-14
一种观测几何自动调整的水体表观光谱观测装置与方法
本发明公开了一种观测几何自动调整的水体表观光谱观测装置与方法，主要包括中央控制单元、旋 转驱动单元、方位跟踪单元、旋转台和底座；中央控制单元提供与外部通讯的接口，与旋转驱动和方位 跟踪单元电气连接；旋转驱动单元包括电机驱动板、步进电机、蜗轮传动装置；旋转台包括转动盘、支 撑转轴和仪器挂载杆；方位跟踪单元为一姿态传感器；底座具有由顶盖和底座壳体装配构成的中空结构， 中空结构内设有内部安装架，用于安装中央控制单元和旋转驱动单元。本发明的观测几何自动
武汉大学
2021-04-14
一种基于鲁棒低秩张量的高光谱图像去噪方法
本发明提出了一种基于鲁棒低秩张量的高光谱图像去噪方法，包括建立高光谱图像噪声的数学模型， 构造高光谱图像鲁棒低秩张量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪优化模型。本发明充分利用高光 谱图像（HSI）的先验知识，高光谱图像被不同的噪声污染，如高斯噪声、脉冲噪声、死像素和条带噪 声等。利用干净的高光谱图像数据具有潜在的低秩张量特性以及异常和非高斯噪声具有稀疏性的特性， 同时分别采用核范数和 l2,1 范数来表征低秩和稀疏特性；本发明的技术
武汉大学
2021-04-14
一种基于频域消偏结构的光谱偏振无关测量的装置与方法
本发明公开了一种基于频域消偏结构的光谱偏振无关测量的装 置与方法，该装置包括泵浦光源模块、消偏模块、SBS 效应发生模块 以及数据采集与光谱重构模块。本发明提出的方法包括：泵浦光源模 块发出偏振态固定的激光；泵浦光源模块输出端的激光通过消偏模块 成为消偏光；将此消偏光作为泵浦光输入到 SBS 效应发生模块与外界 输入到 SBS 效应发生模块的待测信号光发生相互作用；待测信号光经 过 SBS 效应发生模块放大后由数据采
华中科技大学
2021-04-14
一种输出无色的宽光谱全光波长转换的方法及装置
本发明公开了一种宽光谱全光波长转换的方法及装置，该方法 对转换波导的输出端的目标光波长λi 进行实时检测，λi 发生改变时， 根据固定的信号光波长λs0，计算此时泵浦源的波长λp 并相应调整， 然后将信号光和泵浦光依次通过耦合器、放大器、偏振控制器和具有 平坦且低色散的转换波导。装置包括泵浦源、信号源、耦合器、放大 器、偏振控制器和转换波导，泵浦源和信号源的输出端分别与耦合器 输入端信号连接，耦合器的输出端依次通过放
华中科技大学
2021-04-14
一种输入无色的宽光谱全光波长转换的方法及装置
一种输入无色的宽光谱全光波长转换的方法及装置，该方法对 信号源发出的信号光波长进行实时检测，发生变化时，根据需要转换 的闲频光波长，计算泵浦光波长，并由泵浦源调整其波长，然后将信 号光和泵浦光依次通过耦合器、放大器、偏振控制器和转换波导，转 换波导具有平坦且低色散，在泵浦光波长随信号光发生变化时，都能 够满足相位匹配条件，发生四波混频效应，实现波长转换，使得闲频 光波长保持不变。装置包括由泵浦源、信号源、波长计和运算
华中科技大学
2021-04-14
一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉及用途
本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉，该发明首先将配好的原料进行感应熔炼，制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；将制得的速凝片进行氢破碎，脱氢后得到粗破碎磁粉；然后在惰性气体保护气氛下，进行气流磨，得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉；然后将磁粉放入管式炉中，通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气，即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果，具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。
浙江大学
2021-04-13
负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学
2021-01-12
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11
甲基硅氧烷大气转化导致低挥发性物种及高产率甲醛的形成
该研究发现一种新的过氧自由基自氧化机制，阐明甲基硅氧烷大气转化会生成甲醛，增加其释放的环境风险。该研究不仅拓展了对大气过氧自由基化学的理解，还为甲基硅氧烷环境行为模拟和风险评估提供了重要的基础数据。
大连理工大学
2021-01-12