高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜
本发明提供一种基于金属微纳结构天线阵列的反射式离轴透镜,包括衬底层、反射层、光学薄膜匹 配层和金属微纳结构天线层。每一个金属微纳结构天线的朝向均不同,通过特定排布,可实现将平行入 射的激光反射汇聚在与入射光束同侧的任意方向上,可应用于激光离轴光学系统中。由金属微纳结构天 线阵列构造的反射式离轴透镜,不仅可连续调制入射光的位相,且仅需简单的一次光刻工艺步骤即可制 造完成,因此具有设计灵活、加工简单、结构紧凑等突出优点。
武汉大学 2021-04-13
高可靠忆阻器件及其视听觉传感应用
        技术成熟度:技术突破         传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成,不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本,忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。         研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题,是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理,进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会,促进了其在未来神经形态传感领域的应用。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
29007轴轮支架
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
惯性导航关键件磨削工艺优化与过程监测技术
以惯性导航挠性接头高质量加工为目标,开展磨削机理、工艺优化和加工过程监测方法研究,突破目前挠性接头微细特征磨削加工工序中对复杂微观结构认知的障碍,在磨削力、热载荷作用下充分认知磨削过程中影响表面完整性的重要因素。明确磨削表面完整性关键工艺优化目标,探究各个工艺参数间耦合关系,形成面向表面粗糙度、残余应力和磨削烧伤等表面完整性目标要求的工艺优化准则。研究面向惯性导航关键件磨削加工物理信号与表面完整性关联的磨削特征辨识方法,获取磨削加工质量监测和控制的深层知识,探索基于最优磨削特征融合的质量监测和多目标控制途径,实现惯性导航关键件磨削加工表面完整性的动态、准确和有效的监测。 相关技术指标: (1)加工后挠性接头表面粗糙度达到Ra 0.8 (2)加工后挠性接头近无表面残余应力 (3)挠性接头加工过程中实现砂轮磨损及表面完整性监控 技术创新点: (1)提出了基于磨削过程中物理信号与表面质量高关联度的磨削特征辨识方法 (2)揭示了挠性接头磨削加工工艺参数与力热载荷对于磨削表面质量的影响规律,并提出了高表面完整性加工的工艺准则 (3)提出了基于高关联度磨削特征融合的砂轮磨损及表面质量监控方法
上海理工大学 2023-08-08
GMU540 IMU惯性测量单元 飞机吊舱姿态调整 倾斜模块 惯导模块 姿态动态监测
技术亮点 ❖ 测量载体的三轴角速率、三轴加速度以及姿态角; ❖ 冲击:100g@11ms、三轴向(半正弦波); ❖ 振动:10~2000Hz,10g; ❖ 供电电压:DC5.0V±0.5V; ❖ 工作温度:-40~85℃。 产品介绍 GMU540惯性导航单元由三轴陀螺仪、三轴加速度计、温度传感器及高精度信号处理电路构成,可实时测量载体的三轴角速度、三轴线性加速度及姿态角(横滚、俯仰、航向),并通过RS422/RS485接口按标准通信协议输出经过全温域补偿(含温度漂移校正、安装偏差校准及非线性误差修正)的高精度惯性数据。 该产品采用差分陀螺架构,有效抑制线性加速度干扰与机械振动,并集成宽温域补偿算法,确保在工业级严苛环境下仍具备卓越的稳定性和可靠性 应用范围 本产品广泛应用于航空航天测控、精准农业自动化、智能交通、工业自动化、系统控制等领域,为各领域提供专业的导航与测控解决方案;核心应用场景如下: ❖ 飞机吊舱                ❖ 工业机器人精确控制               ❖ 医疗机械设备测控   性能参数 GMU540 条件 参数 测量范围 - 横滚±180°,俯仰±90°,方位±180°   测量轴   - X 轴 / Y轴 / Z轴 横滚俯仰分辨率1) - 0.01° 横滚俯仰静态精度2) @25℃ ±0.05° 横滚俯仰动态精度(rms) @25℃ ±0.1° 陀螺仪 陀螺仪量程 - ±300°/s 零偏不稳定性(allan) - 4.5°/h 角度随机游走系数(allan) - 0.25°/sqrt(h) 加速度 加速度量程 - ±4g / ±16g 可设 零偏稳定性(10s均值) - 0.02mg 零偏不稳定性(allan) - 0.005mg 速度随机游走系数(allan) - 0.005m/s/sqrt(h) 零点温度系数3) -40~85℃ ±0.002°/K 灵敏度温度系数4) -40~85℃ ≤100ppm/℃ 上电启动时间 ≤2.0S 响应时间 0.01S 输出信号 RS485/RS422 可选 工作电压及电流 5VDC(50mA) 电磁兼容性 依照EN61000和GBT17626 平均无故障工作时间 ≥99000小时/次 绝缘电阻 ≥100兆欧 抗冲击 100g@11ms、三轴向(半正弦波) 抗振动 10grms、10~1000Hz 电缆线 10cm端子线g 重量 ≤10g(含标配端子线) 注意:横滚,航向为±180°, 俯仰为±90°。
深圳瑞惯科技有限公司 2025-10-28
有机薄膜电致发光器件
自1987年美国柯达公司的邓青云C.W.Tang等人报导了有机电致发光以来,在全世界范围兴起了一场有机薄膜发光二极管研究热潮。有机薄膜发光二极管具有主动发光、响应快、全固体化、容易实现彩色化和驱动电压低等独特的优越性,是很有潜力的平板显示器,它将取代现在统治市场的液晶显示器。然而高亮度、长寿命和高效率的有机电致发光器件是人们一直梦寐以求的。 有机电致发光器件虽然发展非常迅速,发展规模也是空前的。但是为了得到高亮度、高效率和长寿命的有机电致发光器件,人们对有机电致发光中的一些问题并没有很好的解决,如由于目前空穴和电子传输层材料和制备工艺的限制,用普通有机电致发光器件的结构:ITO/空穴传输层/有机发光层/背电极,有如下一些问题:发光层与电极之间的互扩散,没有足够高的空穴和电子迁移率,以及注入的空穴与电子不够平衡等。这些问题限制了有机电致发光器的进一步改善,成为有机电致发光器件发展的重要瓶颈,无法制备性能优异的有机发光器件。 技术特点: 对有机薄膜电致发光器件的结构和电子传输层材料进行改进,从而有效提高有机薄膜电致发光器件的亮度、效率和寿命。 技术特点:是在透明电极上,依次制备空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子电势补偿层和背电极所组成薄膜结构有机电致发光器件,其特征在于:在有机发光层与电子电势补偿层之间加入电子传输层,电子传输层采用宽禁带无机材料。 该器件在有机发光层与电子电势补偿层之间加入无机电子传输层这种结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的扩散,注入的空穴与电子的不够平衡等,使有机电致发光器件的发光亮度,效率和奉命得到提高。
北京交通大学 2021-04-13
纳米结构光电器件
中试阶段/n该项目是采用纳米级别的加工制造技术制作具备纳米级尺度并且带有一定功能的光电子器件。纳米光电子器件的工作效率更快,能耗更低,具备强大的信息储存量,且体积和重量明显的变小。随着光电器件在通信、照明、传感器等领域上的运用,纳米光电器件的制备技术已经受到越来越重要的关注。该项目实现了一种低成本、大面积、易操作、高效的纳米结构制备工艺方法,可实现在各种材料表面纳米结构(50-500nm 直径纳米孔、纳
华中科技大学 2021-01-12
分立器件视觉检测系统
根据工业现场的实际特点,搭建了机器视觉的检测系统。采用优化的图像预处理、图像 分割、边缘信息提取及相关参数整定检测方案,对分立器件管脚几何参数进行判断,检测结 果达到企业的应用标准。采用标签图像预处理、分割、特征提取技术与 BP 神经网络特征识 别技术相结合,成功的解决了标签检测问题。该系统经工业现场应用,被证明可以达到企业 对于分立器件管脚几何形状的检测要求,得到了企业的肯定。
南京工程学院 2021-04-13
小型化原子器件
成果创新点 主要技术创新路径(如涉及技术秘密,可简略描述): 利用多反射腔将原子磁力仪小型化的同时将检测灵敏 度提高一个量级,最终好于 50 fT/Hz1/2。引入微纳加工手 段,将产品标准化,从而可进行批量化生产。可进一步应 用于原子陀螺。 技术成熟度 关键技术研发阶段 市场前景 1.与医院合作用于生物磁场测量和可移动式磁成像; 2.共磁力仪用于惯性测量。
中国科学技术大学 2021-04-14
小型化原子器件
主要技术创新路径(如涉及技术秘密,可简略描述): 利用多反射腔将原子磁力仪小型化的同时将检测灵敏度提高一个量级,最终好于 50 fT/Hz1/2。引入微纳加工手段,将产品标准化,从而可进行批量化生产。
中国科学技术大学 2023-05-16
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 112 113 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1