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基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的图像识别系统及方法
本发明公开了一种基于忆阻器的图像识别系统及方法。所述系 统包括图像信号提取模块、多个基于忆阻器的神经网络模块和识别模 块；所述识别模块其输入端与多个神经网络模块的输出端相连；每个 神经网络模块的输出端与识别模块的输入端相连，其输入端与信号提 取模块的输出端相连。所述方法包括以下步骤：（1）获取待识别灰度 图像的特征向量并输入各神经网络模型；（2）各神经网络模型根据其 图像模型对所述特征向量分别进行打分并进行识别；（3
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方法
本发明公开了一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方 法，来模拟生物大脑的多状态(认知、熟悉、陌生)认知能力。通过分别 调节第二输入端与第一输入端信号脉冲的匹配数目和第二输入端信号 脉冲幅值来实现多层次脉冲识别。第一输入端输入信号代表已存储在 生物大脑中的样本信号，第二输入端输入信号代表生物大脑接收到外 界环境的刺激信号，这种识别方法的原理是通过控制大脑存储的样本 信号和外界环境的刺激信号相互匹配，来调控大脑对于外
华中科技大学
2021-04-14
一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器的通用编程模块及其操作方法， 可编程模块包括阻变元件、电阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏极和第一 P 型 MOS 管的漏极均连接至阻变元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源极和第一 P 型 MOS 管的源极连接后与电阻 R1 的一端 连接，第一 N 型 MOS 管的栅极与第一 P 型 MOS
华中科技大学
2021-04-14
基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路及其读出方法
本发明公开了一种基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路。所述读出电路包括：行多路选择器、列多路选择器、扫描控制器、负恒流源、电压采样装置以及第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器；所述负恒流源的输出端连接第一运算放大器的反相输入端，第一运算放大器的同相输入端与第二运算放大器的同相输入端连接后接地，第二运算放大器的反相输入端与第二运算放大器的输出端连接，第三运算放大器的反相输入端与第三运算放大器的输出端连接；电压采样装置用于对第三运算放大器的输出端电压、第一运算放大器的输出端电压进行检测。本发
东南大学
2021-04-14
一种车用周期性阻尼结构及其减振降噪方法
研发阶段/n本发明提供了一种车用周期性阻尼结构及其减振降噪方法，其结构是将多个阻尼片按一定相对间隔周期性粘贴于基板上，其减振降噪方法即周期性阻尼结构粘贴方法，需确定的参数包括阻尼片粘贴位置和阻尼片自身结构尺寸：阻尼片的长度、宽度、厚度和形状特点以及阻尼片间相对位置。阻尼片长度不超出所需减振部位尺寸，阻尼片宽度为１ｃｍ～１０ｃｍ，厚度为基板厚度的２～１０倍，阻尼片间相对间隔中心距为１０ｃｍ～５０ｃｍ，阻尼片个数≥三个周期。本发明依据声子晶体带隙机理，对车用阻尼材料的粘贴方法进行了创新，达到了更好的车辆
湖北工业大学
2021-01-12
一种基于忆阻的非易失性 D 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失 D 触发器电路；包括忆阻器 ME、定值电阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建 D 触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学
2021-04-14
东北师范大学在忆阻材料与器件领域取得重要进展
忆阻器具有运行功耗低、读写速度快、集成密度高等优势，在信息存储、逻辑运算、类脑计算等领域有重要应用，被视为推进信息技术发展的一种变革性技术。
东北师范大学
2022-06-08
一种低阻高通量耐污型水处理膜及其制备方法
项目简介 本成果处提供一种低阻高通量耐污型水处理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超滤膜为 模板，以 FeCl2为还原剂，在基膜孔道内原位化学沉积生成 Fe3O4纳米粒子，以获得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超滤膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、寿命长等优 点。 产品性能、指标 （1）阻力小，使用 TiO2 与膜材料共混增强膜的亲水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江苏大学
2021-04-14