简单介绍： 五孔注意力测试系统基于视觉上的辨别力，通过运行5-CSRTT任务(5-choice serial reaction time task)， 测试动物的注意力、冲动性(impulsivity)等一系列行为学指标，主要用于注意力缺失/多动综合症(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年痴呆、精神分裂症等精神**研究。 详情介绍： 图1：设备箱体俯视图 图2：硬件布局 图3：软件界面     图4：四鼠同时训练图 图5：实验流程图   训练开始时，前面板的五个探鼻孔指示灯之一随机亮起，大/小鼠如果探鼻进入该孔，那么返回奖励孔可以获得食物或水作为奖励。初始参数设置一般为：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**训练一个session，一个session包括100个trials。   参数说明： Trial：可以理解为大/小鼠一次操作，正确操作包括探鼻进入前面板探鼻孔直至*后获取奖励结束。如果做错，trial提前终止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示灯亮的时间。 Limited Hold (LH)：从探鼻孔指示灯亮到大/小鼠探鼻进入所花费的*长时间不能超过LH，否则操作错误。 Intertrial Interval (ITI)：连续两次trial之间的时间间隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作错误时的惩罚时间。在这段时间内所有灯熄灭。 随着训练次数的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做对30次trials，可以逐渐降低SD以及增加ITI，直至达到我们的训练要求。       分析指标： Correct：正确反应次数 Incorrect：错误反应次数 Premature：过早反应次数 Omission：错失次数 Latency to Stimulus：探洞潜伏期 Latency to reward：获得奖赏潜伏期

产品介绍 GZ100-3A是我公司自主研制开发的具有智能控制功能的蠕动泵灌装系统&控制器。灌装系统由4组基本驱动单元组成，可扩展至32通道；可安装YZ系列和DMD15泵头，为客户提供多种选择。控制器采用7寸工业触控屏，为客户清晰显示操作内容 功能特点 ◇ 任意控制执行单元各通道的启/停、左/右转。 ◇ 可控制单通道或多通道同时进行排空和回收。 ◇ 可设定回吸角度及回吸时间，所有通道同时进行回吸。 ◇ 提供密码功能：保护用户设定好的系统参数，防止误操作。 ◇ 提供灌装方案保存及调用功能。 ◇ 提供4种校准功能：比例调整、体积校准、称重校准和和多次称重校准。 ◇ 提供在线调整功能，方便用户在线调整液量输出。 ◇ 提供超强的智能功能：系统推荐不同灌装方案供客户选择，以实现高精度液体灌装。 ◇ 7寸触控屏方便操作，菜单式界面清晰、友好。 ◇ 对外通讯接口采用RS485总线，波特率可设，奇偶校验可设，通讯规约采用Modbus标准协议制定。 适用场所 自动化灌装机械上配套使用 技术参数 ◇ 灌装液量范围：0.1ml~9999. 99ml(显示调节分辨率：0.01ml ) ◇ 灌装时间范围：0.5s~6000s(显示调节分辨率：0.01s) ◇ 灌装间隔时间：0.5s~999 .9s ◇ 灌装次数：0~999999次(0为无限循环) ◇ 灌装液量校正：各通道独立进行在线比例调整、体积校准、多次称重校准 ◇ 通道使能功能：可任意设置各通道的使能或禁止 ◇ 密码保护功能：通过密码保护用户设置好的系统参数，防止误操作 ◇ 灌装系统外形尺寸(长×宽×高)：663× 218× 177mm ◇ 控制器外形尺寸(长×宽×高)：228×60×166mm ◇ 适用电源：AC9O-260V 50/60Hz ◇ 单组四通道灌装系统重量：12.1kg ◇ 控制器重量：1.7kg ◇ 外壳防护：IP31 泵头型号 灌装液量(ml) 适配软管 灌装时间(s) 精度误差 分配头内径(mm) 参考产品(pcs/min) YZ15-1A 0.3-0.5 13# 1-1.2 ≤±2% ≤0.5 27-30 1.0-2.3 14# ≤1.0 2.6-5.1 19# ≤1.5 4.6-9.1 16# ≤2.0 10-19 25# ≤3.0 15-30 17# ≤3.0 YZ25-1A 8-17 15# ≤3.0 12-24 24# ≤3.0 DMD15-1ADMD15-2A 0.1-0.9 2×13# ≤0.5 0.2-2.3 2×14# ≤1.0 0.5-5.9 2×19# ≤2.0 2.0-1.0 2×16# ≤3.0  

产品详细介绍【仪器功能与特点】 ·适用于测量各种不同截面、不同介质的各种电力电缆、高频同轴电缆，市话电缆及两根以上均匀铺设的地埋电线电缆的高低阻、短路、开路、断路以及高阻泄漏和高阻闪络性故障。 ·在低压脉冲状态下，可自动完成故障距离的计算。 ·可测35KV以下等级所有电缆的高、低阻故障，适应面很广。 ·采用了国际先进的“多脉冲法”测试技术，同时还具有传统的冲击高压闪络法和低压脉冲法。 ·多次脉冲模式时，任何高阻故障均呈现最简单的类似于低压脉冲短路故障特征的波形，极易判读。 ·具有方便的全中文菜单以及清晰屏幕触摸键操作。 ·检测故障成功率、测试精度及测试方便程度优于国内其他检测设备。 ·超大液晶屏作为显示终端，仪器具有强大的数据处理能力和友好的显示界面。 ·具有极安全的采样高压保护措施。测试仪器在冲击高压环境中不会死机和损坏。 ·具有屏幕拷贝功能，用于波形打印。 ·按键定义简单明了，操作简单，可靠性高，测量方法简单快速。 ·内置电源，可在无电源环境测试电缆的开路及低阻短路故障。 ·具有USB接口，可用移动硬盘进行数据拷贝。 ·具有通用的网络接口，可直接通过网络进行数据远程传输。 【主要性能指标】 ·测试方法：多脉冲法；冲击高压电流取样法；低压脉冲法. ·冲击高压：低于35KV ·数据采样速率: 120MHz、90MHz、60MHz、30MHz ·测试距离：＞15Km ·读数分辨率：＜0.5m ·系统测试精度小于50cm ·测试脉冲幅度：约380VP-P ·多脉冲发送及故障反射信号的自动显示，使得故障特征波形的表示极为简单。所有的高阻故障波形仅有一种，即类似低压脉冲法的短路故障波形。 ·具有测试波形储存功能：能将现场测试到的波形按规定顺序方便地储存于仪器内，供随时调用观察。可以储存大量的现场测试波形。 ·能将仪器在不同的工作状态下测得的故障电缆波形同时显示在屏幕 上进行同屏对比和叠加对比。使得故障距离的判断更加准确。 ·内置电源：充满电后可连续工作6小时，亦可外接交流电源工作。 ·工作条件: 温度-10℃～+45℃，相对湿度 90%，大气压力750±30mmHg。

：铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料，主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料，作为电感器 和电抗器的磁芯，用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换，其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波

本发明公开了一种以 PEO-LDPE 合金为基体的含铜节育材料即 Cu/PEO-LDPE 复合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基体及分布 其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 体 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 为 Cu/PEO-LDPE 复合材料总重量的 0.5～30％(优选值 5～15％)。相较于 Cu/LDPE 节育材料，

本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置， 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元，其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切，模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元，模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定，废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明，各个模块单元之间相互联系，共同协作，实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程，同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳

通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。

上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）

该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。