产品介绍 GZ100-3A是我公司自主研制开发的具有智能控制功能的蠕动泵灌装系统&控制器。灌装系统由4组基本驱动单元组成，可扩展至32通道；可安装YZ系列和DMD15泵头，为客户提供多种选择。控制器采用7寸工业触控屏，为客户清晰显示操作内容 功能特点 ◇ 任意控制执行单元各通道的启/停、左/右转。 ◇ 可控制单通道或多通道同时进行排空和回收。 ◇ 可设定回吸角度及回吸时间，所有通道同时进行回吸。 ◇ 提供密码功能：保护用户设定好的系统参数，防止误操作。 ◇ 提供灌装方案保存及调用功能。 ◇ 提供4种校准功能：比例调整、体积校准、称重校准和和多次称重校准。 ◇ 提供在线调整功能，方便用户在线调整液量输出。 ◇ 提供超强的智能功能：系统推荐不同灌装方案供客户选择，以实现高精度液体灌装。 ◇ 7寸触控屏方便操作，菜单式界面清晰、友好。 ◇ 对外通讯接口采用RS485总线，波特率可设，奇偶校验可设，通讯规约采用Modbus标准协议制定。 适用场所 自动化灌装机械上配套使用 技术参数 ◇ 灌装液量范围：0.1ml~9999. 99ml(显示调节分辨率：0.01ml ) ◇ 灌装时间范围：0.5s~6000s(显示调节分辨率：0.01s) ◇ 灌装间隔时间：0.5s~999 .9s ◇ 灌装次数：0~999999次(0为无限循环) ◇ 灌装液量校正：各通道独立进行在线比例调整、体积校准、多次称重校准 ◇ 通道使能功能：可任意设置各通道的使能或禁止 ◇ 密码保护功能：通过密码保护用户设置好的系统参数，防止误操作 ◇ 灌装系统外形尺寸(长×宽×高)：663× 218× 177mm ◇ 控制器外形尺寸(长×宽×高)：228×60×166mm ◇ 适用电源：AC9O-260V 50/60Hz ◇ 单组四通道灌装系统重量：12.1kg ◇ 控制器重量：1.7kg ◇ 外壳防护：IP31 泵头型号 灌装液量(ml) 适配软管 灌装时间(s) 精度误差 分配头内径(mm) 参考产品(pcs/min) YZ15-1A 0.3-0.5 13# 1-1.2 ≤±2% ≤0.5 27-30 1.0-2.3 14# ≤1.0 2.6-5.1 19# ≤1.5 4.6-9.1 16# ≤2.0 10-19 25# ≤3.0 15-30 17# ≤3.0 YZ25-1A 8-17 15# ≤3.0 12-24 24# ≤3.0 DMD15-1ADMD15-2A 0.1-0.9 2×13# ≤0.5 0.2-2.3 2×14# ≤1.0 0.5-5.9 2×19# ≤2.0 2.0-1.0 2×16# ≤3.0  

NI PXI集成电路实验室验证测试平台可以灵活的完成各类集成电路器件和芯片的实验室验证工作，NI PXI平台在集成电路实验室验证测试应用中处于领导地位，平台部署在包括Intel、ADI、TI在内的诸多全球顶尖集成电路公司的测试实验室中完整各种实验室测试验证应用。

：铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料，主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料，作为电感器 和电抗器的磁芯，用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换，其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波

本发明公开了一种以 PEO-LDPE 合金为基体的含铜节育材料即 Cu/PEO-LDPE 复合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基体及分布 其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 体 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 为 Cu/PEO-LDPE 复合材料总重量的 0.5～30％(优选值 5～15％)。相较于 Cu/LDPE 节育材料，

本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置， 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元，其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切，模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元，模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定，废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明，各个模块单元之间相互联系，共同协作，实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程，同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳

通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。

上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）

该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。

成果介绍铁磁（FM）/非磁（NM）结构的双层膜中发现的自旋泵浦（spin pumping）效应是磁学和自旋电子学中的一个突破性发展，因此吸引了众多的研究兴趣。它和铁磁层自旋极化电流相关，同时又和非磁层的自旋轨道耦合有直接联系。本项目采用具有较高的自旋轨道耦合系数的稀土金属调制非磁层，运用铁磁共振和输运两种方法，并结合结构、磁性和同步辐射分析等手段，研究不同稀土掺杂对铁磁/非磁过渡-稀土合金（Py/NM-RE）复合纳米双层膜的结构和界面的影响，得到自旋泵浦强度、界面混合电导以及非磁层的自旋轨道耦合强度和自旋扩散长度的调控规律。从而探索该复合纳米双层膜中的界面自旋泵浦效应和非磁层自旋轨道耦合对自旋动力阻尼的影响机制。这些研究结果将有利于开发新型复合磁性材料和新型强自旋-轨道耦合的非磁材料，有利于集成多功能自旋器件。