本发明公开了一种降压型单电感双输出开关变换器的控制方法及控制装置。本发明的控制方法通过调整控制选通信号序列中的高电平时钟周期数和低电平时钟周期数,可高效实时地调整第一输出支路与第二输出支路的功率比,使两输出支路的输出功率分配更合理。本发明的降压型单电感双输出开关变换器实现对第一输出支路和第二输出支路的输出功率动态分配,使得在优先满足负载供电的前提下,依然能保证对电池充电,而这两部分的功率的总和能够控制在一个较稳定的范围内,相比现有技术,即使输入额定功率较小,也可满足第一输出支路负载的正常工作。

Technical parameters: (1) SRM Power rating: 3~10kW or Customizable Rotational speed: 0~6000rpm or Customizable Efficiency: > 90% (2) Controller Power: 3~10kW or Customizable Voltage: 36~96VDC or Customizable System efficiency: > 90% Speed range: 0~6000rpm or Customizable Starting torque: 4TN Locked-rotor torque: 6TN Working environment: -20℃~55℃ Communication mode: CAN bus Contact Information: Prof. Jun Cai, Novel Motor Drive and Control Research Team, C-MEIC, Nanjing University of Information Science and Technology Email: j.cai@nuist.edu.cn

本实用新型公开了一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置，通过限定电感电流峰值和谷值的大小，完成对变换器中主开关管和支路开关管的控制，实现各个输出支路的独立调节。与工作在连续导电模式的传统单电感双输出开关变换器相比，本实用新型具有稳定性好，可靠性高，抗干扰能力强，输入、负载瞬态响应速度快，输出支路间的交叉影响小等优点，可用于控制单电感双输出拓扑结构的多种变换器，诸如：Buck变换器、Boost变换器、Buck-boost变换器、Bipolar变换器等。

本实用新型涉及电子通信技术，具体涉及一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关，包括发射 端、接收端、天线端和电源；包括与所述电源连接的驱动电路、低通滤波器以及拓扑结构；所述驱动电 路利用二极管 PIN 为核心器件，采用 MOS 管驱动二极管 PIN；所述低通滤波器采用二阶 LC 低通滤波 器；所述拓扑结构是在发射端至天线端与天线端至接收端采用串并拓扑结构形成单刀双掷开关。该收发 开关满足单根天线实现收发切换的要求，插入损耗小且隔离度较高，结

本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获国家发明专利授权（ZL201320031915.X），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置，根据基准电压Vref和输出电压Vos经过误差补偿器后生成的控制电压Vc与输出电压Vos的关系，结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间，产生三段时间t1、t2和t3，每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器，其优点是：负载瞬态响应速度快，稳压精度高，稳定性好。

本实用新型公开了一种高压隔离开关触头触指在线盐雾试验装置。传统的盐雾试验方法无法考虑分离、结合动作对隔离开关触头触指接触性能的影响，试验得到的数据不准确。本实用新型的技术方案包括动力驱动系统、动力传动系统和盐雾试验箱，所述的盐雾试验箱包括箱体和罩在箱体外的箱盖，箱盖的两侧均开有一底部开口的通孔，该通孔处设有密封端盖，所述的密封端盖通过紧固件与箱盖密封连接；所述的密封端盖上设有用于与导电杆密封连接的塑料膜。本实用新型综合考虑了分离、结合动作和盐雾环境两者对隔离开关触头触指接触性能的影响，有效防止了箱体内的气体盐雾泄漏，试验得到的数据准确可靠。

本发明公开了一种基于九开关管逆变器的多功能分布式电源并网装置，当电网正常运行时，将NSI的一个输出端口经由并网变压器接入配电网，将微源产生的电能逆变成符合并网条件的交流电，并维持变流器直流母线电压稳定；将NSI的另一个输出端口通过并联形式接入电网，在电流环中加入谐波电流补偿值，用于改善电网电能质量。当电网故障时，利用NSI所提供的两个输出端口之间的协调配合，实现分布式电源的低电压穿越。相比于背靠背型的逆变器结构，本发明不仅可以节省三个开关管，降低系统成本，还可以同时对配电网电能质量问题进行补偿，实现

本发明公开了一种高速无位置传感器开关磁阻电机的控制方法及其系统，针对励磁相相电流的峰值时刻会与转子到达该励磁相定转子齿交叠点位置时刻之间存在偏移量的实际情况，对传统的相电流梯度法中将励磁相相电流峰值时刻直接作为该励磁相定转子齿交叠点位置时刻的方法加以修正，以得到该励磁相正确的定转子齿交叠点位置,从而更加准确地估算出开关磁阻电机励磁相的关断时刻和下一励磁相的开通时刻，实现更为精准地高速无位置传感器开关磁阻电机控制。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。