高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
25016光的干涉、衍射、偏振演示器
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
25011光的传播、反射、折射实验器
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
一种石墨烯快速剥离的方法
本发明提供了一种石墨烯快速剥离的方法;该方法包括 S1 利用化学气相沉积法在镍片上生长石墨烯;其中生长温度为 750℃~1000℃,生长时间为 10~30 分钟,生长时通入气体为甲烷 10~80sccm和氢气 5~10sccm 并保持生长气压为常压;S2 将所述附着有石墨烯的镍片浸泡在氯化铁溶液中,经过电化学腐蚀后获得剥离后的石墨烯。本发明可以在几十秒到几十分钟内把石墨烯无破损地从基底镍片上剥离下来。这为石墨烯的基础研究和应用提供一种快速的新途径。本发明操作简单,可以快速的把石墨烯转移到任何基片上;
华中科技大学 2021-04-14
光的三原色合成实验器
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
光的三原色合成实验器
可单独可合成
石家庄市艾迪科教设备有限公司 2021-08-23
一种具有安全顶针的芯片剥离装置
本发明公开了一种具有安全顶针的芯片剥离装置,可以用于FlipChip 等 IC 封装工艺中芯片与粘晶膜的剥离。粘晶膜置于该套筒一端端面上,待剥离的芯片粘接在所述粘晶膜上;顶针设置在套筒内,用于在驱动装置驱动下顶起芯片以与粘晶膜剥离;调节机构设置在套筒内,用于夹持顶针,并调整顶针有效受压长度,以调整其欧拉临界载荷;其中顶针为一种安全顶针,能保护半导体芯片不受损伤,其具有预设屈曲特性,即达到预设的额定顶起力时,该顶针发生屈曲,所述额定顶起力的值介于芯片剥离力和芯片损伤力之间。本发明的芯片剥离装置可以与传
华中科技大学 2021-01-12
EPT-90电熔拉伸剥离试样制样机
产品详细介绍EPT-90电熔拉伸剥离试样制样机关键词:拉伸剥离,电熔管,GB/T 19808一.用途:本机用于从整根电熔管材取样,采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条,切片尺寸可调、快速、表面光滑,满足氧化诱导实验要求,目前是各大管材厂家和特检所的必备设备。二.原理:从整根电熔管材上取样,采用双刀一次性切好我们想要的拉伸剥离样条的取样。把管子放到工加位上,通过手摇手柄调节夹紧电熔管子,调好位置,再调节双锯的高度,《但一次不能切太多,电机负载太大会烧电机》。按双刀开关起动后,再按前进开关,观察切的速度,会不会夹刀,如有夹刀调节双锯高度。切到位后升高双锯,按后退开关,等双锯回到原位,再重复前面的动做,直到完全切开我们想要的试样。在切下一个样品时按点动转圈开关,调节好电熔管件位置。三.依据标准:本机满足于GB/T 19808-2005《塑料管材和管件 公称外径大于或等于90mm的聚乙烯电熔组件的拉伸剥离试验》规定的电熔承插焊接接头拉伸剥离试样制备要求四.技术性能指标1、切割管径范围:不小于90mm~630mm。2、夹持管长范围:不小于300mm~1000mm。3、两平行切刀间距:不小于150mm~800mm,可调。5、切割试样宽度范围:不小于25mm~100mm,可调。6、切割试样宽度最大偏差:不超过0~5mm。7、试样规格:通过双切刀模式,试样一次切割形成,符合GB/T 19808-2005要求,两侧面相互平行且与圆弧中轴面对称。8、X轴行程:0mm~1000 mm。9、Z轴行程:0mm~1200 mm。10、切割宽度:任意可调。12、切割长度:任意可调。13、外观材质:由型材和A3板烤漆而成。14、由二个切割刀,多个传动系统组成,使用步电机、丝杆等。
北京圆通科技地学仪器研究所 2021-08-23
高功率密度光伏集成式优化器
开发了一款300W的可以与光伏板背板接线盒完全集成的光伏能量优化器,达到的效果:效率98%,可以追踪光伏最大功率,可以适用于多种负载(逆变器、孤岛负载、储能负载等)。技术特点及创新点(1)功率密度大,可以和现有光伏电池板完全集成(2)快速追踪光伏最大功率,无净差(3)自动判别不同负载,针对负载情况快速切换运行状态应用领域: 新能源   
扬州大学 2021-04-14
2D材料宽光谱光探测器
在这种独特的vdW p−g−n结中,互补带隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夹层、结内形成的垂直内置电场的组合为增强的宽带光吸收、高效的激子分离和载流子转移提供了无可比拟的优势。研究发现,石墨烯夹层在增强探测率和拓宽光谱范围方面起到关键作用(图2e)。优化的器件(包含5−7层石墨烯夹层)在紫外−可见−近红外光谱中显示出超过2600 A/W的光响应度(图2b)、快的光响应速度(图2c)、高达1013 Jones的比探测率 (图2d)。特别是在1550 nm短波红外激发下,其比探测率也高达1.06×1011 Jones,可媲美商业的短波红外探测器(譬如非​​制冷的Ge-on-Si光电探测器)。 这些研究结果为宽带的超高性能光电探测器提供了切实可行的思路,且本研究成果在目前宽光谱光电探测器件方面以及未来的柔性的光电子与智能传感器件方面具有极大的应用潜力。
南方科技大学 2021-04-13
变幻的色彩(光的彩色偏振实验器)
310mm×250mm×280mm,偏振片一对,不同部位用不同的层数,显示不同的彩色。
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 356 357 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1