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高性能氮化硼
纳米
材料
纳米氮化硼材料兼具氮化硼和纳米材料的双重优势,广泛应用于航空航天、高端电子散热材料、吸附剂、水净化、化妆品等领域。项目团队开发出一种能够实现形貌和尺寸均一且具有超大比表面积多孔氮化硼纳米纤维的规模化制备技术,目前市场尚未实现规模化生产。该技术合成工艺简单可控、成本低、过程绿色环保,处于国际领先地位。 1 产品的应用领域 图2 高性能氮化硼纳米纤维粉体 图3 氮化硼纳米纤维粉体微观形貌
吉林大学
2025-02-10
纳米
能源
材料
通过“二维限制效应(two-dimensional confinement, 2DC)”能够使无催化活性的非晶态材料转变成为高性能的光催化分解水制氢材料即二维非晶光催化剂。他们采用自己发展的“金属氧化物纳米晶LAL(laser ablation in liquids, LAL)非晶化”技术,在纯水中将Ni纳米晶转化为二维非晶NiO纳米片,并且证实了其在不添加任何贵金属助催化剂的情况下可以实现高效光
中山大学
2021-04-14
大尺寸宽禁带
半导体
氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出国内第一台用于氮化镓(GaN)衬底的卤化物气相外延(HVPE)系统,研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权,在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底,建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长;研究出创新性的GaN衬底批量制备技术,即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用,为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
深圳博升光电科技
半导体
垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业,致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷,工程生产团队来自台湾,市场运营团队来自美国及中国,在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
清华大学
2021-04-10
节能型智能化
半导体
照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”,项目将LED照明与光通信技术等结合起来,形成新的技术模式,开发了集照明与光通信为一体的LED系统,设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元,LED室内调光调色照明控制器,基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等,实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品,具有很高的技术含量和高附加值,具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点,在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出,获得显著的社会效益,对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术,在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作,并取得突出的成绩,申请了相关的国家级自然科学基金项目,并已获批。
天津职业技术师范大学
2021-04-10
一种无电极式
半导体
气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式
半导体
气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的
半导体
断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法, 包括以下步骤:以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底,在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区;在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极;采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护,由此完成半导体断路开 关的制备过程;本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14
一种即刻交联技术用于制备大孔三
维纳米
纤维支架
本发明提供一种利用即刻交联技术结合静电纺丝技术制备三维纳米支架的方法,本发明得到的支架 具有三维立体的结构,厚度为 0.05-10mm,结构蓬松,纤维间空隙为 0-30μm,孔隙大小可调,本发明操 作简便、所涉及的即刻交联的方法解决了机械和加工性能稍差的天然生物分子进行静电纺丝后再交联所 产生的纤维溶解、结构破坏的问题,可以获得结构稳定、三维立体、疏松多孔的纳米纤维支架,为组织
武汉大学
2021-04-14
半导体
照明稀土荧光粉关键共性技术研究及产业化
成果介绍代表国际领先技术的高新能半导体照明稀土荧光粉的研发与制备,可广泛应用于半导体照明行业之中。技术创新点及参数半导体照明稀土荧光粉行业两大核心技术:1、高显色白光LED用荧光粉关键技术2、氮化物红粉在发光效率和抗高温高湿性能提升技术市场前景1、制备了高性能铝酸盐荧光粉,目前全国销售第一。2、制备了氮化物荧光粉,销售也达到全国第一。
东南大学
2021-04-13
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