本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N⁺衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P⁺ 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两

北大科研团队在《科学》杂志发表的成果，标志着碳管电子学领域、以及碳基半导体工业化的共同难题被攻克。科研团队表示，如果碳基信息器件技术，可以充分利用碳管在物理、电子、化学和机械方面的特殊优势，就有希望生产出性能优、功耗低的芯片。课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液，并结合维度限制自排列法，在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.9999%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列，从而达到超大规模碳管集成电路的需求。基于这种材料，批量制备出场效应晶体管和环形振荡器电路，100nm栅长碳管晶体管的峰值跨导和饱和电流分别达到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室温下亚阈值摆幅为90mV/DEC。

成果介绍代表国际领先技术的高新能半导体照明稀土荧光粉的研发与制备，可广泛应用于半导体照明行业之中。技术创新点及参数半导体照明稀土荧光粉行业两大核心技术：1、高显色白光LED用荧光粉关键技术2、氮化物红粉在发光效率和抗高温高湿性能提升技术市场前景1、制备了高性能铝酸盐荧光粉，目前全国销售第一。2、制备了氮化物荧光粉，销售也达到全国第一。

本发明公开了一种成分连续渐变的半导体合金薄膜及其制备方法和应用，其中该薄膜的特征有：薄膜为三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 轴方向能够连续渐变，在 Y 轴方向和 Z 轴方向基本不变；该成分连续渐变的半导体合金薄膜作为良好的光吸收层被用于薄膜太阳能·831·电池阵列和光电探测器。其制备方法包括：(1)选取沉积衬底；(2)准备蒸发源；(3)制备半导体合金薄膜。本发明提出的方法能够在同一条件下沉积成分大范围连

本发明公开了一种基于二次谐波显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点 A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光方法，相对于传统透射电镜法，其

受体-受体型高分子半导体相对于给体-受体型高分子在实现n型器件性能上具有更优异的电子结构，但由于受体-受体型高分子半导体通常难以合成，因此高性能的n型高分子半导体通常具有交替的给体-受体主链结构。而给体单元的引入使得给体-受体型高分子同时呈现p型性能，因此这类聚合物难以实现单一n型性能而具有双极性性能。郭旭岗课题组通过对高对缺电子的双噻吩酰亚胺单体进行锡化，得到了单体BTI-Tin, 该单体具有很高的纯度、很小的空间位阻、很高的聚合活性。

该研究在微纳尺度下对单晶智能材料（二氧化钒）进行相畴结构的工程化有序调控，是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。

伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。

本项目属光、机、电、材一体化技术领域，具有多学科综合的特点。半导体激光器具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高、便于直接调制、省电等优点，因此应用领域日益扩大。半导体激光技术已成为一种具有巨大吸引力的新兴技术并在工业中得到了广泛的应用。高功率半导体泵浦激光器是半导体激光技术中最具发展潜力的领域之一。 半导体激光器最大的缺点是激光性能受温度影响大，光束的发散角较大。封装成本占半导体激光器组件成本的一半，封装技术不仅直接影响泵浦激光器组件的可靠性，而且直接关系到泵浦激光器芯片的性能能否充分发挥。本项目对非致冷高功率980nm泵浦激光器的封装技术进行了研究，整个封装技术涉及光学、电学、热学、机械等，精度达微米数量级。通过采用激光器芯片的倒装贴片技术，小型化、全金属化无胶封装技术，最终满足了光纤放大器对泵浦激光器小体积、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合则采用透镜光纤直接耦合，最大限度地减小耦合系统的元件数和相关损耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用双光纤光栅波长锁定技术，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的边模抑制比和波长稳定性。项目组通过采用这些技术，最终解决了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术。 经国家光学仪器质量监督检测中心测试，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技术指标如下：    1. 管壳尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作温度：0-70℃    3. 中心波长：980nm    4. 谱 宽：1nm    5. 阈值电流：24mA    6. 输出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本项目的研究成果，通过与相关企业开展产学研合作，经过近五年的技术研发和不断改进，非致冷高功率980nm泵浦激光器封装关键技术研究成果已成功应用于相关产品的批量生产，为企业创造了较好的经济效益。在社会效益方面，填补了我国非致冷高功率半导体泵浦激光器方面的不足，对行业技术进步和产业结构优化升级起到了积极的推动作用。 耦合封装是对精度要求非常高的一系列工艺过程，这注定它很难实现自动化技术。因此，小型化泵浦激光器封装技术的研究成果，特别适合在中国这样人力成本低且技术基础好的环境。通过对小型化980nm泵浦激光器封装技术的研究，实现了封装技术的源头性创新，有助于向其他半导体泵浦激光器和光电器件的耦合封装拓展。该技术在光电子器件的应用方面具有广阔的市场潜力和广泛的推广应用前景，将成为形成光电子器件封装技术产业的重要技术支撑。

一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 与传统人工焊接技术相比，激光焊接技术具备加工精度高、加工速度快、加工质量稳定等优点，被广泛应用于制造加工行业，随着激光加工技术以及焊接机器人系统的不断发展，激光焊接机器人技术也因此得到了发展。激光焊接技术搭配上智能工业机器人系统，可以代替人工焊接，实现焊接过程的自动化。蓝光半导体与光纤激光复合焊接机器人系统配合上数控设备能实现生产制造的全自动化，拥有着生产效率高、生产产品质量好以及可以在人不适合的工作环境下运行等优点，可以完美符合这一需求。蓝光半导体激光器产生的450nm蓝光在铜材料焊接上有不可比拟的优势，适用于铜等金属材料的高吸收率使得焊接热影响区减小，同时恰当功率的蓝光激光焊接时可以避免高功率光纤激光焊接时产生的飞溅影响，而这也是在汽车动力电池、航空航天和电气等高精细度要求的领域中蓝光半导体激光焊接最强有力的优势。