Nanolink S900纳米粒度仪采用经典90°动态光散射技术，粒径范围：0.3nm-15μm；配备新一代高速数字相关器，最小采样时间25ns，动态范围大于1011；拥有集成光纤技术的军品级高灵敏度APD 或 PMT 探测单元；配置532nm 50mW大功率固体激光器，能量输出自动调节；干燥气体吹扫技术实现冷凝控制，温控范围可满足0℃-90℃，精度±0.1℃。

产品介绍 微量元素分析仪是通过磁卡档案系统对被检测者的健康数据进行管理，参照完善的数据库，根据电化学法进行微量元素分析并提供膳食营养治疗改善指导方案。 产品优势 1、全自动智能一体化工作站，自动测量，自动清洗，自动加装稀释液 2、刷卡系统，可佩带刷卡器，能够识别身份证、普通IC卡、ID卡等多种磁卡，并可以对磁卡进行设置，实现磁卡计时、计次等分类管理 3、依据病人年龄、微量元素检测结果、医生自定义分类，智能Al全自动出具基于营养、运动、心理、睡眠、饮水的全方位膳食营养改善方案 4、检测原理:双通道检测，电化学法和全光谱扫描法测量微量元素含量 5、检测项目:锌、铁、钙、镁、锰、铅、镉、铜 6、检测标本:末梢血检测，节约时间，是基层医院的选择 7、多元素同测:采用复合试剂技术八元素同时检测,相互无干扰 8、样本用量:一滴血检测,其中铅镉铜20ul，锌铁钙镁锰20ul 9、测量系统:30孔位自动测量，可满足三十人八项同时检测 10、液位探测:试剂不足自动报警，废液满自动报警 11、检测时间:≤90s/样本 12、电极系统:三电极体系（旋转电极、铂电极、甘汞电极) 13、操作软件:自动编号、可根据病人信息自动查找 14、分析环境:占用空间小，无需乙炔等易燃易爆气体，无汞污染，无安全隐患 15、质量保证︰仪器和测量液执行严格的国际质量保证体系及远高于国家标准的企业标准

本产品通过机器视觉和深度学习技术对骨料的粒径及形貌进行动态分析，可输出级配曲线、针片状含量、圆度等参数;还可以结合配合比自适应系统调整配比，提高混凝土产品的稳定性。 混凝土的骨料级配情况直接影响甚至决定混凝土的力学强度，由于我国混凝土生产企业砂石等骨料来源不稳定，其粒径差异较大，因此精确掌握生产用料的颗粒级配曲线对于控制混凝土质量极为关键。而目前，混凝土生产企业分析粒径分布的手段以机械筛分为主，这种方法精度差、效率低。 机器视觉系统是通过机器视觉产品(即图像摄取装置，分CMOS和CCD两种)将被摄取目标转换成图像信号，传送给专用的图像处理系统，得到被摄目标的形态信息，根据像素分布和亮度、颜色等信息，转变成数字化信号;图像系统对这些信号进行各种运算来抽取目标的特征，进而根据判别的结果来控制现场的设备动作。 通过自主搭建的混凝土砂石集料特征的工业视觉检测软硬件平台，实现混凝土砂石集料粒径尺寸分布、形状、纹理等特征的检测。一方面，通过视觉分析算法分析的碎石特征包括：粒径、周长、粒形、投影面积等，为构建集料颗粒的最紧密堆积模型提供参数；另一方面，通过模拟砂石筛对碎石颗粒的筛分过程，绘制出砂石的级配曲线，计算出细度模数，并根据标准级配曲线和特定的质量要求及时调节颗粒的组成。考虑到针片状颗粒等特殊粒形占比对成品质量起重要作用，显著影响混凝土的质量，将检测集料中该类别颗粒的数量占比，在视觉分析的基础上建立物理模型并最终实现集料的标识和分类功能，从而实现砂石集料颗粒级配在线精确快速分析。

AE8600E是天津德力仪器设备有限公司最新推出的一种用于光纤信号光谱分析的衍射光栅光谱分析仪，工作于600至1700nm波长范围内，最大分辨率可达20pm，最高测量功率+20dBm，功率灵敏度低至-90dBm。AE8600E丰富的专业APP应用，可用于半导体激光器（DFB、FP）光谱特征测量、WDM系统测试、EDFA系统参数测试、透过率和漂移测试。AE8600优越的稳定性和可靠性，极快速的光谱扫描速度，开放的数据输出，可帮助您完美应对来自光谱测试的各种挑战。

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波 长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

光掩膜版(又称光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中实现设计图形转移的载体，是决定其微细结构和线宽精度的核心材料和工具。 目前中国半导体掩膜版的国产化率10%左右，90%需要进口，高端掩膜版国产化率3%，miniLED和microLED产业升级也需要更多高端掩膜版。随着中国市场需求的持续提升，掩膜版产能严重不足。并且中国半导体掩膜版的产业起步较晚，技术滞后，核心技术和装备基本让国外公司垄断，特别是在设备、材料领域众多技术处于“卡脖子”状态，例如掩膜版制造的核心装备光刻机、检测机、测量机、修复机和贴膜机等都依赖进口，严重制约中国半导体产业的发展。华中科技大学徐智谋教授团队致力于全套高端半导体光掩膜版的关键核心技术研发与量产，为“卡脖子”技术研究而努力。 具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下： 1） 工艺突破 团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。 2） 装备国产化 A. 超高精度二维测量装备 尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。 TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。 B. 缺陷修复装备 掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。 C. Pellicle自动贴膜装备 随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。 3） 厂房建设关键技术 团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。 【技术优势】 （1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上； （2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍； （3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。 【合作方式】 股权投资合作共建或政府孵化+中试线。