高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
祼鼠营养模型 清醒小动物体成分分析仪
产品详细介绍产品简介:  MiniQMR清醒小动物体成分分析仪适用于测量活体小鼠、大鼠及其他小动物体内全组分的台式核磁共振分析仪,可快速、无损准确的测量大、小鼠脂肪、水分、瘦肉含量。  MiniQMR清醒小动物体成分分析仪(动物脂肪/代谢测量仪),是基于核磁共振(NMR)原理的分析技术。不同组织中H质子含量以及H质子的弛豫时间均有一定的差异,可通过核磁共振信号强度与弛豫时间差异,用特定的信号处理与算法将脂肪、水分、瘦肉含量快速的区分开来。该方法可在小动物清醒状态下完成测试,测试过程对动物没有伤害,可对同一动物模型进行长期持续研究,排除个体差异影响。该仪器可用于从事糖尿病、肥胖症、代谢研究和营养学的科研机构、相应的大学和制药公司。技术指标:1、磁体类型:永磁体;2、磁场强度:0.5±0.08T,仪器主频率:21.3MHz;3、探头线圈直径:60mm;应用领域:1、肥胖研究2、糖尿病3、营养学研究4、药理学5、骨质疏松症6、心脏病学等研究仪器优势与功能:1、脂肪含量测定2、瘦肉含量测定3、自由水含量测定4、几分钟内检测全身的肌肉、脂肪和水分含量5、适合不同体位的测试,放样对测试无影响6、永磁体,无维护费用,使用成本低7、适用于裸鼠、小鼠和大鼠8、测试过程无损伤,对动物无风险9、动物可在清醒状态下测试,无需麻醉,测试过程简单应用案例一:快速测定老鼠脂肪,瘦肉含量测试应用软件注:仪器外观如有变动,以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司 2021-08-23
微机制冷量热仪-鹤壁盛华煤质分析仪器
产品详细介绍标准配置: LR-4A量热仪主机、冷却器、联想电脑、打印机、充氧仪、氧弹 适用范围及标准: LR-4A量热仪采用并符GB/T213-2003《煤的发热量测定方法》的要求,该量热仪适用于煤炭、焦炭、石油及水泥黑生料等可燃物质的热值 技术参数:     测温范围:0℃~65℃                             测温分辨率:0.001℃     样品量:0.5g~1.5g                             自动调节内外桶水温     发热量测试精度:优于0.2%(苯甲酸)     电源:AC220V±10%,50Hz     自动定量水,定量误差:≤±1g               功率:200W 主要特点:1.LR-4A量热仪系统运行于WindowsXP及以上系统,界面友好,易学易用。2.LR-4A量热仪采用先进的电子制冷工艺,完全不受环境温度变化的影响,确保仪器内外筒温差符合国标要求。可连续长时间工作。3.LR-4A量热仪自动注水、排水、自动调水温,自动完成测试全过程并打印测试结果 4.LR-4A量热仪可作为单筒量热仪使用,亦可对两套量热弹筒进行异步操作。在进行双筒测控时,两套量热弹筒互不干扰,可随时进行其中一台量热仪的操作 
鹤壁市盛华实验仪器厂 2021-08-23
意大利liasys全自动生化分析仪灯泡6V10W
产品详细介绍意大利liasys全自动生化分析仪灯泡6V10W 9-35-0016-00电压:6V功率:10W寿命:2000H适用于:意大利liasys丽莎/丽沙全自动生化分析仪
东莞市毅迈光源照明有限公司 2021-08-23
JQ-9型电脑多元素一体化分析仪
产品详细介绍 电脑多元素一体化分析仪 JQ-9型JQ-9型电脑多元素一体化分析仪是国内最新的一款综合性分析仪,一台仪器即可满足钢铁及其合金材料中的C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni、Mo、Cu、Ti、V、Al、W、Nb、Mg、稀土总量、Co、As、Sn等元素含量的检测,共设置有十个大通道,每个大通道内又分别设置有30个小通道,共可贮存300条工作曲线,原则上一套仪器可检测300种元素,采用品牌电脑微机控制,并配备了电子天平,全中文菜单式操作,台式打印机打印结果 ,可检测的材料有:普碳钢、不锈钢、低合金钢、中合金钢、高合金钢、生铁、灰铸铁、球墨铸铁、耐磨铸铁、铝合金等。主要技术参数★测量范围:(因该仪器可检测的元素较多,现以钢中C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni等常见元素为例)   C:0.010~6.000%     S:0.0030~2.0000%    Mn:0.010~20.500%   P:0.0005~1.0000%   Si:0.010~18.000%    Cr:0.010~38.000%   Ni:0.010~48.000%  Mo:0.010~7.000%     ΣRE:0.0100~0.5000%   Mg:0.010~0.800%    Cu:0.010~8.000%     Ti:0.010~5.000%   Al:0.010%~15.000%  V:0.010~0. 500%......如改变测试条件,该范围可相应扩大。测量精度:符合GB223.3~5-1988、GB223.68~69-1997、2008等标准。主要特点★在JQ-8型基础上采用独家开发的、具有知识产权保护的最新检测软件,确保了检测结果的可靠性;★采用国际先进的多项式拟合曲线技术,增加了单点校正等先进的元素理念,自动调整零点、满度;★各元素检测报告一次性打印,不需将C、S的检测结果分开打印,并可根据客户需求设计各种材料牌号自动鉴别系统,可自动鉴别材料牌号;★一台仪器可检测钢铁中所有常规元素C、S、Mn、P、Si、Cr、Ni、Mo、Cu、Ti、Al、W、V、Nb、Fe、ΣRe、Mg、Co、Sb、As、Sn、Pb等;★采用品牌电脑微机控制,万分之一克精度电子天平称量,不定量称样检测,台式打印机打印检测结果;★测试软件功能齐全,能完全替代传统化验室的各项手工书写工作,并可根据各单位实际需求,任意设置检测报告格式,并可输入任意检测条件查询历史数据;★检测功能庞大,标准配置即具备检测300个元素的通道空间。
南京第四分析仪器有限公司 2021-08-23
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出国内第一台用于氮化镓(GaN)衬底的卤化物气相外延(HVPE)系统,研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权,在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底,建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长;研究出创新性的GaN衬底批量制备技术,即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用,为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学 2021-05-10
深圳博升光电科技半导体垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业,致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷,工程生产团队来自台湾,市场运营团队来自美国及中国,在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
清华大学 2021-04-10
节能型智能化半导体照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”,项目将LED照明与光通信技术等结合起来,形成新的技术模式,开发了集照明与光通信为一体的LED系统,设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元,LED室内调光调色照明控制器,基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等,实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品,具有很高的技术含量和高附加值,具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点,在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出,获得显著的社会效益,对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术,在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作,并取得突出的成绩,申请了相关的国家级自然科学基金项目,并已获批。
天津职业技术师范大学 2021-04-10
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。
华中科技大学 2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。 
华中科技大学 2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法, 包括以下步骤:以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底,在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区;在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极;采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护,由此完成半导体断路开 关的制备过程;本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 25 26 27
  • ...
  • 250 251 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1