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铝合金导电管母线
山东鲁圣电气设备有限公司 2021-08-23
仪器柜铝合金框架
供应实验室装备—仪器柜铝合金框架,规格可定制,价格优惠,质量保证。  另定制各类物理实验室设备、实验室操作台、实验室工作台、实验室仪器设备,欢迎广大客户来电咨询。 备注:以上是实验室台柜—仪器柜铝合金框架的详细信息,如果您对实验室台柜—仪器柜铝合金框架的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取实验室台柜—仪器柜铝合金框架的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
方管铝合金样品
-------------------------------------------------------------------------                            一槽内                   二槽内                   三槽内                           一槽外                   二槽外                 三槽外                                     一通连接件               二通连接件              三通连接件                                  铝合金方管                升降条                   防水脚垫 ------------------------------------------------------------------------- 厂家直销各种规格、形状的铝合金型材、实验室试验台桌铝合金框架、铝合金连接件、仪器柜升降条等,欢迎广大客户来电咨询。     备注:以上是方管铝合金样品的详细信息,如果您对方管铝合金样品的价格、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取方管铝合金样品的最新信息。 咨询电话:0577-67473999
温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
分体花栏(铝合金)
山东锣响汽车制造有限公司 2021-08-26
Φ73四棱合金钻杆
直径:73 mm 长度:1000 mm
山东益矿钻采科技有限公司 2021-08-30
太阳能电池增效薄膜材料
太阳能电池的光电转换效率是评判太阳能电池性能的重要参数之一,在国外实验室 最高转换效率已达 24.8%,而国内最高为 19.79%。为了改善太阳能电池的性能,必须提 高太阳能电池的转换效率。而太阳能电池转换效率损失的主要原因是由于表面上的光反 射作用,太阳光不能全部都入射到太阳电池中去,导致电子一空穴对的产生率不高。减 少反射就成为增加太阳能电池光电转换效率的重要途径。 同济大学研究了在太阳能电池光电板外制备减反射涂层来增加太阳能转化效率的方 法。减反射薄膜的镀制是相关课题组纳米多孔材料应用的主要方向之一,具有近十年的 技术积累,相关的成果已被用于国家的激光武器。基于以上基础及优势,通过涂布二氧 化硅减反射膜,可使电池总体光电转换效率明显提高。 
同济大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
项目简介: 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑 的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功 耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色: 制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制 造成本低,投资小的优点。 
南开大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片,国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币,具有市场广,竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术,原材料成本便宜 30%左右,具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低,能源消耗低,环境污染极小,易于大规模生产,制造成本低,投资小的优点。
南开大学 2021-04-11
锑化铟(InSb)薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机,大量应用于电脑的电源风扇,CPU 风扇,打印机,电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高,使用寿命长,可靠性高,体积小,重量轻,功耗小,频率高,耐震动,耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学 2021-02-01
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火,制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管,其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高,即用氮化硅薄膜封装,再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管,其开态电流和开关比都获得了数量级的提升(约40倍),而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常,大于300 cm2/(V·s),远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪(SIMS)和X射线光电子能谱分析(XPS)表征,发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级,而且氧空位缺陷态也大大减少了,而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出,该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著,而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用,为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式,并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学 2021-04-13
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