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一种淀粉-多酚复合纳米颗粒及其制备工艺
本发明涉及一种淀粉‑多酚复合纳米颗粒及其制备工艺,步骤如下:(1)生物酶法制备脱支纳米淀粉颗粒:用普鲁兰酶酶解糊化淀粉乳,制备短直链淀粉溶液,酒精滴定,制备淀粉纳米颗粒,冻干得到淀粉纳米颗粒粉末;(2)吸附装载多酚,制备淀粉‑多酚复合纳米颗粒:制备淀粉纳米颗粒悬浊液,加入不同量的多酚,置于振荡水浴锅中,室温吸附不同时间,超滤离心,沉淀水洗,真空冷冻干燥。本发明的淀粉‑多酚复合纳米颗粒,纳米粒子尺寸小,能增加纳米颗粒对组织的附着力,提高胃肠道对多酚的输送效率,延长多酚在胃肠道内的滞留时间,提高其生物利用率。保护具有生物活性的多酚,防止外界环境中的光、pH值、氧气等对其的影响,提高多酚的稳定性。
青岛农业大学 2021-04-13
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器,包括:第一半导体激光器,用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体;谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光;干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率;反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率,从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法;栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元,每个栅电 极单元为柱状结构,由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成;所述连通电极的上表面用于连接栅层,下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层,对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法,包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列; 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构;半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极; 源极与漏极串联连接;沟道为方柱形结构;四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极;阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度,
华中科技大学 2021-04-14
一种荧光粉复合颗粒、其制备方法及应用
本发明公开了一种荧光粉复合颗粒、其制备方法及应用,该荧光粉复合颗粒表面包覆有固化的硅胶或者环氧树脂,其制备方法包括S1 荧光粉胶的配制;S2 对所述步骤 S1 中获得荧光粉胶进行真空处理;S3 将经过所述步骤 S2 的荧光粉胶进行固化 40~60min;S4 将经所述S3 获得的荧光粉胶粉碎,以获得粉末状荧光粉胶,利用试验筛对所述粉末状的荧光粉胶进行筛选,以获得粒径为 20~38μm 的复合颗粒。本发明方法简单有效,
华中科技大学 2021-04-14
23041球形导体
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
关于组织申报2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)项目的通知
为全面深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想,党的二十大精神,以及习近平总书记关于新时代科技创新的重要论述重要指示精神,围绕重点产业链部署创新链,瞄准攻关半导体与新材料领域关键核心技术与共性理论问题,为我省重点产业链和特色专业镇建设提供创新支撑。根据《山西省科技计划项目管理办法》(晋政办发〔2021〕42号),现将凝练形成的2023年度山西省重点研发计划(半导体与新材料领域)重点支持方向予以发布,请根据要求组织项目申报工作。
山西省科技厅半导体与新材料科技处 2023-08-08
一种具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈半导体激光器
本发明提供的具有高单纵模成品率的脊波导分布反馈(DFB)半 导体激光器,是由自下而上依次排列的 N 型电极(1)、衬底(2)、下包层 (3)、下分别限制层(4)、应变多量子阱有源层(5)、上分别限制层(6)、缓 冲层(7)、光栅层(8)、上包层(9)、第一脊条(10)、第二脊条(11)、第一 脊条上的 P 型电极(12)、第二脊条上的 P 型电极(13)组成。本发明通过 在单个半导体激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的两个
华中科技大学 2021-04-14
一种制备纳米颗粒增强铝基复合材料的方法
本发明公开一种制备纳米陶瓷颗粒增强铝基复合材料的方法。 首先将纳米陶瓷粉、微米级铝或铝合金粉混合粉末在真空或氩气保护 下,通过干式高能球磨制备出纳米陶瓷颗粒体积分数为 10~50%的毫 米级复合颗粒。然后将毫米级复合颗粒直接熔化或者添加到铝或铝合 金熔体中,并施加超声振动,促进纳米陶瓷颗粒在金属熔体中的均匀 分散,制备出纳米陶瓷颗粒增强铝基复合材料。本发明中干磨法制得 的毫米级复合颗粒可以很容易地完全加入到金属熔体中
华中科技大学 2021-04-14
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