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环氧衍生精细化学品关键技术及产业化开发
环氧化合物与脂肪醇开环反应关键技术 开发了活性高选择性好的高氯酸盐固体酸类新型环氧化合物开环反应催化剂体系、连续管式反应器及绿色反应工艺等关键技术,通过催化剂、反应器和原料配比来调控反应选择性,根据市场变化自如调节主副产品比,建立3套万吨级连续管道式二元醇单烷基醚生产装置,实现装置通用化、产品系列化、主副产品综合利用。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、成果简介 项目属化学工程精细化学品领域。项目原料环氧化合物主要为环氧乙烷(EO)、环氧丙烷(PO)和环氧氯丙烷(ECH),进行开环加成、直接酯化或闭环反应,制得一系列环氧精细衍生化学品,主导产品包括二元醇单烷基醚、二元醇醚羧酸酯和脂肪族缩水甘油醚等醇醚酯类高级溶剂与环氧树脂活性稀释剂,用途广泛。因原料危险性大、技术含量高、产品品种和品质要求多,高端产品长期依赖进口。通过对其生产关键技术长达20余年的协同创新研究,取得如下自主创新成果: 1、环氧化合物与脂肪醇开环反应关键技术 开发了活性高选择性好的高氯酸盐固体酸类新型环氧化合物开环反应催化剂体系、连续管式反应器及绿色反应工艺等关键技术,通过催化剂、反应器和原料配比来调控反应选择性,根据市场变化自如调节主副产品比,建立3套万吨级连续管道式二元醇单烷基醚生产装置,实现装置通用化、产品系列化、主副产品综合利用。 2、二元醇醚羧酸酯直接酯化法绿色生产新工艺技术 开发了苯并噻唑类离子液体、Ni-Al/离子交换树脂等酯化酸催化剂体系,低毒酯类共沸脱水剂体系,连续固定床预反应串反应精馏酯化工艺。预反应系统提高了反应精馏主反应的效率;催化剂可回收、循环使用,解决了常规中和带来的操作与污染问题;酯类脱水剂低毒、高效、环境友好;GMP自动化无尘包装,产品质量指标达国际电子级要求;建立4套万吨级生产装置,实现清洁生产。 3、氯醇醚高浓度碱闭环制备脂肪族缩水甘油醚清洁生产工艺关键技术 开发了季铵盐型缩水甘油醚阳离子相转移催化剂,催化高浓度NaOH闭环反应,副产固体盐多,并消除了夹带产品问题,通过饱和盐水萃取可低成本精制固体盐;用饱和盐水热泵蒸发析盐,解决高浓度盐水污染问题;建立单、双、多缩水甘油醚等3套万吨级通用型生产装置,产品质量达国际先进水平;生物基、低氯、水溶及高品质产品填补国内空白,建成全球产能最大、品种齐全的脂肪族缩水甘油醚生产基地。 4、副产物的综合利用技术 开发了开环反应副产物的资源化利用技术。二元醇醚副产残液与碱、卤代烷进行williamson醚化反应,制得多乙二醇双醚;丙二醇醚副产残液通过中和、脱色等精制得多丙二醇单醚,用作脱硫脱碳溶剂或制动液原料。 5、废弃物的资源化利用技术 系统开发了脂肪族缩水甘油醚废弃物资源化利用技术。固体盐精制得工业盐,用作水泥磨料、制砖防冻剂等;盐水蒸发析盐过程中回收多羟基有机物制备环氧树脂增韧聚酯;减压精馏前馏分精制处理出原料和产品;精馏残液通过环氧基改性后可实现废弃物的综合利用;这些技术开发,解决了废弃物出路问题,实现了清洁生产。
南京林业大学 2022-08-15
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
本发明具体涉及一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法。技术方案一:以20——30wt%的单质硅和70——80wt%的碱金属无机盐为原料,再外加所述原料0——3wt%的催化剂,混合,干燥;然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h,自然冷却,洗涤,制得氮化硅粉体。技术方案二:以5——15wt%的含硅源的物质、70——80wt%的碱金属无机盐和5——15wt%的碳黑为原料,再外加所述原料0——3wt%的催化剂,混合,干燥;然后在氮气气氛和1200——1400℃条件下保温2——5h,自然冷却,洗涤,得到氮化硅/碳化硅复合粉体。本发明具有生产成本低、工艺简单和易于工业化生产的特点;所制备的氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体粒度均匀、晶体形貌好和物相纯度高。 (注:本项目发布于2015年)
武汉科技大学 2021-01-12
双面高温超导涂层导体
基本概念:双面高温超导涂层导体是指用薄膜沉积的方法将微米级高温超导薄膜材料制备在厚度为几十到一百微米、宽度为几毫米到几厘米、长度为百米到几千米的Ni合金薄带的两个表面上,使其具有承载大电流能力的带状材料。 主要功能与应用领域:在液氮温区,双面高温超导涂层导体具有每厘米宽度上承载几百安培、甚至超过1000安培电流的能力,并且适合高场下的应用,因此,特别适合于大电流、强磁场下的应用。双面高温超导涂层导体可用于大电流电缆、大电流限流器、高功率变压器、小型化强场磁体、高功率发电机、电动机、电磁弹射器、电磁储能器的制作。 图1 双面高温超导涂层导体结构示意图 图2 双面高温超导涂层导体样品照片 特色及先进性:本团队研制的双面结构高温超导涂层导体具有承载电流水平高、制作成本低的特点。我们采用溶液涂覆平整化+离子束辅助沉积+中频反应磁控溅射+金属有机化学气相沉积+直流磁控溅射的技术路线完成各层薄膜的制备,由于采用发明的基带自加热结合两面同时沉积的方法,带材成本大幅降低,制备效率显著提高。 技术指标:短样Jc大于1.8MA/cm2,双面Ic超过500A/cm;长度>10米,Ic>300A/cm。 能为产业解决的关键问题和实施后可取得的效果:本成果目前主要应用于电力电子、国防军事、以及医疗领域,应用前景广阔。超导电力技术是从根本上为降低电力系统损耗、提高电力系统输送能力、有效限制故障短路电流、提高电网的安全性和改善电力系统动态特性开拓的新技术途径,给电力、能源、交通等有关的科技业带来革命性的发展;利用高性能的超导带材研制的电磁弹射器与蒸汽弹射器相比,体积、重量减少一半,弹射能增加了50%,弹射效率提高了10倍以上,满足了重型舰载机弹射的需要;高性能的超导带材使得高能脉冲武器(激光、微波、粒子束)及电磁炮等新概念武器的实战化成为可能;采用高温超导磁体制成的核磁共振成像仪,损耗低(比铜低1000倍)、灵敏度高、信噪比好,可以大大提高成像质量、降低成本,这种超导磁共振成像设备不仅可以用在大型的医疗机构中,也可以用在小型诊所,对于提高生命的质量意义重大。
电子科技大学 2021-04-10
双面高温超导涂层导体
双面高温超导涂层导体是指用薄膜沉积的方法将微米级高温超导薄膜材料制备在厚度为几十到一百微米、宽度为几毫米到几厘米、长度为百米到几千米的Ni合金薄带的两个表面上,使其具有承载大电流能力的带状材料。
电子科技大学 2021-04-10
拓扑超导体研究
实验的纳米线中的自旋轨道耦合不是均匀的。在纳米线结构中电极和超导体的电场以及屏蔽效应都会调制自旋轨道耦合的大小,造成空间不均匀。最简单的模型可以假设纳米线分成自旋耦合大小不同的两段。这个假设立刻能给出衰减的Majorana振荡。其衰减机制是:随着磁场的增大,两段纳米线之间的耦合增强导致二者能谱之间的相互排斥增强,使得能量较低的能谱在振荡的同时变得更低。通过更仔细的参数调节,在不同长度纳米线中观测到的各种形状的衰减都可以被拟合,更加确定了不均匀自旋轨道耦合在纳米线中的存在。此外,这个理论发现,存在不均匀自旋轨道耦合的时候,纳米线中的另一种拓扑束缚态Andreev束缚态也会产生衰减振荡。最新的实验也支持了非均匀自旋轨道耦合是纳米线中不可忽视的因素。
南方科技大学 2021-04-13
准各向高温超导导体
为了实现高载流、准各向同性的目标,对涂层导体临界电流各向异性、稳定性、机械特性、失超及恢复特性、过流特性进行理论和实验研究,建立涂层导体临界电流各向异性模型。对涂层导体面外弯曲特性、扭绞特性进行了系统实验研究。 在此基础上,提出准各向同性涂层导体股线的概念,设计制作了铜包套、铝包套和不锈钢包套股线的圆截面和方形截面股线,对股线进行临界电流、交流损耗、拉伸和弯曲、扭绞特性、稳定性、失超及恢复特性、过流特性进行系统理论和试验研究。 分析和实验研究正常导体与涂层导体之间的电流转移长度,为超导股线与正常导体端部焊接提供了技术依据。对激光焊接不同金属材料功率进行实验探索,获得不同包套材料所需激光焊接功率;研制加工模具,在现有光缆生产线上,实现了10米长圆截面超导股线的加工。并对10米股线长样进行了临界电流实验。
华北电力大学 2022-06-15
纳米氮化钒粉体的制备方法
一种纳米氮化钒粉体的制备方法,工艺步骤依次为:(1)前驱体的制备,以V2O5和草酸为原料,V2O5与草酸的重量比为1∶1~1∶3,将所述配比的V2O5和草酸放入反应容器并加水,然后在常压、40℃~70℃进行搅拌,直到V2O5和草酸的还原反应完成为止,还原反应完成后,将所获溶液蒸干即得到前驱体草酸氧钒;(2)前驱体的氨解,将所获前驱体草酸氧钒放入加热炉,在流动氨气氛围中加热至600℃~750℃进行氨解,保温10分钟~3小时后关闭加热炉电源,保持炉内氨氛围,待分解产物冷却至100℃以下取出,即获得纳米氮化钒粉体。
四川大学 2021-04-11
氮化铝薄膜和高频滤波器
高效率制备高品质氮化铝薄膜,并研究应用于 4G、5G 通信(智能手机和基站)的高频滤波器。制备薄膜质量高于现有工艺,制备效率提高十倍以上。作为制备滤波器的关键薄膜性能指标,薄膜的取向性良好(XRD摇摆曲线半高宽2度左右), 薄膜表面起伏小于 1 纳米;薄膜制备效率比传统工艺提高 10 倍以上 
中国科学技术大学 2021-04-14
重庆市科学技术局发布《重庆市加快推动高校科技成果转化与产业化若干措施(征求意见稿)》
6大方面,23条措施
重庆市科学技术局 2023-09-05
采用氢化物气相外延(HVPE) 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展, 对于大功率白光 LED 而言, 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件, 由于同质 GaN 衬底价格昂贵, 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料, 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配, 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高, 一般在 105~108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学 2021-04-14
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