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一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
在片上微纳激光器精确集成领域的研究
北京大学“极端光学创新研究团队”发展了一种高精度的暗场光学成像定位技术(位置不确定度仅21 nm)，并结合电子束套刻工艺，实现了片上量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。这种微盘-银纳米线复合结构同时具有介质激光器与表面等离激元波导的优势，因此不仅具有介质激光器的低阈值与窄线宽特性，而且具有表面等离激元波导的深亚波长场束缚特性。基于这种灵活、可控的制备方法，他们实现了片上微盘激光器与表面等离激元波导间多种形式的精确可控集成，包括切向集成、径向集成以及复杂集成，并且对量子点无任何加工损伤；进一步，通过同时集成多个片上微盘激光器与多个银纳米线表面等离激元波导，他们获得了多模、单色单模以及双色单模的深亚波长(0.008λ2)相干输出光源。这些高性能的深亚波长相干输出光源可以容易地耦合并分配至其它深亚波长表面等离激元光子器件和回路中。因此，这种灵活、可控的精确集成方法在高集成密度的光子-表面等离激元复合光子回路中具有重要应用，并且这种方法可以拓展到其它材料和其它功能的微纳光子器件集成中，为未来光子芯片的实现提供了一种可行的解决方案。 该工作于2018年5月发表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插画(Frontispiece)的形式予以重点报道。文章的第一作者为北京大学物理学院博士研究生容科秀，陈建军研究员为通讯作者。该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、人工微结构和介观物理国家重点实验室、量子物质科学协同创新中心和极端光学协同创新中心等的支持。 图1. 片上胶体量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。
北京大学
2021-04-11
一种高功率光纤激光器包层光滤除装置
本发明公开了一种高功率光纤激光器包层光滤除装置，该装置 包括一段或多段双包层光纤，其中此双包层光纤沿激光输出方向按剥 除面积由小到大而间隔地对保护层和外包层进行部分剥除，使内包层 裸露出来，将滤光材料涂在裸露内包层上，并且将上述滤光装置固定 在散热金属材料及水冷板上。本发明对光纤结构破坏较小，滤光均匀， 避免了非均匀滤除时，某些滤除点温度过高的现象，提高了系统的稳 定性。
华中科技大学
2021-04-14
新型高效可见光响应型半导体材料
能源短缺与环境污染是影响当前社会发展最重要的问题，亟需解决。新型光催化技术由于能够利用太阳光分解水制氢气和降解环境污染物，使其成为解决当前的能源危机和环境污染等问题最有前途的技术之一，备受瞩目。而当前光催化领域最重要的问题就是去设计、寻找高效稳定的可见光响应型半导体材料。在此，我们主要通过改性前驱体和设计新的焙烧策略成功得到了具备多孔结构、低碳含量、纳米片形貌的 g-C3N4 光催化剂，相比原始的 g-C3N4 ，光催化性能提升了 8 倍；通过介孔化设计和负载贵金属光催化剂，成功解决了 Pb3Nb2O8 光催化剂比表面积小、光生电子 - 空穴易复合的缺点，使光催化活性显著提升了 62 倍。通过调查浸渍提拉、磁控溅射、电泳沉积等手段，成果获得了 Bi2MoO6 和 Pb3Nb4O13 光电极材料，充分探索了其光电化学性能，并且通过负载 Co-P 显著提升了其光电转化效率，为分解水制氢与太阳能电池领域提供了一种可选择性的材料；过渡金属离子掺杂与介孔材料有效结合，有效地探索了表面掺杂与体相掺杂 Fe2O3 对其电子结构的影响、光电催化性能的影响。
辽宁大学
2021-04-11
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学
2021-04-11
一种半导体芯片的外观检测装置
本发明公开了一种半导体芯片的外观检测装置，包括吸取机构、U 形反光板、两个光源、平面反射镜、镜头、相机及调节机构，吸取机构用于吸取待检测芯片至待检测位，U 形反光板安装在吸取机构上，对称设置在芯片侧方，两光源发出的光一部分照射在 U 形反光板上，对芯片底面和其中的一组对边侧面进行背光照明，一部分对芯片的另一组对边侧面进行背光照明，平面反射镜为多个，倾斜对称均匀设置在芯片下方四周，使经平面反射镜反射后的光线垂直入射到镜头前端面，镜头安装在相机上，位于芯片下方，相机安装在调节机构上，调节机构用于调节所述
华中科技大学
2021-01-12
基于半导体制冷的迷你多用空调扇
本实用新型涉及家用电器领域，公开了基于半导体制冷的迷你多用空调扇，其包括保温层(1)、冷端开门(6)和热端开门(14)，冷端开门(6)和保温层(1)围成一个冷藏室(5)，热端开门(14)和保温层(1)围成一个加热室(15)；保温层(1)上设有半导体制冷片(20)，半导体制冷片(20)左端设有冷端肋片(21)；保温层(1)上设有底座(2)，底座(2)铰接有连杆(3)，连杆(3)上设有风扇(4)；半导体制冷片(20)右端设有热端肋片(25)，保温层(1)上设有第一凹槽(23)，第一凹槽(23)内设有活动板(24)。本实用新型具有同时具备制冷和制热功能，提高使用寿命，提升储物空间的效果。
浙江大学
2021-04-13
新型拓扑材料外尔半导体的实验研究
近日，中国科大合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中科院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授研究组与王征飞教授研究组实验与理论合作，首次在单元素半导体碲中发现了由外尔费米子主导的手性反常现象以及以磁场对数为周期的量子振荡，成功将外尔物理拓展到半导体体系。该研究成果在线发表在《Proceedings of the Natio
中国科学技术大学
2021-01-12
半导体光刻胶成膜树脂制备技术
1.痛点问题
光刻胶作为集成电路制备中不可或缺的一部分，已成为国家的战略资源之一。半导体光刻胶的核心在于成膜树脂，受限于研发难度大、专利壁垒高、资金投入多、准入门槛高，目前国内企业尚难以突破KrF胶（248nm）或ArF胶（193nm），而EUV胶完全不能自主供给。
2.解决方案
本项技术采用了国际最前沿的纳米氧化物团簇材料的工艺路线，可以实现单2nm小分子的光刻胶成膜树脂材料，攻克了材料合成和纳米材料提纯的难题，可满足目前半导体3nm制程节点的技术要求，RLS分辨率、边缘粗糙度、灵敏度三项关键性能指标优异，其曝光剂量远低于Intel公司提出的20mJ/cm2的成本线。此外，本项技术具有多种半导体光刻胶兼容性，可以生产248nm和193nm光源的半导体光刻胶成膜树脂，以及电子束半导体掩膜用光刻胶成膜树脂，具有广阔的技术替代优势和市场应用前景。
3.合作需求
本项技术已设立衍生企业，位于江苏常州的3000m2研发生产中心正在建设中。
1）融资需求：本轮天使轮融资6000万元。
2）资源对接需求：集成电路芯片制造、掩膜板生产企业，地方政府等。
清华大学
2022-07-12