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一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述：
锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台，它的诸多设计都是专用的。因此，高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如，要求的磁场值，均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等，均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联；位移台还可与磁流体密封搭配，实现水平方向二维移动和样品台360度转动；除此之外，该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户，可以磁场的高稳定性。因此，该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。
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锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个（可选6个或8个）拥有高精度位移的探针臂，同时配有高精度电子显微镜，便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号，用来测试芯片、晶圆片、封装器件等，广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。
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应用范围：
磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试，微电子机械系统，超导电性测试，纳米电路的光电属性，量子点和线，高低温真空环境下的芯片测试，材料测试，霍尔测试，电磁输运特性等。
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可选附件：
þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线
þ CCD或C-MOS视频成像装置
þ Chuck运动装置
þ 电磁铁系统/超导磁铁系统
þ 1Mpa正压系统升级
þ 超高温升级选件
þ 超高真空升级选件
þ 各类探针夹具
þ 屏蔽箱
þ 防振桌
þ 转接头
þ 静音真空泵
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北京锦正茂科技有限公司
2022-01-22
软组织生物力学相关辅具
创面压力无线检测器：在烧伤患者的治疗过程中，压力衣或绷带压力分布不均，长时间使用患者会有不适感，甚至出现皮肤溃疡。而如何调整绷带压力一般都是由医师个人经验决定，缺乏科学、精确的手段。针对以上问题，先后设计了两代压力检测装置样机，包括第一代基于 CC2500 的创面压力检测器和第二代基于蓝牙 4.0 的创面压力检测器。本项目所研制的压力测量仪器紧密结合临床需求，操作简单，成本低。该产品投入市场后，可替代目前临床使用的同类产品。据统计 , 烧伤的发病率为总人口的 5‰～ 10‰，工业城市发病率略高，男性、青壮年烧伤较多见，家庭烧伤学龄前儿童多见。我国每年发生烧伤者近千万人，需住院治疗的达数十万人之多，而且严重烧伤的病人死亡率很高。因此市场需求量非常巨大，所产生的经济效益也非常可观。
西安交通大学
2021-04-11
一种具有性能价格优势的中碳中铬耐磨钢
高强度耐磨钢作为一类重要的钢铁材料，在矿山机械、水泥工业和采矿业等行业都有广泛的应用。ZG50Cr5MoV钢是一种非常重要的耐磨材料，一般在空淬+回火 [1,2] 后使用，具有较高的硬度和一定的韧性，但由于其含有0.3%-1.0%的Mo和0.3%的V，导致材料的成本较高，且工件厚度大时需要加大Mo含量以提高淬透性 [1] 。因而研究不含Mo和V的新材料来替代ZG50Cr5MoV将会节约资源，降低生产成本，获得更好的经济效益。本项目设计了一种低成本中碳耐磨钢，与ZG50Cr5MoV的组织和性能进行对比，具有性能和价格的优势1铸态及热处理后的性能。
西安交通大学
2021-04-11
白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法
本发明涉及一种白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法。该发光材料的化学组成可表示为：Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+，0.003≤x≤0.06，0.1≤y≤0.8。其制备过程为：（1）以硝酸钙（CaN2O6·4H2O）、硝酸铕（EuN3O9·6H2O）正硅酸乙酯（C8H20O4Si）、氮化硅（Si3N4）为原料，采用溶胶凝胶法，获得前驱体，（2）将所得前驱体与氮化硅粉体混合均匀，在非还原性气氛下于1000~1200℃焙烧2~4小时，获得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+荧光粉。所得发光材料，发光性能显著，在近紫外到紫光波长范围（300~400nm）有宽带吸收，发射出强度高的绿色光（500~504nm）。通过氮化硅与前驱体的混合焙烧，在不需要任何还原气氛下，将Eu3+还原为Eu2+，制备方法简单、安全。
四川大学
2021-04-11
国科大材料学院黄辉团队在基于C-S键活化的室温交叉偶联制备聚合物半导体材料研究中取得重要进展
该项工作发展了首个利用碳-硫键活化的Stille交叉偶联聚合。在温和的反应条件下，制备了一系列高温Stille反应难以获得的聚合物半导体材料，从而为合成低成本，高性能的有机/高分子半导体材料提供了新的研究思路。
中国科学院大学
2022-06-01
电池用碳包覆磷酸亚铁锂的生产技术
一、项目简介LiFePO4具有无毒、无污染、安全性能好、原材料来源广泛、价格便宜，寿命长等优点，是新一代锂离子电池的理想正极材料。LiFePO4最突出的优点是安全性好（包括电极材料充电态的热稳定性和对电解液的氧化能力），其安全性能与循环寿命是其它材料所无法相比的，作为动力锂离子电池正极材料有非常好的应用前景。二、规模与投资效益分析与预测：年产1000吨磷酸亚铁锂生产线可实现年产值约1亿元，利润2000万元。三、生产设备主要设备：高温炉5台，球磨机2台。项目转化所需投资：建立年产1000吨磷酸亚铁锂需投资2000万元。四、合作方式面议。
河北工业大学
2021-04-13
低成本为中品位硅钙质胶磷矿选矿工艺
20世纪八十年代，采用正反浮选技术富集中低品位硅钙质磷块岩技术，在降低磷矿中MgO含量方面取得突破性进展。而这一当时鉴定为“国际先进”得技术因直接经济效益不显著未能生产。故全面大幅度降低选矿成本是使正浮选技术转化为生产力的关键。本项目针对这一问题，提出了一套完整的选矿工艺。
武汉工程大学
2021-04-11
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10