短波红外(SWIR)光电探测器可探测1.0–3.0μm的光谱，可广泛应用于遥感、成像和自由空间通信等领域。传统的商用SWIR光电探测器主要依赖于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱，但是它们都存在一些瓶颈。譬如，HgCdTe半导体存在原料毒性和均匀性差、产率低等问题。而且，HgCdTe SWIR光电探测器必须在低温下工作才能抑制热噪声，以此获得较高的比探测率。此外，基于II

一种PET系统探测器环孔径调节装置，解决现有同类装置结构复杂、成本高的问题。本发明包括固定盘和旋转盘，固定盘上围绕中心圆孔具有N个呈辐射状轮辐分布的滑槽，旋转盘表面具有平面螺纹槽，其在旋转盘表面构成阿基米德螺旋线；旋转盘通过支撑轮悬挂在固定盘底面，固定盘的各滑槽内均装有活动件，在平面螺纹槽旋转作用下，各活动件可以沿滑槽径向移动；固定盘的各滑槽表面均安装有连接板，其与对应的活动件连接；工作时，各连接板上均安装有探测器，各探测器共同构成探测器环。本发明使用一个电机带动旋转盘的转动就能带动一圈探测器沿径向移动，从而改变探测器环的孔径，和现有同类装置相比，大大简化了结构，节约了成本。

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产品详细介绍供应红外电子幕帘，室外红外探测器价格，双鉴红外感应器厂家 产品名称：无线红外探测器产品型号： Sn-818-3F  产品规格： 标准 厂家： 深圳市世宁科技有限公司无线红外探测器也是报警系统最常用的入侵探测器。其探测范围是一个水平110度，垂直79度，探测距离8～12米的空间。移动人体的红外热辐射光波，通过菲涅尔透镜聚焦到传感器上，红外探测器就会发出一个无线信号（报警灯闪亮一下）。特点：* 智能逻辑控制，滤除各种误报* 真实温度补偿技术* 双极性脉冲计数可调* 抗白光干扰* 抗射频干扰（20V/m-1GHz）* 菲涅尔光学透镜* 壁挂或吸顶安装* 报警输出NC 可选择* 采用SMT工艺制造，性能更稳定技术参数：* 工作电压：DC9-16V* 消耗电流：≤18mA(DC12V时)* 探测距离：9m(壁挂)；6m(吸顶安装在3.6m时)* 探测角度：15度* 自检时间：约60S* 报警指示：红色LED* 传 感 器：双元热释红外传感器* 工作温度：-10度至50度* 环境湿度：最大95%RH(无凝结现象)* 安装方式：壁挂或吸顶* 安装高度：1.7-2.5m(壁挂)；2.5-6m(吸顶)* 报警输出：NC 可选择，接点DC28V100mA* 防拆输出：NC,接点DC28V 100Ma* 抗RF干扰：10MHz-1GHz 20V/m* 外型尺寸：110*69.5*40mm亲，你还在为家里东西被盗而烦恼吗？亲，你还在为家中冒烟，液化气泄漏而担心吗？亲，你在外地工作，还在为小孩妻子的安全方面着想吗?亲，你还在为家里的生病的老人无人照料而忧心吗？不用担心，有世宁科技， 一切都是那么简单。我公司同时大量供应门磁窗磁，烟雾报警器，燃气报警器，红外探测器，个人防护用品，商用防盗报警器材，工程建筑类报警主机，总线制主机及相关配件家用防盗报警器。销售经理： 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915供应红外电子幕帘，室外红外探测器价格，双鉴红外感应器厂家

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产品详细介绍

在梯形双噻吩酰亚胺小分子的基础上，设计并成功合成了一系列具有半梯形结构的全受体类型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了这些材料的构性关系。实验表明，均聚物的聚合方法选择至关重要，通过Stille和Yamamoto偶联方法对比发现，Stille聚合能够得到高分子量、低缺陷态、高性能的高分子半导体；采用全受体结构能够有效拉低前沿轨道能级，基于这些均聚物材料的有机薄膜晶体管都表现出良好的单极性n-型性能，晶体管器件的关电流仅为10 −9 -10 −10 A，电流开关比高达10 6 ；晶体管迁移率性能与构建单元长度反向关联，PBTI1的最高电子迁移率为3.71 cm 2  V -1  s -1 ，该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，比PBTI5的电子迁移率高出两个数量级。 通过深入表征发现，这一系列全受体类型均聚物表现出来的晶体管迁移率趋势与其半导体薄膜结构有序度直接相关。拉曼光谱表明，梯形构建单元共轭长度的增加带来较大的单体间扭转角，影响聚合物骨架的平面性。同步辐射X射线衍射表明，梯形构建单元的增长使得聚合物薄膜中π-π堆积方向的结晶性降低，不利于电子的分子间传输。这些结果表示，较长的单体结构会对聚合物薄膜形貌和载流子传输造成负面影响，因此发展更长的梯形构建单元对全受体类型均聚物迁移率的提升不会带来帮助。该研究表明全受体结构是实现高性能单极性n-型聚合物材料的有效途径，同时为n-型梯形小分子和聚合物的结构设计和发展提供重要参考依据。

1. 痛点问题 功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。 2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。 2. 解决方案 本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。 目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。

提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。

成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、