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光热探针 -- 半导体离子浓度测试仪
光热探针技术是建立在光声显微镜和激光扫描显微镜基础上,利用调制光反射技术发展起来的一种新型探针技术。利用一束强度调制激光聚焦在样品表面,对半导体样品,入射的光能激发的光生载流子,从而引起表面光反射率变化,用另一束探测光可检测此反射率的变化。由于光生载流子数目直接与注入的离子浓度相关,因此可测定表面注入离子浓度的分布。     近年来,曾利用本仪器
南京大学 2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性;技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室(Power Integrated Technology Lab.-PITEL)自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究,是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器,国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构(Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode),其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻,更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比,可以看出MG-HAD具有较小的开启电压(0.6V)和导通电阻(1.3mΩ?cm2)。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力,以10μA/mm 为击穿电流标准,MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限,150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压,因而其baliga优值(BFOM)459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值,见图5所示。
电子科技大学 2016-06-08
半导体薄膜断层吸收光谱仪
公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪,并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中,并已实际发表多篇论文,平均影响因子达到10以上,获得一致好评。 一、项目进展 创意计划阶段 二、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 侯晓清 管理学院/工商管理 2019/2023 师鸣遥 生命学院/化学生物 2019/2023 李想 生命学院/化学生物 2020/2024 徐婧谨 电信学部/储能科学与工程 2019/2023 董梓竣 管理学院/工商管理 2019/2023 杨舒婷 化学学院/材料化学 2019/2023 吴一品 管理学院/大数据管理与应用 2020/2024 赵静怡 人文学院/环境设计 2020/2024 刘彦麟 软件学院/软件工程 2020/2024 袁子翔 管理学院/工商管理 2019/2023 三、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 鲁广昊 前沿科学技术研究院 教授 有机半导体薄膜和器件 卜腊菊 化学学院 教授 薄膜断层分析技术及科研仪器的开发 魏泽龙 管理学院 教授 技术创新与创业管理 四、项目简介 本项目依托于西安交通大学前沿科学与技术学院以及中国西部创新港的科研平台,拥有半导体薄膜断层检测技术顶级研发团队,并已有国内外超过100所高校、科研院所、企业等正在采用本产品检测的数据或正在实际试用本产品,本团队可以更好了解产品需求及效果,能够实现量产、快速研发与后续更新迭代。 公司的核心产品包括系列全球首创半导体薄膜断层吸收光谱仪,并已经成功应用于高校、研究所、相关企业半导体薄膜断层检测中,并已实际发表多篇论文,平均影响因子达到10以上,获得一致好评。作为国内外首家使用软等离子体源刻蚀技术,实现了半导体薄膜断层的精准检测,占据了全球领先地位,将“卡脖子”技术转换成“杀手锏”,为基于光谱分析的半导体薄膜断层精准检测提供了中国方案,提高了我国半导体薄膜检测的科技实力水平。
西安交通大学 2022-08-10
四象限光电探测器目标定位光学系统
本成果通过接收目标反射的激光信号,分析光斑在四象限探测器上的分布获取目标位置信息,实现对目标的定位,具有位置分辨率高、响应速度快、性价比高、结构紧凑的优点。
长春理工大学 2021-04-26
防爆本安型离子感烟探测器55000-540PRC
产品详细介绍1、55000-540PRC本安型智能离子感烟探测器一、55000-540PRC特点:                                  55000-540PRC本安型智能离子感烟探测器采用本质安全电路设计,低功耗并有效降低了电路板内本安型智能离子感烟探测器的储能,使其电气性能符合安全环境的应用标准。可编址智能离子感烟探测器,通过配合使用阿波罗生产的通信协议转换器55000 - 855、55000 - 856及安全栅29600-098可连接到安全区域内的智能火灾报警系统。 二、55000-540PRC应用: 55000-540PRC本安型智能离子感烟探测器可适用于建筑内多种危险区域,这些区域可能含有各种易燃易爆的气体或空气混合物。该探测器必须配合使用阿波罗生产的各种通讯协议转换器如55000 - 855,55000 - 856及安全栅。 三、55000-540PRC工作原理: 55000-540PRC本质安全型离子感烟探测器的工作原理类似于55000 - 620。 四、55000-540PRC技术要求: 二线制有极性要求,具有独立地址。有4级灵敏度可作高速根据不同环境及时间做出不同的设定,减低误报率。可通过插片设置地址与其它系统部件安装。如需连接远程报警指示灯,需采用高效的发光二极管,最大点灯电流ImA。 五、55000-540PRC技术参数: 接线端子           Ll  正极;L2  负极;+R  远程指示灯正极 工作电压           直流14 - 22V;两线制有极性 报警指示           红色发光二极管,红光; 静态电流           340 u A 远程LED报警电流  1mA 工作环境温度      - 20℃至+40℃  (T5)                         - 20℃至+60℃  (T4) 等级              E Ex ia IIC T5 (T4 Ta≤60 ℃) 认证              CCCF.BASEEFA
北京赢科迅捷科技发展有限公司 2021-08-23
深圳博升光电科技半导体垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业,致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器(VCSEL)光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷,工程生产团队来自台湾,市场运营团队来自美国及中国,在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
清华大学 2021-04-10
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。
华中科技大学 2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计,利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层,将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件,无需使用 额外的信号电极,器件结构和工艺步骤简单,且利于降低成本,适于 批量生产,而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点,而且工作温度低,具有良好的 应用前景。 
华中科技大学 2021-04-14
新型高效可见光响应型半导体材料
能源短缺与环境污染是影响当前社会发展最重要的问题,亟需解决。新型光催化技术由于能够利用太阳光分解水制氢气和降解环境污染物,使其成为解决当前的能源危机和环境污染等问题最有前途的技术之一,备受瞩目。而当前光催化领域最重要的问题就是去设计、寻找高效稳定的可见光响应型半导体材料。在此,我们主要通过改性前驱体和设计新的焙烧策略成功得到了具备多孔结构、低碳含量、纳米片形貌的 g-C3N4 光催化剂,相比原始的 g-C3N4 ,光催化性能提升了 8 倍;通过介孔化设计和负载贵金属光催化剂,成功解决了 Pb3Nb2O8 光催化剂比表面积小、光生电子 - 空穴易复合的缺点,使光催化活性显著提升了 62 倍。通过调查浸渍提拉、磁控溅射、电泳沉积等手段,成果获得了 Bi2MoO6 和 Pb3Nb4O13 光电极材料,充分探索了其光电化学性能,并且通过负载 Co-P 显著提升了其光电转化效率,为分解水制氢与太阳能电池领域提供了一种可选择性的材料;过渡金属离子掺杂与介孔材料有效结合,有效地探索了表面掺杂与体相掺杂 Fe2O3 对其电子结构的影响、光电催化性能的影响。
辽宁大学 2021-04-11
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术,克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题,实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模,并结合第一性原理计算,给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据,解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学 2021-04-11
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