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关于单层FeSe/SrTiO3高温超导机理的研究系列进展
北京大学量子材料中心王健研究组与合作者在钛酸锶(SrTiO3)衬底上外延生长的单原胞层厚(0.55 nm)铁硒(FeSe)薄膜中观测到了具有磁激发迹象的玻色模式和强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。两项发现为超导机制备受争议的单原胞层铁硒薄膜提供了异号配对的重要实验证据,表明在该体系中尽管界面电–声耦合被认为可以增强超导特性,自旋涨落对于库珀对的配对有着不可忽略的作用,或对铁基高温超导机理的统一理解提供重要参考。 提升超导转变温度和理解库珀配对机制是超导领域两个最重要的研究方向。在以往的铁基超导研究中,基于电子–空穴费米口袋嵌套的s±波配对被广泛接受。然而对于AxFe2−ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1−xFex)OHFe1−ySe,尤其是单原胞层 FeSe/SrTiO3等一系列重电子掺杂铁硒化合物,重电子掺杂会导致费米能级上移,进而导致布里渊区中心Γ点的空穴费米口袋降至费米能级以下,使得电子–空穴费米口袋嵌套理论失效。因而,铁基超导中的s±配对图像受到严峻挑战。 钛酸锶衬底上外延生长的铁硒薄膜具有铁基超导家族最简单的分子结构和最高的超导转变温度(能隙闭合温度的典型值为65 K),自2012年被清华大学薛其坤团队发现以来在国际凝聚态物理领域掀起了研究热潮。前期,北京大学王健研究组与薛其坤研究组合作采用电输运和抗磁性测量首次报道了单层铁硒中高温超导的直接证据(Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014),被Science编辑选择文章Science 343, 230 (2014)报道)。然而,其中的超导配对机制,一直存在争议,始终悬而未决。 为了揭示单层铁硒中的超导配对机制,王健研究组开展了一系列系统的实验。实验中的单层铁硒超薄膜采用分子束外延技术生长于钛酸锶衬底。通过原位超高真空(~10−10 mbar)原位扫描隧道谱探测,研究组发现超导能隙外存在由电子–玻色子耦合导致的鼓包(hump)结构。系统的扫描隧道谱实验揭示以该鼓包为特征的玻色模式更接近磁激发信号(图1),极有可能是充当配对媒介、且连接布里渊区近邻角落(M点)电子费米口袋的(π,π)自旋涨落。超导序参量作为复数,其在费米面上的分布存在同相位(保号:sign-preserving)与反相位(异号:sign-reversing)两种情形。杂质散射作为一种相位敏感技术,已广泛应用于以往超导配对研究。其中非磁性杂质尤为特殊,其选择性地局域破坏s±波、d波等异号配对,实验上表现为诱导超导能隙内的束缚态,而对传统保号s波配对无明显效应,因此可用于区分异号和保号配对图像。王健研究组采用沉积于单层铁硒表面的强非磁性杂质铅(Pb)吸附原子作为散射中心,实验中发现相对于正常超导谱形,铅原子在超导带隙边界附近诱导出电子型谱权重增强,同时超导能隙减弱(图2)。该特征是‘隐’束缚态的典型信号。系统的势散射强度调节(图2(d))等实验也印证了这一观点,有力地说明单层铁硒超导能隙函数存在异号。同时,基于异号配对图像,如扩展s±波(图2(e)),南京大学王强华教授与南京师范大学高绎教授理论上定性复现了非磁性杂质诱导的超导谱形重构。上述的玻色模式与非磁杂质散射两项研究成果一致支持单层铁硒中存在以自旋涨落为媒介的异号配对,为最终澄清单层铁硒的界面高温超导机制奠定了重要基础,同时也预示具有不同费米面构型的铁基高温超导体或存在统一解释。图1. 单原胞层 FeSe中具有磁激发迹象的玻色模式。(a) 单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱,显示超导能隙外由电子–玻色子耦合导致的鼓包结构;(b) Ω/2Δ1与Δ1的统计负关联(Ω:玻色模式能量;Δ1:内超导能隙)。图2. 单原胞层 FeSe中强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。(a) Pb吸附原子的STM形貌图;(b) Pb吸附原子和正常单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱,显示9.5 mV处存在‘隐’束缚态;(c) 跨Pb吸附原子的扫描隧穿线谱;(d) 101组Pb吸附原子扫描隧穿谱(黑实线下方)与无吸附原子时的扫描隧穿谱(黑实线上方)对比;(c) 扩展s±波图像下非磁性杂质的模拟局域态密度谱。 两项工作分别于2019年5月22日和2019年7月15日发表于Nano Letters(Nano Lett. 19, 3464−3472 (2019))、Physical Review Letters(Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019))。论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大学博士生刘超飞为第一作者,北京大学王健教授为通讯作者;Physical Review Letters文章,北京大学博士生刘超飞、王子乔和南京师范大学高绎教授为共同第一作者,北京大学王健教授和南京大学王强华教授为共同通讯作者。 以上工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、江苏省自然科学基金等经费的支持。王健特别感谢谢心澄、王垡、徐莉梅、任泽峰以及量子物质科学协同创新中心在北大超高真空分子束外延与低温扫描隧道显微镜实验室搭建过程中给予的支持。
北京大学 2021-04-11
基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构
本外观设计产品用于基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构。1为第一层次设置底部开口悬挂式梁、第二层次设置跨座式单轨交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构;设计2为第一层次设置底部开口悬挂式梁、第二层次设置公路交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构;设计3为第一层次设置底部开口悬挂式梁、第二层次设置磁浮式交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构;设计4为第一层次设置工字钢悬挂式梁、第二层次设置公路交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构;设计5为第一层次设置工字钢悬挂式梁、第二层次设置跨座式单轨交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构;设计6为第一层次设置工字钢悬挂式梁、第二层次设置磁浮式交通的基于单轨交通的单层框架多制式交通运输结构。
北京交通大学 2021-04-10
乙二胺|日本东曹乙二胺|美国亨斯曼乙二胺|含量99%乙二胺
产品详细介绍我公司长期供应乙二胺,日本东曹乙二胺,美国亨斯曼乙二胺,含量99%乙二胺,韩国原装进口,含量99%以上  质优价廉,保证供应,如有需要欢迎来电垂询 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 聚乙二醇300,400,600 韩国湖南石化 230KG/铁桶 原装 聚乙二醇4000,6000 韩国湖南石化 25KG/包 原装 AEO9,AEO7,AEO3 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 甲氧基聚乙二醇 MPEG1000 1200 韩国湖南石化 220KG/铁桶 原装 丙二醇 医药级 含量99.9% 韩国SKC 215KG/铁桶 原装 一乙醇胺 含量99% 韩国KPX 210KG/铁桶 原装 二乙醇胺 含量99% 台湾东联,韩国 220KG/铁桶 原装 NP-10 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 双氰胺 含量99.5% 宁夏 25KG/包 原装 四氢呋喃 含量99.9% 台湾南亚 180KG/铁桶 原装 1,4丁二醇 含量99% 台湾大连 200KG/铁桶 原装 异辛酸 含量99% 德国OXEA 185KG/塑料桶 间苯二甲酸 含量99% 新加坡,日本 25KG/包 原装 三羟甲基丙烷 含量99% 日本三菱,美国 25KG/包 原装 已二酸 含量99.8% 辽化 500KG/包 原装 新戊二醇 含量99% 日本三菱 25KG/包 原装 乌洛托品 含量99% 河南 25KG/包 原装 线性体 PMX-0156 美国道康宁 200KG/铁桶 原装 硬脂酸(十八酸)1801 颗粒状 马来天然油脂 25KG/包 原装 硬脂酸 椰树牌 PALMAC630 马来酸化学 25KG/包 原装 月桂酸(十二酸) 含量99% 片状 马来天然油脂,印尼丸红 25KG/包 原装 月桂酸 椰树 含量99% 片状 马来酸化学 25KG/包 原装 肉豆蔻酸(十四酸) 含量99% 马来西亚 25KG/包 原装 甘油 医药级含量99.7% 印尼春金,马来天然油脂 250KG/铁桶 原装 冰醋酸 含量99.80% 镇江索普200KG/塑料桶 净水 环氧氯丙烷 含量99.90% 山东 240KG/桶 己二胺 含量99.70% 河南神马 160KG/铁桶 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 二乙烯三胺 含量99% 日本东曹 190KG/包
无锡市多利佳贸易有限公司 2021-08-23
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学 2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。 
南开大学 2021-04-13
一株副蕈状芽孢杆菌及其在硒氧化中的应用
本发明公开了一株副蕈状芽孢杆菌及其在硒氧化中的应用,属于农业微生物技术领域。本发明从华中农业大学硒营养试验田的土壤中筛选分离得到一株副蕈状芽孢杆菌(Bacillus paramycoides)H1,已于2023年6月27保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏编号为CCTCCNO:M 20231107。经实验验证发现,该菌株能够同时氧化单质硒和有机硒。本发明利用该菌株可以将有机硒和单质硒转化为利于促进植物吸收的水溶性硒,为制备安全且成本低廉的植物富硒菌剂、硒氧化剂奠定科学基础,这对硒转化模式菌株的科研工作和农业培育具有重要意义。
华中农业大学 2021-01-12
芯片热设计自动化系统
TDA(芯片热设计自动化)软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真,支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究,直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度,进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学 2025-05-16
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