高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉,包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13),底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4),观察孔(4)呈管状,其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°~60°;内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况;并且,该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小,能够
华中科技大学 2021-04-14
乙二胺|日本东曹乙二胺|美国亨斯曼乙二胺|含量99%乙二胺
产品详细介绍我公司长期供应乙二胺,日本东曹乙二胺,美国亨斯曼乙二胺,含量99%乙二胺,韩国原装进口,含量99%以上  质优价廉,保证供应,如有需要欢迎来电垂询 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 聚乙二醇300,400,600 韩国湖南石化 230KG/铁桶 原装 聚乙二醇4000,6000 韩国湖南石化 25KG/包 原装 AEO9,AEO7,AEO3 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 甲氧基聚乙二醇 MPEG1000 1200 韩国湖南石化 220KG/铁桶 原装 丙二醇 医药级 含量99.9% 韩国SKC 215KG/铁桶 原装 一乙醇胺 含量99% 韩国KPX 210KG/铁桶 原装 二乙醇胺 含量99% 台湾东联,韩国 220KG/铁桶 原装 NP-10 含量99% 韩国湖南石化 200KG/铁桶 原装 双氰胺 含量99.5% 宁夏 25KG/包 原装 四氢呋喃 含量99.9% 台湾南亚 180KG/铁桶 原装 1,4丁二醇 含量99% 台湾大连 200KG/铁桶 原装 异辛酸 含量99% 德国OXEA 185KG/塑料桶 间苯二甲酸 含量99% 新加坡,日本 25KG/包 原装 三羟甲基丙烷 含量99% 日本三菱,美国 25KG/包 原装 已二酸 含量99.8% 辽化 500KG/包 原装 新戊二醇 含量99% 日本三菱 25KG/包 原装 乌洛托品 含量99% 河南 25KG/包 原装 线性体 PMX-0156 美国道康宁 200KG/铁桶 原装 硬脂酸(十八酸)1801 颗粒状 马来天然油脂 25KG/包 原装 硬脂酸 椰树牌 PALMAC630 马来酸化学 25KG/包 原装 月桂酸(十二酸) 含量99% 片状 马来天然油脂,印尼丸红 25KG/包 原装 月桂酸 椰树 含量99% 片状 马来酸化学 25KG/包 原装 肉豆蔻酸(十四酸) 含量99% 马来西亚 25KG/包 原装 甘油 医药级含量99.7% 印尼春金,马来天然油脂 250KG/铁桶 原装 冰醋酸 含量99.80% 镇江索普200KG/塑料桶 净水 环氧氯丙烷 含量99.90% 山东 240KG/桶 己二胺 含量99.70% 河南神马 160KG/铁桶 乙二胺 含量99% 日本/美国 180KG/铁桶 二乙烯三胺 含量99% 日本东曹 190KG/包
无锡市多利佳贸易有限公司 2021-08-23
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo 的溅射沉积→非真空法分步电沉积Cu-In-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→Ni/Al 电极沉积,等。
南开大学 2021-02-01
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。
南开大学 2021-02-01
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产,为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心鉴定)。 
南开大学 2021-04-13
一株副蕈状芽孢杆菌及其在硒氧化中的应用
本发明公开了一株副蕈状芽孢杆菌及其在硒氧化中的应用,属于农业微生物技术领域。本发明从华中农业大学硒营养试验田的土壤中筛选分离得到一株副蕈状芽孢杆菌(Bacillus paramycoides)H1,已于2023年6月27保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏编号为CCTCCNO:M 20231107。经实验验证发现,该菌株能够同时氧化单质硒和有机硒。本发明利用该菌株可以将有机硒和单质硒转化为利于促进植物吸收的水溶性硒,为制备安全且成本低廉的植物富硒菌剂、硒氧化剂奠定科学基础,这对硒转化模式菌株的科研工作和农业培育具有重要意义。
华中农业大学 2021-01-12
芯片热设计自动化系统
TDA(芯片热设计自动化)软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真,支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究,直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度,进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学 2025-05-16
揭示单层MoS2能谷直接-间接带隙转变的研究
利用大面积高质量的单层MoS2薄膜,对其施加了流体静压力并进行光谱测量。结果表明单层MoS2在压应力的作用下,其荧光峰先以49.4 meV/GPa的压力蓝移,后以15.3 meV/GPa的压力红移,这对应着直接-间接能带结构的转变,转变点压力为1.9 GPa。
北京大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 13 14 15
  • ...
  • 283 284 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1