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大尺寸均匀单层MoS2可控制备
单层半导体性过渡族金属硫属化合物（MX2:MoS2, WS2等）是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等优点，在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战，例如， 难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。 北京大学研发课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一，在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展：基于范德华外延的机理，他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底，实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备，借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系。
北京大学
2021-02-01
揭示单层MoS2能谷直接-间接带隙转变的研究
利用大面积高质量的单层MoS2薄膜，对其施加了流体静压力并进行光谱测量。结果表明单层MoS2在压应力的作用下，其荧光峰先以49.4 meV/GPa的压力蓝移，后以15.3 meV/GPa的压力红移，这对应着直接-间接能带结构的转变，转变点压力为1.9 GPa。
北京大学
2021-04-11
F-2L单层玻璃反应釜
产品详细介绍2L单层玻璃反应釜参数基本参数 型号 F-2L 玻璃材质 GG-17 底板式主体支架 不锈钢 反应瓶容积 球形2L 釜盖瓶口数 四口 釜体反应温度 -80～200℃ 真空度 -0.098Mpa 搅拌转速 0-600rpm 搅拌轴径 ￠8mm 电机功率 120W 加热功率 1.5KW 电压/频率（V/Hz） 220V/50Hz 外形尺寸（mm） 320/330*1000 底板尺寸（mm） 280*330mm 不锈钢锅胆尺寸（mm） 250*140mm 包装尺寸（mm） 800*480*450 包装重量（KG） 24功能配置 调速方式 电子调速 转速显示方式 数字显示 锅内温度显示方式 智能数显 密封方式 四氟组件密封 24#标口立式冷凝器 40*400mm 24#标口滴加装置 250ml恒压漏斗 减压装置 19#标口减压阀 测温管 19#标口 真空显示方式 真空表 搅拌连接方式 万向节连接 搅拌棒 锚式不锈钢棒，外包四氟可选配置 防爆 防爆变频器、防爆电机EX60W 0-1400转
巩义市瑞德仪器设备有限公司
2021-08-23
单层玻璃反应釜F-2L厂家
产品详细介绍单层玻璃反应釜主要特征： F系列单层玻璃反应釜(器)可在恒温条件下进行各种溶媒合成反应,仪器反应部分为可操控全密封结构,可利用负压连续吸入各种液体和气体,也可在不同温度下做回流或蒸馏. ◆蒸馏、回流可实现同时进行 ◆特殊长效搅拌密封 ◆物料与GG17玻璃和PTFE接触,无交叉污染 ◆数显转速及高、低温显示,操作方便 ◆大清洗口,清洗方便 ◆大放料阀,可放固体、液体 ◆智能式(油、水浴回热或电热套加热） 单层玻璃反应釜技术参数： 基 本 参 数 型号 F-2L 玻璃材质 GG-17 底板式主体支架 不锈钢 反应瓶容积 球形2L 釜盖瓶口数 四口 釜体反应温度 -80-250度 真空度 0.098Mpa 搅拌转速 0-800pm 搅拌轴径 8mm 电机功率 40W 加热功率 1.5KW 电压/频率(V/Hz) 220V/50Hz 外形尺寸(mm*mm*mm) 320*330*1000 底板尺寸(mm*mm*mm) 280*330mm 锅胆尺寸(mm*mm) 不锈钢 250*140mm 包装尺寸(mm*mm*mm) 800*480*450 0.18方 包装重量（KG） 25 功 能 配 置 调速方式 电子无极调速 转速显示方式 数字显示 锅内温度显示方式 数字显示 密封方式 四氟组件密封，￠50法兰搅拌口 冷凝器 立式40*400mm，24#标口 滴加装置 250ml恒压漏斗24#标口 测温管 19#标口 收集装置 转接头带收集瓶 真空显示方式 真空表 搅拌连接方式 万向节连接 搅拌棒 描式不锈钢棒，外包四氟 可选配置 防爆 防爆变频器、防爆电机EX40W 0-1400转 釜内温度显示 可选数字显示 本厂实验室玻璃及实验仪器全部为自主研发，可根据客户实际要求量身定做。
巩义市科华仪器有限公司
2021-08-23
功率MOS器件设计和制备技术
功率DMOS是一类重要的新型功率器件，具控制电路简单、开关频率高、可靠性好等优点，因此广泛应用于开关电源、汽车电子、DC/DC转换等领域，市场需求巨大，目前在功率分立器件领域占据了最大的市场份额。本团队在功率DMOS器件的研究方面有丰富的技术积累，开展了大量前沿性研究和产业化研究，目前本团队在功率DMOS领域累计授权发明专利超过50项，能够量产的产品型号近百种。
电子科技大学
2021-04-10
高迁移率沟道MOS 器件
已有样品/nCMOS 研究团队创新性地在high-k/InGaAs 界面插入极薄外延InP 层， 将high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之间。通过采用多硫化氨[(NH4)2Sx]对InP 进行表面钝化处理并结合低温原子层高k 介质沉积技术，有效抑制了在介质沉积以及金属化后退火过程中的表面氧化和磷原子脱附效应，成功将high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中国科学院大学
2021-01-12
新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上，通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合，最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后，采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学
2021-01-12
“FeTe上外延生长单层Bi2Te3产生的超导电性
拓扑界面超导作为一种二维体系，不仅可以为研究非常规超导体提供很好的平台，还可以为探测马约拉纳费米子提供研究思路，因此具有很高的研究价值，近些年受到广泛的关注。Bi3Te3/FeTe异质结就是一个典型的拓扑界面超导体系，其中FeTe是一种铁硫族化合物（即一种超导母体，但块体并不超导），Bi2Te3则是一种典型的拓扑绝缘体，两者都属于二维材料，且层与层间由范德华力连接。有研究证明，此界面结构的超导电性会随着Bi2Te3厚度增加而逐渐加强，并在5层Bi2
南方科技大学
2021-04-14
单层平推多媒体讲台
产品详细介绍产品名称：单层平推讲台产品型号：昕影FL05电子讲台外型尺寸：宽 1215mm 高980mm深630mm产品材料：全部采用1.0-1.5精装冷轧加厚钢板，表面经酸洗、磷化、防腐、防锈处理后静电喷塑,塑面经久耐用产品功能: 1. 使用方便，用钥匙拧开锁（一把锁控制），轻轻向两边推开或单边推开即可使用，为老师带来更多方便。2.整体造型设计以人为本，边角采用圆弧过度，工艺美观大方。3.多媒体演示教室使用的全封闭钢制讲台,使多媒体设备能得到有力保护，安全防盗。4.实用性强，有足够的平面放置笔记本电脑、教案教具，还可以在讲台上一边做演示实验，一边使用电脑和视频展台。5.安装多功能接口板,有电源、USB、笔记本电脑VGA、音视、视频、网络接口。6.讲台内可放置的多媒体设备有：教学终端、广播终端、中控装置、实物展示台、电脑主机、17-19"显示器、键盘鼠标、VCD、功放、笔记本等
广州市罗诚电子有限公司
2021-08-23
氧化物抑制层辅助二维MoX2 (X=S, Se, Te)单层的可控生长
高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3
南方科技大学
2021-04-14