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一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉,包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13),底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4),观察孔(4)呈管状,其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°~60°;内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况;并且,该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小,能够
华中科技大学 2021-04-14
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉,属于晶体生长装置,克服使用现有泡生法装置需要人工干预完成放肩过程的问题。本发明包括炉体、坩埚、坩埚盖、炉盖和籽晶杆,炉体内敷设有侧壁保温层和底部保温层,围绕炉体内的坩埚设置有侧面加热器和底部加热器,并设置有侧反射屏、底部反射屏和上部反射屏;所述坩埚盖由顶部圆盘和下部圆柱连为一体构成,下部圆柱底端为内凹曲面;工作时,坩埚盖的内凹曲面与熔液接触,可以简化放肩过程,并抑制熔液自然对流和表面张
华中科技大学 2021-04-14
江苏超芯星半导体有限公司研发碳化硅单晶生长技术
公司主营业务为第三代化合物半导体材料,当前产品为 6 寸碳化硅晶体、衬底,未来可拓展至设备和外延技术领先。公司创始人在碳化硅行业有15年以上经验,曾任国际知名碳化硅衬底企业Norstel高级研发工程师,回国后任世纪金光研发副总,获得北京市特聘专家等荣誉,担任国家01专项6寸碳化硅衬底项目负责人,研发出6寸衬底,具备丰富的长晶和设备经验,是国内为数不多的几个掌握碳化硅技术的人员之一。碳化硅半导体材料行业前景广阔,国内碳化硅材料处于起步阶段,落后于国外,能量产的企业很少,6寸衬底都还没实现量产,有技术的新企业仍然有机会。公司团队技术领先,研发出6寸衬底,创始人在行业内知名度高,行业人脉丰富,下游多家器件厂商愿意采购产品形成战略合作,具备量产6寸衬底能力。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接!
四川大学 2021-04-10
一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷,提出了一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法,缓解了衬底与薄膜之间的应力产生,得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光或微波厚膜应用,该方法制得的磁光厚膜的厚度可达100µm以上。
电子科技大学 2021-02-01
单晶机器人
该研究在微纳尺度下对单晶智能材料(二氧化钒)进行相畴结构的工程化有序调控,是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。
南方科技大学 2021-04-14
一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉
本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉,包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室,生长室设置有坩埚,绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈,主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈,主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距,有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内,绝热外壳的顶部设置有气流出口,气流出口作为籽晶杆移动通道,绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整
华中科技大学 2021-04-14
大尺寸蓝宝石单晶
蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料,在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率,可以满足多模式复合制导(如电视等)的要求;同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高,强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高,在民用领域得到广泛应用,作为集成电路的衬底材料,替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路;是发光二极管(LED)衬底的首选材料,采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管,其光源无灯丝、工作电压低,使用寿命可达5万到10万小时,
哈尔滨工业大学 2021-04-14
单晶LaB6空心阴极
北京工业大学 2021-04-14
超大尺寸单晶铜箔库制备
在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展,研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制,在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍(Nature Nanotech
南方科技大学 2021-04-14
黑体炉
产品详细介绍黑体产品分类    黑体按温度分为 低温、中温、高温三段。    低温黑体:下限温度为环境温度以下的黑体。因为下限温度等于和低于环境温度时,需要有制冷设备,因此分类为低温黑体,即Tmin≤T环境。    中温黑体:下限温度为环境温度以上、上限温度为1200℃以下的黑体。因为该段温度为最常用,用普通的加热方式就能实现。因此分类为中温黑体,即T环境<T≤1200℃。     高温黑体:上限温度为1200℃以上的黑体。因为1200℃以上的温度使用地方不多,加热用通常的方式已经不能解决,温度大于1600℃只能进行抽真空。因此分类为高温黑体,即T>1200℃。     说明:各个黑体温度段的温度有重叠和交差,但按照上面的分段均能准确的分类。     如果有特殊要求,可以和我们联系,进行特殊定做。   中温黑体 低温黑体 热管黑体 高温黑体 型    号 HZ-1 HZ-2 HZ-3 HL-3 HL-2 HL-1 RB1-1 RB1-2 RB1-3 HG-1 HGK-1 HG-2 HG-3 工作温度℃ 300~1100 300~1200 50~600 -50~100 -20~100 0~100 室温~150 150~300 300~500 700~1600 300~1600 1400~2500 2200~3000 腔口直径mm Φ40 Φ30 Φ30/Φ40 Φ30 发射率 ≥0.995 ≥0.997 ≥0.995 显示分辨率 0.1℃ 0.01℃ 0.1℃ 1℃ 温度稳定度 ≤±0.5℃/10min ≤±0.1℃/10min   ≤±1℃/10min ≤±1.5℃/10min 电源功率kW 2.0 2.0 0.6 3.2 2.7 1.5 4.0 6.0 重量 kg 25 15 195 100 40 100 500     HZ-3中温黑体 HZ-2中温黑体 HG-1高温黑体 HL-3低温黑体     联系人:王世福(销售副总/总监)     联系电话:010-67810538    13601309802 
北京南奇星科技发展有限公司 2021-08-23
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