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钢板板厚及横向板型曲线测量仪
用于冷轧板材绝对厚度/相对厚度（可自由转换）测量的高灵敏度仪器。 该仪器的测量原理是采用双CCD传感器分别放置于被测钢板厚度上下两面的同一轴线上，沿平行于钢板面移动，采用和差补偿测量电路预处理和采集信号，并将该信号经89C52单片机后，进行一系列数据处理，然后传输给LJD-GP2410 ARM一体机存储并显示测量结果。仪器具有“人机对话”、“输入板带各种参数”、“自动采集数据”、“数据处理”、“存储测量结果”、“显示和传输各种数据”、“打印曲线”等智能化功能。能实现手持简易测量，同时又能在固定导轨测量。 主要性能指标：1. 仪器测量范围：宽度0～2000mm，厚度2～50mm；2. 仪器分辨率：1mm；示值误差：＜5mm。
北京航空航天大学
2021-04-13
一种薄膜在线激光测厚系统及方法
本发明属于非接触式在线测厚领域，并具体公开了一种薄膜在 线激光测厚系统及方法，包括大理石框架和设于大理石框架内部的 C 形架，大理石框架内顶部及底部设置有钢片和导轨；C 形架具有上梁 和下梁，上、下梁之间放置待测薄膜，上梁上下端部设置第一、第二 激光位移传感器，第一、第二激光位移传感器分别用于测量各自发射 点到钢片及待测薄膜上表面的距离，下梁上下端部设置第三激光位移 传感器和滑块，第三激光位移传感器用于测量待测薄膜下
华中科技大学
2021-04-14
一种尖晶石型锰酸锂正极材料的掺杂改性方法
（专利号：ZL 201410635501.7） 简介：本发明公开了一种尖晶石型锰酸锂正极材料的掺杂改性方法，属于纳米技术领域。该方法主要包括：将锂离子、掺杂离子的盐溶液分别加入到柠檬酸溶液中，调pH值，加入乙二醇，加热搅拌，形成溶胶；将四氧化三锰粉体与上述溶胶混合、球磨；球磨产物经微波脱水及随后的热处理，制得掺杂的尖晶石锰酸锂正极材料。本发明制得的掺杂锰酸锂正极材料的比容量大，倍率性能好，循环性能优异，同时本发明的工艺简单、成本低廉、效率
安徽工业大学
2021-01-12
膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫
膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫工艺由常州大学首先提出，并且进行了长达14年的研究，取得了很好的效果。膜吸收与膜蒸馏集成天然气脱硫工艺,主要利用膜吸收器系统实现天然气脱硫，利用真空膜蒸馏富液再生系统实现脱硫液的再生。目前，该成果已处于中试阶段。希望与相关设计院、研究院、设备生产厂家和油气田天然气处理厂。 先进性： 与传统脱硫工艺相比，本工艺具有以下优点：（1）投资运行费用低：比吸附法节约投资费39.8％，节约运行费51.0％；比吸收法节约投
常州大学
2021-04-14
空心纤维血液透析器中空纤维膜膜孔检测
发榜企业：广东中爱医疗科技股份有限公司
悬赏金额：5万元
需求领域：图形图像处理、自动化与智能控制技术
技术关键词：图形和图像软件、人工智能
支柱产业集群：生物医药与健康产业集群
广东中爱医疗科技股份有限公司
2021-11-02
凹凸棒石基催化载体材料
光催化剂的实用化研究一直受到人们的广泛重视，目前的研究热点主要集中在探索新型光催化材料，将凹凸棒土的高吸附特性和光催化技术结合起来，将活性光催化剂负载在凹凸棒土表面，可以解决光催化剂的固定化问题，明显提高催化剂的光催化性能；同时，由于凹凸棒土的特殊棒晶状结构，使光催化剂易于沉降、分离，重复利用，解决了催化剂的重复利用问题，具有突出的优点和特点。
成果亮点
技术特点：一种CO2转化为环碳酸酯的高效纳米催化剂及其制备方法，通过将天然凹凸棒矿石粉碎筛选，去除杂质，得到凹凸棒粉末后分散到第一溶剂中，加入改性剂，搅拌反应，接着离心、洗涤、干燥处理，即得高效纳米催化剂。这种CO2转化为环碳酸酯的高效纳米催化剂的制备方法，得到的高效纳米催化剂作为一种高效催化CO2合成环碳酸酯的催化剂，具有催化剂原料易得、成本低廉，还具有选择性好、结构稳定的特点；制备得到的高效纳米催化剂在进行催化反应时，具有不使用溶剂，催化条件温和、底物适用范围广等优点，有潜在的工业化利用价值。
兰州大学
2021-01-12
凹凸棒石基无机环保颜料
无机环保颜料是无机颜料品种中新出现的一类能够满足人们对环境和健康要求的颜料。这类颜料的特点是组成中不含有对人体和环境有害的元素和化学物质。无机环保颜料中最重要的就是环保型彩色混相无机颜料。
成果亮点
技术特点：凹凸棒石是一种以凹凸棒石为主要成分的含水富镁、铝硅酸盐矿物，其独特的纳米棒状结构和表面活性硅烷醇基团赋予其大的比表面积和优异的吸附性能，可利用凹凸棒石的元素组成与结构特点，研制出不同种类的无机环保颜料，改善颜料纯度和色泽，降低颜料成本。
兰州大学
2021-01-12
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14