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一种桥梁支座垫石的更换维修方法一种桥梁支座垫石的更换维修方法
本发明公开了一种桥梁支座垫石的更换维修方法，属于桥梁工 程施工领域，包括 S1 首先对主梁执行上升操作，接着取走原支座并清 理原支座垫石及其周围区域，使之清洁以便于后续灌浆操作；S2 在原 支座垫石区域设置钢套箍，以使所述原支座垫石区域被所述钢套箍包 围以形成灌浆空间；S3 向所述灌浆空间执行灌浆操作，以所述钢套箍 为模板使浆料凝固，以此方式形成四周套箍有所述钢套箍的新支座垫 石，从而实现对原支座垫石的更换维修。本发明方法无需清除原破损 支座垫石，也无需拆除模板，修复彻底，并适用于增大支座垫石情况，
华中科技大学
2021-04-14
输电铁塔用高强厚壁角钢温冲孔技术开发
通过一套加热装置，在现有的数控型钢联合生产线设备上，实现对Q420高强钢工件的自动加热和冲孔，以期达到提高生产效率的目的。项目研究创新了高强、厚板、小孔冲裁的加工工艺；确定了温度对高强钢强度、塑性、韧性指标的影响程度。该项目采用冲技术进行冲孔，实现了无裂纹冲裁，保证了孔周围组织的稳定，可生产出合格产品。◆经济效益及市场分析 应用领域是输电线路杆塔加工。随着国家节能减排目标的实施，高强度级别的高强钢在输电铁塔上的应用越来越广泛，所占比例越来越重，500kV以上线路铁塔中，Q420高强钢所占比重高达50%以上。而Q420高强钢在常温下冲孔很难保证孔径周围材质的稳定，因此铁塔设计要求Q420高强钢常温下加工必须钻孔。但钻孔效率低，严重制约了生产厂家的铁塔产量。因此该成果为杆塔生产厂家加工Q420或以上强度级别的高强钢提供了一项高效率的制孔技术。
北京科技大学
2021-04-11
急倾斜特厚煤层深部煤岩动力灾害防治技术
本项成果以以急倾斜特厚煤层深部煤岩动力失稳防治为目标，系统研究工程尺度采动卸压条件下煤岩体的破坏机理，揭示急倾斜特厚煤层深部综放开采期间煤岩动力失稳致灾规律，建立了动压预报技术，制订适合急倾斜煤层深部动压危险预警与管理制度，实现安全开采。项目通过中国煤炭工业协会鉴定达到国际先进水平。
西安科技大学
2021-04-11
覆膜支架
动脉瘤是由于动脉血管壁因发生疾病、损伤或先天性因素引起的血管壁局部变得薄弱，在承受血流的冲击下，该处动脉血管壁的薄弱点向外突出，逐渐扩张，形成的圆形、椭圆形或棱形的囊状膨大。动脉瘤是一种有潜在生命危险的疾病，动脉瘤在血流的冲击下不断生长，压迫周围器官或组织引起症状。由于血压增高或其他因素引起的动脉瘤破裂，发生急剧的出血。动脉瘤可发生在身体的不同部位，最常见的是腹主动脉瘤和颅内动脉瘤。为避免外科手术高风险，血管内介入治疗逐渐成为治疗动脉瘤的主要方法，血管内介入治疗具有创伤小、并发症少、安全性高、患者痛
上海理工大学
2021-01-12
离子膜烧碱
工艺：离子膜法
物理属性：纯品为无色透明液体，吸湿性很强，腐蚀性强。
主要用途：是重要的化工基础原料，广泛用于纺织印染、冶炼、医药、涂料等行业。同时具有食品级的生产许可证，可作为食品添加剂使用。
技术指标
序号
项目
液碱
优等品
一等品
1
浓度
32%
熔点(℃)
318.4
沸点(℃)
1390
相对密度(水=1)
2.130
2
氢氧化钠 ≥
32.0
3
碳酸钠 ≤
0.04
0.06
4
氯化钠 ≤
0.004
0.007
5
三氧化二铁 ≤
0.0003
0.0005
6
二氧化硅 ≤
0.0015
0.003
7
氯酸钠 ≤
0.001
0.002
8
硫酸钠 ≤
0.001
0.002
9
三氧化二铝 ≤
0.0004
0.0006
10
氧化钙 ≤
0.0001
0.0005
德州实华化工有限公司
2021-09-09
喷漆遮蔽膜
青岛正大定制防尘膜参数
常规尺寸：3*2.6m, 4*5m, 5*5m 其他可以定做。
宽度：6-500cm
长度：任意,建议50m以内
厚度：0.5~20s（5~200μm）
颜色：通常为半透明白色
材质：HDPE
原料：食品级全新料
质量认证：ISO9001/ SGS
包装：1片/袋；2片/袋；可按要求包装
Logo印制/包装印刷: 支持
产量：50000件/天
青岛正大环保科技有限公司
2021-09-02
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14