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一种薄膜在线激光测厚系统及方法
本发明属于非接触式在线测厚领域，并具体公开了一种薄膜在 线激光测厚系统及方法，包括大理石框架和设于大理石框架内部的 C 形架，大理石框架内顶部及底部设置有钢片和导轨；C 形架具有上梁 和下梁，上、下梁之间放置待测薄膜，上梁上下端部设置第一、第二 激光位移传感器，第一、第二激光位移传感器分别用于测量各自发射 点到钢片及待测薄膜上表面的距离，下梁上下端部设置第三激光位移 传感器和滑块，第三激光位移传感器用于测量待测薄膜下
华中科技大学
2021-04-14
凹凸棒石基催化载体材料
光催化剂的实用化研究一直受到人们的广泛重视，目前的研究热点主要集中在探索新型光催化材料，将凹凸棒土的高吸附特性和光催化技术结合起来，将活性光催化剂负载在凹凸棒土表面，可以解决光催化剂的固定化问题，明显提高催化剂的光催化性能；同时，由于凹凸棒土的特殊棒晶状结构，使光催化剂易于沉降、分离，重复利用， 解决了催化剂的重复利用问题，具有突出的优点和特点。 技术特点：一种 CO2 转化为环碳酸酯的高效纳米催化剂及其制备方法，通过将天然凹凸棒矿石粉碎筛选，去除杂质，得到凹凸棒粉末 后分散到第一溶剂中，加入改性剂
兰州大学
2021-01-12
凹凸棒石基无机环保颜料
无机环保颜料是无机颜料品种中新出现的一类能够满足人们对 环境和健康要求的颜料。这类颜料的特点是组成中不含有对人体和环 境有害的元素和化学物质。无机环保颜料中最重要的就是环保型彩色 混相无机颜料。 技术特点：凹凸棒石是一种以凹凸棒石为主要成分的含水富镁、铝硅酸盐矿物，其独特的纳米棒状结构和表面活性硅烷醇基团赋予其大的比表面积和优异的吸附性能，可利用凹凸棒石的元素组成与结构特点，研制出不同种类的无机环保颜料，改善颜料纯度和色泽，降低颜料成本。
兰州大学
2021-01-12
覆膜支架
动脉瘤是由于动脉血管壁因发生疾病、损伤或先天性因素引起的血管壁局部变得薄弱，在承受血流的冲击下，该处动脉血管壁的薄弱点向外突出，逐渐扩张，形成的圆形、椭圆形或棱形的囊状膨大。动脉瘤是一种有潜在生命危险的疾病，动脉瘤在血流的冲击下不断生长，压迫周围器官或组织引起症状。由于血压增高或其他因素引起的动脉瘤破裂，发生急剧的出血。动脉瘤可发生在身体的不同部位，最常见的是腹主动脉瘤和颅内动脉瘤。为避免外科手术高风险，血管内介入治疗逐渐成为治疗动脉瘤的主要方法，血管内介入治疗具有创伤小、并发症少、安全性高、患者痛
上海理工大学
2021-01-12
离子膜烧碱
工艺：离子膜法
物理属性：纯品为无色透明液体，吸湿性很强，腐蚀性强。
主要用途：是重要的化工基础原料，广泛用于纺织印染、冶炼、医药、涂料等行业。同时具有食品级的生产许可证，可作为食品添加剂使用。
技术指标
序号
项目
液碱
优等品
一等品
1
浓度
32%
熔点(℃)
318.4
沸点(℃)
1390
相对密度(水=1)
2.130
2
氢氧化钠 ≥
32.0
3
碳酸钠 ≤
0.04
0.06
4
氯化钠 ≤
0.004
0.007
5
三氧化二铁 ≤
0.0003
0.0005
6
二氧化硅 ≤
0.0015
0.003
7
氯酸钠 ≤
0.001
0.002
8
硫酸钠 ≤
0.001
0.002
9
三氧化二铝 ≤
0.0004
0.0006
10
氧化钙 ≤
0.0001
0.0005
德州实华化工有限公司
2021-09-09
喷漆遮蔽膜
青岛正大定制防尘膜参数
常规尺寸：3*2.6m, 4*5m, 5*5m 其他可以定做。
宽度：6-500cm
长度：任意,建议50m以内
厚度：0.5~20s（5~200μm）
颜色：通常为半透明白色
材质：HDPE
原料：食品级全新料
质量认证：ISO9001/ SGS
包装：1片/袋；2片/袋；可按要求包装
Logo印制/包装印刷: 支持
产量：50000件/天
青岛正大环保科技有限公司
2021-09-02
一种尖晶石型锰酸锂正极材料的掺杂改性方法
（专利号：ZL 201410635501.7） 简介：本发明公开了一种尖晶石型锰酸锂正极材料的掺杂改性方法，属于纳米技术领域。该方法主要包括：将锂离子、掺杂离子的盐溶液分别加入到柠檬酸溶液中，调pH值，加入乙二醇，加热搅拌，形成溶胶；将四氧化三锰粉体与上述溶胶混合、球磨；球磨产物经微波脱水及随后的热处理，制得掺杂的尖晶石锰酸锂正极材料。本发明制得的掺杂锰酸锂正极材料的比容量大，倍率性能好，循环性能优异，同时本发明的工艺简单、成本低廉、效率
安徽工业大学
2021-01-12
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14