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硅基光电子集成技术
基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术，可实现低成本、批量化生产，并具有和微电子单片集成的潜力，是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连，也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。
在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下，针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题，提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构，形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程，成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。
该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑，也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”，对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底，Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。
上海交通大学
2021-04-13
山东硅科新材料有限公司
山东硅科新材料有限公司于2013年10月成立，位于金乡县济宁市化学工业经济技术开发区，注册资本5000万元，固定资产6000万元，厂区占地230亩。山东硅科新材料有限公司是一家致力于生产硅烷偶联剂及有机硅中间体的民营高科技企业，以精细化工为基础，集生产、经营、科研与一体，拟新建年产硅烷偶联剂系列产品（包括中间体）21000吨，产品项目涉及三大系列，包括乙烯基系列硅烷及其中间体6850吨/年、氨基系列硅烷及其中间体5500吨/年、环氧基系列硅烷及其中间体8650吨/年，分列三大车间生产，共计10套生产装置。本项目中间体总量为10100吨/年，最终产品重量为10900吨/年。
晨光化工一直以来是有机硅精细化工及其衍生产品的生产商和相关产品应用方案的提供商。作为有机硅行业的先行者之一，凭借多年的不懈追求，我公司目前在中国同业中确立了领先地位，并积极开展国际市场的供应服务。我公司已获得ISO9001:2008质量管理体系认证和ISO14001:2004环境管理体系认证，主要产品已经进行了REACH预注册。
山东硅科新材料有限公司
2021-09-01
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用
本发明属于光电半导体材料技术领域，具体为一种银铋卤化物单晶及其制备方法与应用。本发明改进的溶液蒸发结晶工艺，通过控制溶液浓度、溶剂挥发速率和退火温度，有效提升单晶的尺寸完整性，控制缺陷密度；具体包括：配制合适浓度前驱体溶液；量取前驱体溶液滴至柔性疏水基底上；将液滴蒸干批量获得单晶；进行热退火以释放晶格应力；所得高品质Cs<subgt;2</subgt;AgBiBr<subgt;6</subgt;单晶，元素分布均匀，具有(111)晶面择优取向和优异热稳定性。本发明方法显著缩短生产周期并提升工艺重复性。所述银铋卤化物单晶可用作高效稳定光电探测器的核心功能材料，在光探测领域具有巨大应用潜力。
复旦大学
2021-01-12
基于分层智能搜索算法的玻璃切割优化软件
切割问题和装填问题在学术界属于一类经典的NP 难问题，它们有着众多的变种，例如：一维的背包问题，二维的矩形切割问题，三维的装箱问题等。其中以二维的场景应用最为广泛，相关求解算法可以作为玻璃、板材、管材、服装切割套料智能制造的算法内核。
本软件的主要用途是针对玻璃切割的场景提出求解多约束的矩形切割问题的分层智能搜索算法，为玻璃切割方案提供全局优化，实现原料利用率的最大化，在节约资源的同时提高产量。
华中科技大学
2022-03-28
一种基于切割重排的高斯光束整形系统
本发明涉及一种高斯光束整形系统，将具有高斯状分布的圆光 斑整形成均匀分布的线条形光斑，用于激光扫描加工，提高加工效率 和提高表面温度均匀性。本系统由扩束系统、空间切割重排系统和聚 焦系统组成。扩束采用具有一定焦距比的负柱面镜和正柱面镜，实现 在其中一个方向的扩束。光束空间切割采用一组具有一定旋转角度的 平行平板玻璃，切割产生多分子光束并产生一定的偏移。经另外一组 具有一定旋转角度的平行平板玻璃重排，将重排后的光斑经柱
华中科技大学
2021-04-14
一种无人机高空焊接和切割方法
本发明涉及自蔓延反应与无人机焊接和切割技术，具体地说是涉及一种基于自蔓延反应的无人机焊 接和切割方法。整个焊接/切割过程利用自蔓延化学反应放热，完全(或部分)不需要外热源。焊接中通 过快速自动波燃烧的自维持反应得到所需成份和结构的产物。利用无人机搭载自蔓延设备，可快速到达 危险或人工难以到达的区域。通过携带不同种类的自蔓延粉末，可实现不同材质的焊接/切割。将自蔓延 反应焊接/切割与无人机相结合，提
武汉大学
2021-04-14
基于可切割自聚集标签的多肽表达纯化方法
01. 成果简介 本项成果提供了一种多肽的合成方法，利用了自聚集短肽诱导目标多肽的聚集，使得生物合成的多肽以沉淀形式保护下来，从而避免降解；然后通过体外切割，获得目标多肽，优化了多肽合成和分离的工艺，操作简便且不受多肽的长度限制，有望为多肽药物的高效制备提供一种解决方案。 具体的，在目标多肽的N端或C端融合一段自聚集短肽，这两者之间采用一个连接肽将两者融合。这个连接肽可以是化学切割、酶切割的识别序列或自切割肽（内含肽）。通过分子克隆，将这三段肽（目标肽、连接肽、自聚集短肽）克隆并转化至表达菌株（如大肠杆菌BL21（DE3））中进行表达。随后通过离心或过滤收获菌体，利用高压、超声波等技术进行细胞破碎；再通过离心或过滤收集不可溶部分（聚集体）；在简单洗涤后，根据所选的连接肽的属性进行切割，如化学切割，蛋白酶切割或诱导自切割；再通过离心或过滤去除不可溶部分，收集上清即可得到粗纯多肽产品。如下图所示： 02. 应用前景 基于本项技术可以合成糖尿病仿制药利拉鲁肽、矮小症仿制药生长激素（hGH）等。03. 知识产权 相关成果已授权3项中国发明专利及1项美国专利。04. 团队介绍 团队主要研究领域为合成生物学和生物制药（包括他汀类化学药物和多肽药物），负责人林章凛博士为教授、博士生导师，教育部长江学者，广东省“珠江人才计划”科技领军人才。先后承担973、863、国家重点研发计划专项、国家自然科学基金等科研项目，发表SCI论文50余篇，申请专利20余项。05. 合作方式 商务合作。06. 联系方式 lijiaoli2016@tsinghua.edu.cn biyangxf@scut.edu.cn
清华大学
2021-04-13