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成都英特罗克双量程可编程直流电源IPL系列
产品详细介绍双量程，额定输出20V，10A或8V，20A，单路可调· 低纹波、低噪声· 3.5英寸TFT液晶屏幕显示· 恒压、恒流工作状态自动切换 · 过压、过流、过温和短路的自动保护· 具有Remote Sensing功能，输出更准确· ListMode功能，可预存100组电压、电流和时间数据，简便输出方波电压或电流· 配RS232C和GPIB通信接口· 提供标准SCPI指令集，支持Agilent、NI VISA· 智能风扇控制· 可拆卸的通风窗口 · 适用于19英寸标准上架机柜，高度3U，宽度1/2个标准机箱
成都英特罗克科技有限公司
2021-08-23
双转台五轴联动数控机床的夹具高度及加工路径优化方法
本发明公开了一种双转台五轴联动数控机床的夹具高度及加工路径优化方法，该方法包括：(1)生成刀位轨迹文件；(2)提取刀位点位置坐标值和刀轴矢量；(3)计算双转台 A 轴旋转角度θA 和 C 轴旋转角度θC；(4)计算出系数和以及(5)利用这些系数计算出最优夹具高度，由此实现对机床的夹具高度及加工路径优化过程。通过本发明，由于最大程度避免了刀具及安装刀具的机床主轴在机床坐标系下的 X、Y、Z 轴上不必要的平移运动，可以有效地缩短加工时间，并能够避免局部运动幅度过大造成的加工质量劣化和撞刀事故。
华中科技大学
2021-04-11
InP基多量子阱光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器技术
基于平面光波光路(PLC)技术的各类光功能器件，是实现现代高速光网络、高速光信号处理、大容量光互连节点和终端设备中光信号处理模块的基础。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半导体工艺，以脊波导为基础，具有体积小、功耗/损耗低、可靠性高、性价比高等优点，在国际上即将形成新的产业热点。电子科学与工程学院光子学与光通信研究室顺应这一趋势，潜心攻关，埋头研究，历时四年完成了InP多量子阱PLC单元器件理论与实验研究。在国内首次建立了PLC光路设计和光学特性测试平台，探索出国产化工艺加工途径，取得多项自主知识产权，成功地研制出InP基多量子阱PLC无源光子器件。包括光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器等，于2007年2月通过了教育部组织并主持的科技成果鉴定，达到国际先进水平。
东南大学
2021-04-10
热议二十大 | 管培俊：科教兴国新征程与高等教育的使命
举世瞩目的中国共产党第二十次全国代表大会胜利闭幕。习近平在大会上作的题为《高举中国特色社会主义伟大旗帜 为全面建设社会主义现代化国家而团结奋斗》的报告，引发热烈反响。中国高等教育学会副会长管培俊撰文谈学习体会。
中国高等教育学会
2022-10-31
高效率、大面积碳纳米管 - 硅异质结太阳能电池
碳纳米管-硅太阳能电池将具有优异透明导电性能的碳纳米管和高吸光性能的单晶硅完美结合，工艺简单，备受学术界关注。和目前光伏领域所研究的钙钛矿、半导体薄膜、量子点等材料相比，碳纳米管-硅电池将传统硅材料和新型碳纳米材料两者优良的光电性能相结合，有望成为下一代光伏候选技术。和传统晶体硅电池相比， 该电池省略了制备p-n结的热扩散工艺，小面积时无需蒸镀金属栅格，单壁碳纳米管的导电性和载流子迁移率远远高于晶体硅，因此具有低成本、高效率的优点。目前， 该领域的典型结构，无论是碳纳米管-硅还是石墨烯-硅电池，都存在电池效率仍有待提高、电池面积偏小的问题，距离实际应用还比较遥远。
北京大学
2021-02-01
一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管
本实用新型公开了一种石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管，该发光二极管是自下而上依次有蓝宝石衬底层或硅衬底层、氮化镓层、银量子点层、石墨烯层，在氮化镓层上还设有侧面电极，在石墨烯层上设有正面电极，所述的氮化镓层厚度为2～10μm；本实用新型的石墨烯/银量子点/氮化镓双向发光二极管利用银量子点表面等离子体增强发光，同时结合石墨烯材料的高透光性、高导电性和氮化镓优异的发光性能，正反偏压下均可发光且波段多样，亮度高，制备工艺简单，成本低。
浙江大学
2021-04-13
一种FRP约束PVC管-钢管内填混凝土防火组合柱的制作方法
（专利号：ZL 201310543282.5） 简介：本发明公开了一种FRP约束PVC管-钢管内填混凝土防火组合柱的制作方法。该方法具体步骤为：（1）沿PVC管的环向每隔一定距离开槽，将浸透环氧树脂的FRP条带缠绕在PVC管开槽处，养护一定时间形成FRP约束PVC管；（2）在FRP约束PVC管内粘贴纵向FRP加劲肋；（3）根据构件承载力要求，在FRP约束PVC管内设置钢管；（4）在FRP约束PVC管和钢管之间浇筑混凝土，养护至混凝土硬化；
安徽工业大学
2021-01-12
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。
湖北工业大学
2021-01-12
铂/碳纳米管催化剂的制备及在糠醛催化加氢中的应用
本发明涉及糠醛催化加氢技术，旨在提供一种铂/碳纳米管催化剂的制备及在糠醛催化加氢中的应用。该催化剂的制备过程包括：取碳纳米管放入浓硝酸室温下进行超声和加热搅拌回流处理，冷却后取出浸泡、洗涤和抽滤，直至滤液中性；然后干燥备用；氯铂酸稀溶液中加入处理过的碳纳米管载体，在室温下等体积浸渍、静置后；磁力搅拌和温水浴条件下蒸干水分后干燥；在使用之前，将催化剂置于氮氢混合气氛中高温还原，得到铂负载量为1.0wt％的铂/碳纳米管催化剂。本发明方法工艺简单，操作方便，能耗低，反应中不需要加热，且所用氢气压力较低。能在室温条件下对糠醛进行加氢，转化率和选择性较高。催化剂多次使用后仍能保持高活性，且基本不积碳。
浙江大学
2021-04-13
一种利用对染料吸附程度分析碳纳米管羧基化程度的方法
专利名称：
天津工业大学
2021-01-12