产品详细介绍万向抽气罩(吸顶式/壁式/桌上型) 关节:高密度PP/PC材质,可360度旋转调节方向,易折卸、重组及清洗 关节密封圈：不易老化之高密度橡胶 支撑弹簧/关节连接杆：304不锈钢 关节松紧旋钮：高密度PP/PC制成，内嵌铜质螺母，与关节连接杆锁合 气流调节阀：手动调节外部阀门旋钮，控制进入之气流量。 拱形/杯形集气罩：直径375mm/200mm，高密度PP/PC制成，红色、灰色和透明三种选择。 伸缩导管：直径75mmPVC/PC 360度旋转、装置（三节）：以固定架为中心，最大活动半径可达1600mm 固定架：304不锈钢（吸顶式/壁式），PP/PC（桌上型） 说明：PC需为塑胶类中不助燃之材质，且为塑胶类中耐高温之材质，符合实验室安全之需求。  

传统上多采用Ni/Au金属作为LED的电极，降低出光效率，因此，需要采用 透明电极。针对LED对透明电极的要求，利用磁控溅射法在玻璃衬底上设计不同 气氛、衬底温度、工作气压、溅射功率、靶距、溅射时间等参数下的实验制备 CI0和ZA0薄膜，探寻制备两类薄膜的合适的工艺条件；并研究了退火处理对制 备薄膜的结构和性能的影响。制备出高质量、高性能的CI0和ZA0薄膜，发现薄 膜的透光率均在80%以上，甚至可高达91%,电阻率达到10-3Q. cm数量级或 更低，达到了 LED用透明电极薄膜材料的性能要求。

传统上多采用Ni/Au金属作为LED的电极，降低出光效率，因此，需要采用透明电极。针对LED对透明电极的要求，利用磁控溅射法在玻璃衬底上设计不同气氛、衬底温度、工作气压、溅射功率、靶距、溅射时间等参数下的实验制备CIO和ZAO薄膜，探寻制备两类薄膜的合适的工艺条件；并研究了退火处理对制备薄膜的结构和性能的影响。制备出高质量、高性能的CIO和ZAO薄膜，发现薄膜的透光率均在80%以上，甚至可高达91％，电阻率达到10－3Ω.cm数

产品详细介绍PF-1C型复合氟离子电极，集氟离子选择电极与参比电极为一体，单独1只电极即可进行使用。用于测定水溶液中氟离子活度或间接测定能与氟离子形成稳定络合物的离子活度的电极。复合氟离子电极技术参数：测量范围：10-1~10-5MF（即1-5PF或1900-0.19PPM）溶液温度：15~35℃绝缘电阻：大于等于1乘10（11次方）欧姆电极内阻：小于等于10兆欧零电位：0-1PF液接界：陶瓷芯参比电极：Ag/Agcl电极接口：BNC外形尺寸:￠12×140mm

楚航科技车规级平台研发生产的77GHz前向长距雷达，探测距离可达220m，具备高度检测功能，抗干扰能力强，雷达能够识别遮挡并做报警提示，产品符合ISO26262 功能安全ASIL B等级，实现ACC（自适应巡航）、AEB（自动紧急制动）、FCW（前方碰撞预警）等功能。

产品详细介绍实验室离子电极，PCL-1型氯离子电极，6801型钠离子电极，PNH3-1型氨气敏电极，PCa-1型钙离子电极，PBF4-1型氟硼酸根电极，PNO3-1型硝酸根离子电极，PI-1型碘离子电极，PCN-1型氰离子电极，PBr-1型溴离子电极，PAg/S-1型银硫离子电极，PCu-1型铜离子电极 技术指标： 名称 型号 测量范围 敏感膜类型 内阻 溶液温度 外形尺寸（D×Lmm） 钾电极 PK-1 10-1～10-5 PVC膜 ≤50 5~60 φ10×120 钙电极 PCa-1 10-1～10-5 PVC膜 ≤50 5~60 φ10×120 硝酸根电极 pNO3-1 10-1～10-5 PVC膜 ≤50 5~60 φ10×120 氟硼酸根电极 pBF4-1 10-1～3×10-6 PVC膜 ≤50 5~60 φ10×120 高氯酸根电极 pCIO4-1 10-1～5×10-6 PVC膜 ≤50 5~60 φ10×120 氯电极 pCI-1 10-1～5×10-5 盐膜 < 1 5~60 φ10×120 溴电极 pBr-1 10-1～5×10-6 盐膜 < 0.5 5~60 φ10×120 碘电极 pI-1 10-1～5×10-7 盐膜 < 0.5 5~60 φ10×120 氢电极 pCN-1 10-2～10-6 盐膜 < 30 5~60 φ10×120 银 / 硫电极 PAg/S-1 10-1～5×10-7 盐膜 < 0.05 5~60 φ10×120 铅电极 pPb-1 10-1～5×10-7 盐膜 < 0.5 5~60 φ10×120 铜电极 pCu-1 10-1～5×10-7 盐膜 < 0.5 5~60 φ10×120

本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次 沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制 作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生 长 Cu(OH)2 纳米线；去除残余的光刻胶；对 Cu(OH)2 纳米线进行热分 解，得到 CuO 纳米线；对 CuO 纳米线进行还原，得到铜纳米线；利 用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个 基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的

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