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一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法
本发明公开了一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻 辑操作方法，非易失性逻辑器件包括磁头以及依次附着于衬底上的底 电极、绝缘层，相变磁性薄膜和顶电极；其中相变磁性材料由一种相 变材料基质中掺杂铁磁性元素构成，材料的磁性能够通过非晶态-晶态 相变来可逆调控。本发明基于材料的相变控磁特性实现“实质蕴涵” 逻辑运算以及“与”、“或”、“与非”和“或非”四种布尔逻辑运 算，其运算结果以材料的剩余磁化存储在器件中，从而实现
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合内存系统
本发明公开了一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合 内存系统，将非易失存储器和动态随机存取存储器融合在一起，共同 作为计算机系统的内存统一管理，其中动态随机存取存储器既可以与 非易失存储器统一编址，亦可以以部分容量充当非易失存储器的高速 缓冲存储器(cache)，其 cache 空间的容量大小自适应数据负载特点而动 态可配，以便加快非易失存储器的访问速度，并能降低 I/O 访问磁盘 频率，提高计算机系统整体性能。
华中科技大学
2021-04-14
清华大学电机系易陈谊课题组在钙钛矿太阳能电池领域取得重要进展
清华大学电机系易陈谊课题组采用真空热蒸发镀膜与传统溶液法相结合的工艺制备高质量钙钛矿薄膜，突破了目前无甲胺铯甲脒铅卤钙钛矿（铯甲脒钙钛矿）太阳能电池效率的最高记录。
清华大学
2022-05-27
浙江大学易聪课题组《Cell》合作发文发现新型聚集体自噬受体CCT2介导固态蛋白聚集体的清除
聚集体自噬是清除细胞内毒性蛋白聚集体的重要途径，也是治疗聚集体相关疾病例如神经退行性疾病的重要靶点。在聚集体自噬过程中，自噬体如何选择性地识别蛋白聚集体一直是一个重要问题，而其中的机制也亟待进一步阐明。
浙江大学
2022-04-07
人才需求；分布式存储系统架构领域技术性人才，重删领域技术性人才，资源调度领域技术性人才，非易失介质领域技术性人才，网络领域技术性人才
1、机器学习领域技术性人才
2、存储系统领域技术性人才
3、系统软件领域技术性人才
4、分布式存储系统架构领域技术性人才
5、分布式存储系统重删领域技术性人才
6、分布式存储系统资源调度领域技术性人才
7、分布式存储系统非易失介质领域技术性人才
8、分布式存储系统网络领域技术性人才
9、固态盘领域技术人才
浪潮集团有限公司
2021-06-16