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一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学
2021-04-14
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
固态存储关键技术研究和产业化
本项目属于电子信息中计算机及外部设备领域和微电子集成电路领域的交叉融合。信息系统中，CPU、操作系统、存储是三大核心，其中存储的安全性是信息安全的基础保障。安全可靠、自主可控的存储部件更是我国健康发展飞机、导弹、航天器等战略设施的核心。过去，存储设备一直被国外少数公司垄断，我国的信息安全战略发展受到严重限制。项目组通过校企产学研合作，成功研制出国内首创、国际先进的计算机固态硬盘（SSD）控制器芯片，研制出国内首创、国际先进的嵌入式固态微硬盘（eMMC）控制器芯片，研制出国内首创、国际先进的加密U 盘控制器芯片，设计和生产出全球业界密度最高的固态硬盘，实现了产业化应用，这是我国少有的核心技术进入国际竞争的项目。
杭州电子科技大学
2021-05-06
一种固态存储设备的地址分配方法
本发明公开了一种固态存储设备的地址分配方法，适用于基于 闪存的多通道固态存储设备，属于固态存储领域，解决现有的分配策 略中存在的读写请求冲突问题。解决在读写请求混合的工作负载中， 请求的响应时间变长的问题。本发明方法包括通道权值的分配，物理 地址分配以及冲突预测避免机制。本发明为读、写请求以及垃圾回收 操作分配不同的权值，权值可以根据用户的需求调整，以适应不同的 读写性能要求，充分利用固态存储设备内部的并行性，并根据
华中科技大学
2021-04-14
一种软件定义的固态盘融合存储方法
本发明公开了一种软件定义的固态盘融合存储方法，在主机端 增加主机端融合存储层 HFSL（Host-Fusion-Storage-Layer），直接获取 固态盘的物理块特性以及使用过程中的统计信息，结合上层数据访问 特点进行固态盘的复杂 IO 调度及管理，以及分配粒度可变的地址映射 方 法 实 现 固 态 盘 持 久 化 的 高 性 能 。 本 发 明 在 主 机 端 实 现 对 NAND-FLASH 的性能优化以及 PCM 与 N
华中科技大学
2021-04-14
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11
中国科大实现光子偏振态的可集成固态量子存储
郭光灿院士团队在固态量子存储领域取得重要进展。该团队李传锋、周宗权研究组基于自主加工的激光直写波导，实现了光子偏振态的可集成固态量子存储，存储保真度高达99.4±0.6%，该工作显著推进了可集成量子存储器在量子网络中的应用。
中国科学技术大学
2022-06-02
一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离
华中科技大学
2021-04-14
一种基于协作的固态盘存储系统性能提高方法
本发明公开了一种基于协作的固态盘存储系统性能提高方法， 包括：将数据块分为热数据块和冷数据块，搜集垃圾回收信息，将垃 圾回收信息传递到设备端的固态盘，固态盘接收垃圾回收信息并执行 垃圾回收操作。本发明利用主机端和设备端的协作式垃圾回收来提高 固态盘存储系统的性能。
华中科技大学
2021-04-14