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碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料
碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料耐腐蚀、耐高温、耐磨损、韧性高，能够广泛用于能源、交通、化工等领域的关键部件，比如摩擦制动材料、耐化学腐蚀叶片等。
东南大学
2025-02-08
长寿命磷酸盐钠离子电池正极材料
研发团队针对NASICON型结构钠离子电池正极材料面临的瓶颈问题，通过新颖的合成方法和材料晶体结构设计理念，成功开发了具有自主知识产权的长寿命、高功率和低成本的钠离子电池及其超稳定的正极材料。材料合成方法简单，反应条件温和，不需要特殊设备，目前已完成实验室中试，具备了公斤级的制备能力。成果具有高的振实密度，可实现高体积能量密度，具有非常优秀的实用化潜力。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
高性能低膨胀铝基复合材料及构件
卫星在轨运行和返回过程中需经历极端高低温环境，构件尺寸的稳定是保证卫星在轨高精度、返回高安全、任务高可靠的关键。针对卫星搭载的某宽带微波载荷与卫星本体材料之间热膨胀系数不匹配极易导致的载荷在轨及返回过程中载荷接收精度不稳定、信息传输不连续等问题。我校陈骏教授团队以原创的负热膨胀技术研发了具有轻质、热膨胀系数低、力学性能优异、尺寸稳定性好的高性能低膨胀铝基复合材料，并研制了系列关键连接内置件、环件等高性能低膨胀构件，首次将负热膨胀技术应用到我国的卫星上，填补了高性能低膨胀金属构件在工程应用领域的空白。该技术使得某宽带微波载荷与卫星本体之间热膨胀匹配性增强、界面应力大幅度减小，保证了卫星在轨与返回过程中信号高精度传输与接收，助力卫星成功返回。
图1 实践十九号卫星成功返回（图片来源国家航天局）
图2 高性能低膨胀铝基复合材料及构件应用于全球首颗可重复使用返回式技术试验卫星（图片来源央视新闻频道）
北京科技大学
2025-05-21
液晶材料
随着科技的不断发展，笨重的阴极射线管(CRT)显示器越来越不能满足需求。而液晶显示器(LCD)则因具有能耗低、重量轻、超薄、图像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛发展。 液晶材料是液晶显示器的核心材料之一，它赋予液晶显示器各种优良的性能。国内高档液晶材料主要被大日本油墨化学工业株式会社、日本Chisso公司、德国Merck公司垄断。目前，国内只有几家企业能批量生产中低档液晶材料，尚无厂家
四川大学
2021-04-14
中南大学拟用科技成果进行作价出资与湘潭电化产投控股集团有限公司等主体共同成立湖南新能源材料研究院（筹）所涉及中南大学持有2项发明专利的市场价值
湖南湘评资产评估事务所（有限合伙）
2025-10-29
智能控温节能氧化钒（VO2）薄膜的制备
成果介绍智能控温薄膜可以实现高温下对红外线的反射和低温下对红外线的透射，是一种无需能源的智能空调。技术创新点及参数室温可用（20℃-40℃）节能减排（无需能源）满足了实时反馈的需求满足了温度控制的需求提出了在室温下实现智能变色的可能性
东南大学
2021-04-11
一种多层柔性薄膜的剥离装置及剥离方法
一种多层柔性薄膜的剥离装置，剥离装置的剥离刀为横截面为 圆角多边形的柱状结构，具有多个不同弯曲半径和弯曲角度的圆弧剥 离面，使用时可根据不同的薄膜选择不同剥离面进行剥离加工，无须更换剥离刀，大大提高了剥离刀的适用范围，并进一步运用剥离刀的 几何参数与剥离效果的关系理论，设计优化得到最优的剥离刀结构， 得到最佳的剥离质量和剥离效率，剥离装置结构简单、成本低廉，在 大面积柔性器件的封装领域具有广阔应用前景。
华中科技大学
2021-04-11
一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用
本发明公开了一种光子晶体水凝胶薄膜及其制备与应用，其中 该光子晶体水凝胶薄膜包括聚丙烯酰胺凝胶、以及分布在该聚丙烯酰 胺凝胶内的 Fe3O4@C 纳米粒子，其中所述 Fe3O4@C 纳米粒子为 Fe3O4 表面包覆有 C 材料的纳米粒子，所述 Fe3O4@C 纳米粒子在所 述聚丙烯酰胺凝胶中沿某一方向呈链状排列，该 Fe3O4@C 纳米粒子 在该光子晶体水凝胶薄膜中的浓度为 1～50mg/mL。本发明通过对光子 晶体
华中科技大学
2021-01-12
一种Sn掺杂CrO2薄膜及其制备方法
小试阶段/n磁性半金属CrO2薄膜在自旋电子器件中有广阔的应用前景，然而，其化学性质不够稳定，即使在室温下也容易转化为Cr2O3。本发明采用SnI4和CrO3作为前驱物，通过化学气相沉积(CVD）成功制备出Sn掺杂CrO2薄膜，使薄膜的热稳定性大大提升，从而解决了CrO2薄膜稳定性的问题。
武汉科技大学
2021-01-12
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法
化合物薄膜太阳能电池及其制备方法，属于半导体光电材料与薄膜太阳能电池制备领域，解决现有化合物薄膜太阳能电池中所需材料在地壳中含量较少、价格昂贵、对人体有毒的问题。本发明的化合物薄膜太阳能电池，包括衬底及透明电极层、N 型缓冲层、P 型吸收层和背电极层，P 型吸收层材料为 Sb2Se3、Cu3SbS3 或 Cu3SbS4；本发明的制备方法包括沉积透明电极层步骤、沉积 N 型缓冲层步骤、沉积 P 型吸收层步骤、沉积电极层
华中科技大学
2021-04-14