本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有

随着光伏产业的高速的发展，硅锭切割产生的切割废料也将出现井喷式的增长。仅2012年一年，我国就用了23万吨的多晶硅，产生了近25万吨的粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)，回收厂家院内废料堆积如山，粉尘飞扬，环境恶劣。而粒度≤5mm的二次切割废料(SiC和Si)中的SiC和晶体Si粉都是通过高能耗、高成本制备出来的，所以如能将这些废料得以回收利用，不仅减少了环境污染，也会产生出巨大的经济效益。特别是如能将二次废料中价值最高的晶体硅粉得以回收并再用于制造太阳能多晶硅，这对我国减少多晶硅的进口是有重要意义的，所以说，从晶体硅切割废料中回收多晶硅是今后一个重要的发展方向。 （1）本项目可从多晶硅切割废料中提取出太阳能级多晶硅，其技术含量高、生产成本低、能耗小。生产的多晶硅可以替代国外进口产品，减少我国多晶硅的进口量，这对降低光伏能源成本，实现光伏能源的普及有重要意义。 (2) 本项目同时生产的副产品碳化硅制品的最大特点耐高温和耐磨性等性能远好于同类产品，且价格远优于国内同类产品，因此该副产品有着广阔的市场前景，市场竞争力强。该副产品作为耐火材料可广泛应用于冶金、陶瓷、能源、化工等行业。如钢铁厂高炉的炉窑内衬和钢包内衬、电解铝厂铝电解槽的侧部、火法炼锌的罐体的内衬等；如陶瓷行业所用窑炉内所用的窑板和棚板等。 (3) 产品附加值高：由于本项目所用原料主要是来源于光伏行业产生的切割废料，原料的来源丰富且价格便宜，产品的科技含量高，生产成本低，故产品的附加值高。本项目拥有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多项专利。

该项目针对多晶硅太阳能光伏电池成套设备中太阳能光伏电池丝网印刷、自动光学检测系统、烧结系统、自动分拣系统等高端设备进行研发和产业化，形成了晶硅太阳能光伏电池生产线和成套设备的产业化生产能力，打破了国外相关高端设备的垄断局面，为我省相关产业的良性发展提供技术支撑。该成套设备具有完全自主知识产权,联合体已拥有发明专利8件,实用新型专利21件。 该项目的特色与创新之处主要体现在如下几个方面：1）基于视觉的高速精密定位理论与技术；2）有效降低破损率的高速、高精度印刷技术；3）均匀热场形成技术

伴随着我国半导体行业的迅速崛起，硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材，其需求日趋增加。同时，基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极，然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染，导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂，严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下，设备热场结构单一，熔体流动性差，导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出，难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质（P、 O、N）；利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固，进而分离硅中的金属杂质；基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒，并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系；基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺，可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持，具有很好的生产示范性，实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗，是一种低成本、环境友好的生产方法，属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广，可大幅增加就业岗位，提高企业的市场竞争力，保护环境。

实现多晶硅生产冷氢化工艺过程工程化的关键加热系统装置；降低成本40%，减少能耗2/3。8000小时以上无故障稳定运行加热合成反应器关键技术。

低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的技术瓶颈是无法实现真空感应熔炼的连续化生产，因此无法实现规模化量产。因此，本团队开展“低成本太阳能级多晶硅真空除磷连续化生产关键技术及其产业化”的研究，重点要解决太阳能级多晶硅真空感应熔炼除磷的连续化生产关键技术，彻底突破低成本冶金法生产太阳能级多晶硅的关键工艺技术瓶颈。

产品详细介绍黑体产品分类    黑体按温度分为 低温、中温、高温三段。    低温黑体：下限温度为环境温度以下的黑体。因为下限温度等于和低于环境温度时，需要有制冷设备，因此分类为低温黑体，即Tmin≤T环境。    中温黑体：下限温度为环境温度以上、上限温度为1200℃以下的黑体。因为该段温度为最常用，用普通的加热方式就能实现。因此分类为中温黑体，即T环境＜T≤1200℃。     高温黑体：上限温度为1200℃以上的黑体。因为1200℃以上的温度使用地方不多，加热用通常的方式已经不能解决，温度大于1600℃只能进行抽真空。因此分类为高温黑体，即T＞1200℃。     说明：各个黑体温度段的温度有重叠和交差，但按照上面的分段均能准确的分类。     如果有特殊要求，可以和我们联系，进行特殊定做。   中温黑体 低温黑体 热管黑体 高温黑体 型    号 HZ-1 HZ-2 HZ-3 HL-3 HL-2 HL-1 RB1-1 RB1-2 RB1-3 HG-1 HGK-1 HG-2 HG-3 工作温度℃ 300～1100 300～1200 50～600 -50～100 -20～100 0～100 室温～150 150～300 300～500 700～1600 300～1600 1400～2500 2200～3000 腔口直径mm Φ40 Φ30 Φ30/Φ40 Φ30 发射率 ≥0.995 ≥0.997 ≥0.995 显示分辨率 0.1℃ 0.01℃ 0.1℃ 1℃ 温度稳定度 ≤±0.5℃/10min ≤±0.1℃/10min   ≤±1℃/10min ≤±1.5℃/10min 电源功率kW 2.0 2.0 0.6 3.2 2.7 1.5 4.0 6.0 重量 kg 25 15 195 100 40 100 500 　 　 HZ-3中温黑体 HZ-2中温黑体 HG-1高温黑体 HL-3低温黑体 　 　 联系人:王世福(销售副总/总监)     联系电话:010-67810538    13601309802 

硅PU球场材料。是一种具有多功能运动性和施工优势的国家专利球场材料。 作为一种体育设施场地地面材料，有良好的缓冲性和延展性，粘结力量，对基础有一定的治愈功能，能够自动找平，施工简单，抗老化性能优秀，施工后化学性能稳定，不易产生气泡，且不会出现开裂和鼓泡现象。同时拥有常规PU与丙烯酸的优良特性。是场地工程的最佳选择。

主要包括分体式真空相变加热炉、高效真空加热炉、高效真空管加热炉等。

产品详细介绍 真空钨丝炉  ◎产 品 说 明   设备特点：    本设备为周期作业式，内部不含碳，避免了碳污染的问题。主要用于陶瓷（如透明陶瓷烧结）、钨电极等在高真空下进行烧结及脱气处理，也可适用于钨钼制品的真空烧结。    技术参数：  1、规格：ZW-60-22  2、额定功率：60KW  3、最高工作温度：2300℃  4、工作区尺寸：￠200×250  5、极限真空度：5×10-6Pa  6、压升率：<1.33Pa/h  7、电源电压： 380V 50Hz  8、加热区：一区  9、保护气氛：氩气、氮气  结构说明：  采用立式炉体，分炉盖、炉体、炉底、加热元件、金属反射屏、真空系统及电控系统等部分。  炉体外形美观，借鉴国外先进设计理念，结合本公司创新，设计出此高温炉，发热元件采用三相钨网加热，新型结构使用寿命长，发热体变形小，还特别节能。