产品详细介绍CR-604锅炉专用液位计                       CR-604锅炉专用液位计(锅炉液位测量系统）1、概述：CR-604锅炉专用液位计，基于射频电容测量技术，输出4-20mA连续的标准信号，用于各种锅炉汽包液位的精确测量和控制。产品采用独特结构，将抗高温、耐高压、抗腐蚀、抗波动性能集于一身，变送部分利用军工器件，使信号输出更加稳定、可靠。该液位计安装简单，维护量小，测控精确，性价比高，是传统的电极式、差压式、磁翻板式液位计最理想的换代产品。2、工作原理：电容式液位测控仪均采用电容原理，即电容两极间介质量的变化可引起电容量的变化。其原理模拟图如图3.1所示，把一根外包绝缘层的金属棒插入装有导电介质的金属容器，金属棒和容器内壁之间形成电容，其填充介质的变化量△H与形成的电容变化量△Cx关系如下式：                                                                                                       当被测介质液位变化时，传感器电容量Cx也随之发生变化，电容变化增量△Cx通过变送器电路转换为与液位成正比例的标准电流信号。转换过程可用图3.2所示的方框图示意： 3、结构说明：图中的内部探极和测量筒构成电容式传感器，汽相口和液相口分别和锅炉汽包的法兰相对接，利用连通器原理将锅炉中的液体引入测量筒，而探极位于测量表筒的中心位置，液体的流入或界面的变化引起传感器内电极与测量表筒内壁之间的介电常数发生变化，从而引起电容量的变化。此时，由传感器将此电容量的变化采集并送之电器盒，再由电器中的电路板转换成4－20mA信号输出，则此时被测出的测量筒内的介质高度就是设备内介质的高度，从而实现对设备内介质的测量。图中的排污口，可定期将液位测控仪内污物对外排放，保持液位测控仪测量表筒内清洁干净，避免传感器粘附污物。4、技术参数：工作电压： 最大：40V     最小：6.5V电 流 环：两线制4.00mA ～ 20.00mA（±0.5%）防爆等级：ExiaIICT6 （-40℃～70℃）          ExiaIICT1~5 （-40℃～85℃）防爆参数：Ui=30V,Ii=100mA ,Pi=0.75W          Ci=100pF,Li=10uH             测量范围：0～2200mm Max               测量周期：0.5秒                      分 辨 率：0.02mm                       温度漂移：±0.5mm Max (-40℃～85℃)     工作压力：40MPa Max                    线性偏差：±(1+0.05%FS) mm            介质温度：300℃ Max.                    环境温度：-40℃～85℃ （ExiaIICT1-T5）  存储温度：-55℃～100℃                   防护等级：IP675、安装与调试：①、安装：安装前务必将设备上的引出管内孔清理干净，确保设备引出管的畅通及法兰密封面的完好无损。同时，应在液位计与设备引出法兰之间加上阀门，以便维修或更换时拆装仪表的方便。然后将液位计上的气液法兰与设备上的气液相阀门对接，中间加入密封垫，用螺栓固定即可。②、接线： ③、调试：本液位计在出厂时，零点与量程值已经用精密仪器调好，一般情况下无需用户自行调试，如果现场容器的量程与仪表输出值相差太多，此时则需要按照下述方法进行，调试时需要采用专业精密电流表。本液位计的电路调试分为智能型和模拟型两中：A：采用智能电路的调试方法：逆时针拧开变送器前盖板，内部电路外观如下：                 a.“零点”调试方法当液位在下限时，将本液位计接入24V直流电源，串入直流电流表，之后同时按下“Z”键和“S”键8秒钟以上，观察电流表读数为12mA左右时，松开两个按键，然后再按一下“Z”键，可以看到电流表的读数已为4mA,即已完成零点的调试。b.“量程”调试方法       当液位在上限时，同时按下“Z”键和“S”键8秒钟以上，观察电流表读数为12mA左右时，松开两个按键，然后再按一下“S”键，可以看到电流表的读数已为20mA,即已完成量程的调试。B：采用模拟电路的调试方法：a.调整“零点”：当液位在下限时，用螺丝刀缓慢旋转“Z”电位器，观察电流表的读数接近4mA。 b.调整“量程”：当液位在上限时，用螺丝刀缓慢旋转“S”电位器，观察电流表的读数接近20mA。       如此反复2-3次以上，直到零点和量程都分别为准确的4mA和20mA。6、订货须知和验收（一）订货须知：1、型号：CR－604 □（填写清楚）2、连接方式及尺寸3、量程4、被测介质5、设备压力6介质温度（二）用户验收        用户收到本厂产品应及时验收，如果有误或发现液位测控仪在运输过程中出现损坏，请及时与相关联系人联系.在安装之前可以按前章所述调校验方法来验证液位测控仪的性能好坏。

产品详细介绍 全不锈钢真空碳管炉  产品编号：898435416  ◎产品说明  设备特点：  本电炉为周期作业式，广泛用于功能陶瓷、光学材料、碳复合材料、硬质合金、粉末治金等高温下进行上海烧结处理，也可在充气保护下成型烧结。  技术参数：  1、型号：ZT-20-22   2、 额定功率：20KW   3、 额定温度：2200℃  4、仪表控温精度：正负1℃   5、控温方式：钨铼热电偶+红外衣  6、工作区尺寸：直径80x100mm   7、冷态极限真空度：5x10-3 Pa   8、压升率：2Pa/h   9、电源电压：380V 50Hz 单相  10、充气压力：<0.03Mpa（可充氮气、氩气）   11、发热元件：石墨管（高纯石墨）  结构组成与说明  1、炉体：采用双层水夹层结构，"内层为不锈钢（1Gr18N9Ti）抛光。上、下法兰组焊筒形结构，法兰平面开设封闭槽。采用“0”圈真空密封，并设有水冷装置（防止因温度过高“0”圈老化）。开设有抽气、热电偶、红外仪等。  2、炉盖：采用双层水夹层封头结构，设有观察窗，屏蔽锁紧、开启装置，并通水冷。  3、炉底：采用双层水夹层封头结构，设有电极引出装置，支撑平台等，并设有水冷装置。  4、炉架：山型钢及钢板组焊成箱式结构，炉体安装放在箱体内，美观大方。  5、真空系统：又一台K-100扩散泵配冷阱，一台2XZ-8D直联泵、手动高真空蝶阀、真空压力表（Pa）、充气阀、放气阀和真空管路等组成，扩散泵采用金属波纹软管快速接头联接（减缓震动），真空度的测量采用数显复合真空计。  6、控制系统PLC控制：控制系统是由我公司自行开发人机对话操软件，画面显示友好，操作简单，要以炉内工况进行实时监测，软件彩色模拟屏显示，加热升温显示及真空阀门的控制都集成到电脑上操作，现场也可以手动操作，需要电脑操作时，直联由232接口连接到笔记本电脑上启动软件，可检测到各种状态，也可通过485通讯连接到办公室操作，本设备可采纳温度、真空度曲线和烧结时间，方便用户根据历史曲线分析烧结工艺。控温方式为1300℃以下热电偶升温。1000℃-2200℃红外仪表自动控制。压力控制可采用手动及自动方式。控制系统上设有过流、超温及断水等分类报警功能。  7、气路系统：整个系统中设有1个j进气口、1个放气口、可冲气氛。  8、电气控制：采用各种管道阀等相关装置组成，具有断水声光报警自动切断电源能。 

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箱式电阻炉，又称马弗炉、高温炉，属于大专院校、科研院所、工矿企业等实验室基础加热设备；是材料烧结、熔融、热处理、挥发等实验室必备仪器。 性能特点 1、炉膛选用优质陶瓷纤维炉膛，升温速率快、应用范围广的特点，是目前国内应用最多的炉膛材料 2、采用现代一体式结构设计，双层机箱设计，美观大方，操作方便 3、全方位密闭炉门。确保炉内高温不外泄，达到改善工作环境、延长电炉使用寿命、节能目的 4、保温材料采用优质陶瓷纤维板、棉，重量轻、保温效果好 5、控温仪表选用7寸触摸屏。具有控温精度高、自整定、故障自诊断等功能 6、选用优质重型铰链，定制把手 7、具有炉门开启断电保护系统，可以有效保护操作人员安全 具有防供电线路停电恢复后电阻炉继续加热功能，避免无人执守来电加热造成其它事故 8、箱体采用优质冷轧钢板制造，经过酸洗磷化，精制而成，表面静电喷塑工艺 9、安装有散热风扇，冷风循环，可有效保护延长电炉使用寿命 二、技术指标 项目名称 PQSX2-4-7 PQSX2-5-12 工作室尺寸/ 容积 300*200*120mm （7.2L） 300*200*200m （12L） 设计温度 1200℃ 使用温度 1100℃ 控温精度 ±1℃ 升温速率 ≤40℃/min 温度控制仪 7寸触摸屏 程序升温 30阶段 存储 16组程序升温方案 热电偶分度号 K 工作电压 AC220V/50Hz 加热元件/材料 进口陶瓷纤维炉膛 加热功率 4KW 5KW 选配 USB接口

ID-208智能消化炉     ID208智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换     技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约30min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 8个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 1800w 外形尺寸（长*宽*高） 335 × 322× 145 mm 净重 15kg       完善的周边附件装置：     排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。                                                               售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

ID-214智能消化炉 ID214智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。     产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准； l具有曲线和直线两种升温模式，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约35min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 14个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2100w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 355× 145 mm 净重 20kg       完善的周边附件装置：     排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。            l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。   售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

ID-220智能消化炉 ID220智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约40min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 20个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2400w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 375× 145 mm 净重 23kg       完善的周边附件装置：   排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。         售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

首次使用炔烃作为卡宾前体完成了一例不对称Si-H键插入反应，高效构筑了一类新型手性有机硅化合物。该反应使用手性羧酸双铑催化剂，首先促进羰基-烯-炔底物发生分子内环化现场生成双芳基金属卡宾，该金属卡宾中间体进而对硅烷的Si-H键发生高对映选择性的插入反应，给出相应的手性有机硅化合物。该反应的条件温和，底物适用范围广，大部分产物的ee值都能达到90%以上。所得的手性烯丙基硅产物能够进一步转化，例如发生烯丙基乙酰化反应，对映选择性能够得到很好的保持，因此在有机合成中具有一定的应用潜力。动力学实验表明，反应对双铑催化剂、硅烷展现出一级动力学效应，对底物则表现出零级动力学特征，说明铑卡宾对Si-H键的插入步骤是反应的决速步，这与动力学同位素实验的结果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烃作为卡宾前体同样可以发生高对映选择性的Si-H键插入反应，结合炔烃化学在从简单原料构筑复杂产物上的优势，为结构多样性有机硅化合物的合成提供了新的方向。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。