本发明公开了一种面向柔性芯片的多顶针剥离装置，包括固定 座、双真空腔室、多顶针机构和凸轮旋转驱动机构，其中：双真空腔 室由分设在内、外侧的真空内腔室和真空外腔室共同组成，并且真空 内腔室还可独立发生上下滑动；多顶针机构由同轴安装且彼此独立操 控的内外圈顶针机构共同组成，它们沿着竖直方向整体设置在真空内 腔室下部，并各自包括顶针、支撑架和从动子；凸轮旋转驱动机构用 于实现内外圈顶针机构上下动作时序的控制，同时实现单顶针与多顶 针之间的灵活切换。本发明还公开了相应的剥离工艺方法。通过本发 明，能够显著提

TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。

本发明公开了一种用于多自由度倒装键合过程的芯片控制方法，其主要控制过程包括：获取芯片的贴装位置信息；键合头拾取芯片，获取芯片 Z 旋转轴和 X/Y 直线轴的角度及位置粗调偏差值，然后在执行粗调的同时，实现 X/Y 直线轴的闭环跟随控制；获取芯片 X/Y 旋转轴的当前实际角度值，并在逐次选择 X/Y 旋转轴执行角度闭环控制的同时，实现另外两直线轴的位置闭环跟随控制；获取芯片 Z 旋转轴和X/Y 直线轴的角度及位置精调偏差值，然后在执行精调的同时，实现X/Y 直线轴的闭环跟随控制。通过本发明，可使得芯片

项目背景：大棒材是直径范围为φ70~200 圆钢，实现控温轧制是提高钢材性能、降低合金成本的重要手段。现代化棒材生产线上，根据工艺需要采用了不同的穿水冷却设备布置，以实现控轧控冷功能，但是大规格棒材因为冷却速度慢，水冷后内外温差过大，无法实现理想的控制轧制。开发新型的冷却工艺及配套装备，在不影响正常轧制效率前提下，实现大棒材的控制轧制是行业的难题与期待。关键工艺技术：控制轧制冷却：在精轧机组前置线外冷却装置，通过空冷时间的控制准确控制轧件在精轧机组内的轧制温度，最大限度第消除轧件内外的温度差，结合精轧机一定的变形量，使的φ70~200 圆钢获得较好的产品机械性能。轧后穿水：将终轧温度为 800~950℃的大规格棒材经过间断分布的水冷器，对钢材实现一定程度的加速冷却，同时减少表面快冷淬火组织深度，以达到提高钢材强度、塑性，改善韧性的目的，使钢材得到良好的综合性能。

产品详细介绍幼儿园组合滑梯规格,室外大型滑梯,儿童滑梯,成都室外大型滑梯,四川儿童滑滑梯,幼儿园大型玩具,幼儿园大型组合滑梯产品说明：　　　一.材质:本乐园由韩国进口塑料,国标钢管,耐高温低温50度..　　　产地：塑料韩国进口，钢管上海宝钢,　　　二.生产流程：1.塑料滚塑成型。　　　2.钢管磨光，机械喷砂，静电喷塑，高温烤漆。　　　三.用处:　　 1.塑料冒顶:遮盖太阳,雨水等,另外起装饰作用,不能爬往上面. 　　　2.塑料双滑梯:锻炼儿童智力,拼搏,比赛.用于大孩子比较适合.　　　3.塑料单滑梯:使用5岁以下比较合理,  增强孩子上下肢肉及腰部群力量.　　　4.铁制五步梯:主要用于上下,孩子必须扶着围杆,稳步上下.　　　5.铁制平台:主要供于过道,连接左右,前后.使整套乐园更结实.稳定.　　　6.塑料钻洞:锻炼孩子胆量,探险,增强毅力.是儿童锻炼很好项目之一.　　　7.铁制弯梯:适合于胆量大孩子,锻炼攀登勇气，.增强全身肌肉.　　　8.围栏:主要为安全起作用,禁止用栏杆爬行.　　　9．平台厚度：2MM，高７CM（不包塑），8.5CM（包塑）

本实用新型提供了一种具有翻转芯片功能的芯片吸取装置，包括 Z 向高度调节与支撑机构、翻转驱动机构、芯片吸取机构，Z 向高度调节与支撑机构将芯片吸取机构移动到适宜高度，翻转驱动机构驱动芯片吸取机构旋转，芯片吸取机构包括直线导向运动部件和芯片吸取元件，直线导向运动部件内设有直线轴承和弹簧，直线导向轴从上往下穿过直线轴承和弹簧，其端部连接芯片吸取元件，由于弹簧的缓冲作用，芯片吸取元件将芯片吸住后跟随芯片上升一定的高度，再在翻转驱动机构的作用下旋转到达芯片供给位置。本实用新型一方面避免了非接触式吸取的不可靠

        技术成熟度：技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持

光收发芯片是光收发模块中的集成电路，并不包括激光芯片，是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端，来实现高速传输信号的光电、电光转换，这些功能被集成在光纤收发模块中。

围绕自主通用处理器，研发操作系统及其之上的核心 API 软件，支撑国家信息化建设，并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。

产品详细介绍 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110) 　　EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112) 　　EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器，设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电，这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。 　　1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能，解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制，该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器，可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求，可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制)，无需外部微处理器和外部元件。 　　EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。 　　特点： 　　3.3供电时，功耗仅为500mW 　　工作速率高达10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收灵敏度 　　Rx和Tx极性选择 　　可调节触发LOS报警电平 　　LOS极性选择 　　能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流 　　偏置电流高达19mA 　　Rx输出可选择去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可调节调制输出的眼图交叉点 　　工作温度: -40度 到 90度