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高等教育领域数字化综合服务平台
一种针对偏振光束与磁光材料作用下偏振态时间分辨谱的检测 系统
本发明属于偏振检测设备领域，并公开了一种针对偏振光束与 磁光材料作用下偏振态时间分辨谱的检测系统，该检测系统包括高压 脉冲发生器、火花隙、电光 Q 开关、连续激光器、飞秒激光器、聚光 透镜、第一偏振棱镜、第二偏振棱镜和偏振测量仪；连续激光器用于 产生连续激光；第一偏振棱镜用于使所述连续激光的 P 偏振光通过； 飞秒激光器产生的脉冲激光可打开电光 Q 开关，从而让所述测量光束 依次穿过电光 Q 开关、第二偏振棱镜后和磁
华中科技大学
2021-04-14
中国高等教育学会关于召开学习科学与教育数字化转型论坛的通知
为深入学习贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想和党的二十大精神，落实立德树人根本任务，服务高等教育现代化建设，经研究，中国高等教育学会决定举办学习科学与教育数字化转型论坛。
中国高等教育学会
2023-09-22
第八届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛在青岛召开
10月12日，第八届中国高等教育智慧教学与课堂教学改革论坛在山东青岛召开。
中国高等教育学会
2023-10-27
实验室规划与安全管理交流活动日程及嘉宾阵容揭晓！
实验室规划与安全管理交流活动日程及嘉宾阵容
中国高等教育学会
2024-04-03
4月15日—17日，黎安试验区与您相聚中国高等教育博览会
4月15日-17日，第61届中国高等教育博览会在福州海峡国际会展中心举行。海南陵水黎安国际教育创新试验区受邀参展，本次高教会试验区运用国际教育场景展开放而多元的主题区域，集中展示了黎安试验区在国际教育、教育产业招商及重点创新模式方面取得的发展成果与创新理念，带来更丰富多元的线下体验与交流机会，进一步搭建起试验区与不同高校、企业有效沟通的桥梁，诚邀您莅临试验区展位参观交流，我们在9号馆期待您的到来!
海南黎安国际教育创新试验区
2024-04-16
2024年度国家自然科学基金项目申请集中接收与受理情况分析
经形式审查，共受理项目申请383123项，不予受理项目申请1441项。
国家自然科学基金委员会
2024-07-11
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10