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基于同质器件架构的感算存一体化神经形态硬件
该成果创新性地基于二维半导体的硅基同质器件，首次提出了类脑功能的“传感-计算-存储一体化”神经形态芯片架构，实现了光电传感、放大运算、信息存储功能的一体化集成，为突破冯·诺依曼瓶颈和实现类脑智能提供了一种全新思路。
缪向水教授团队，长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
同质晶体管-存储器架构的原理及器件结构
缪向水团队长期从事相变存储器芯片、存算一体忆阻器芯片技术研究。2018年出版了国内第一本忆阻器专著《忆阻器导论》，2019年团队93项三维相变存储器芯片专利许可给芯片公司并合作开发产品，并与行业龙头企业合作建立了联合实验室，推动存储器芯片技术的成果转化以及未来引领技术的探索。曾荣获国家科技进步奖2项、湖北省技术发明一等奖1项。
华中科技大学
2022-08-12
一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法
本发明公开一种水平极化翻转的铁电忆阻器件及其制备方法。该水平极化翻转的铁电忆阻器件包括柔性衬底；二维铁电功能层，形成在所述柔性衬底上；第一平面电极和第二平面电极，形成在所述二维铁电功能层两侧；将所述第二平面电极接地，当未在所述第一平面电极施加电压时，二维铁电功能层中极化方向无序，器件处于常态；当在所述第一平面电极施加正电压时，所述二维铁电功能层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第一平面电极端朝向第二平面电极端，器件转变为低阻态；当在所述第一平面电极施加负电压时，铁电层中的电畴发生水平极化翻转，极化方向由第二平面电极端朝向第一平面电极端，器件转变为高阻态。
复旦大学
2021-01-12
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度，从而促进器件尺寸微缩；该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒，实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性；器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现，且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下，实现亚10nm沟道长度，突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈，为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学
2021-01-12
一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法
本发明公开了一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法，包括：量子效率测试箱、电源箱、激光功率计、吉时利源表、控制驱动电路单片机、计算机等。本测试系统可同时测量待测器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在测试前使用标准器件进行校准，可测试的光谱波段范围较宽，为300nm～2250nm，满足各类不同禁带光伏电池或光电转换器件的量子效率测量需求。
兰州大学
2021-01-12
一种硅光子晶体波导器件的飞秒激光制备系统及方法
本发明公开了一种硅光子晶体波导器件的飞秒激光制备系统及方法，系统包括飞秒激光器、多级半波片、偏振分光棱镜、第一反射镜、空间光调制器、第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、电动翻转镜、第四反射镜、高倍物镜、三维加工平台、第三透镜、CCD相机、计算机；由飞秒激光器输出的激光通过多级半波片和偏振分光棱镜，经过反射镜射入空间光调制器；用计算机将加工方案生成全息图，加载到空间光调制器；光束经调制后通过第一透镜、第二反射镜、第三反射镜、第二透镜、第四反射镜，再经过高倍物镜聚焦到硅基片上，通过输入到计算机内的程序控制三维加工平台移动，完成加工任务。本发明加工步骤简易，加工精度高，加工速度快，加工成本低。
湖北工业大学
2021-01-12
一种新型聚磁式盘式电机
本发明公开了一种新型聚磁式盘式电机，包括定子和转子；定子包括定子铁芯和电枢绕组；转子包括三层结构，外层包括多块交替设置的外层永磁体和外层转子铁芯，中间层中对应外层转子铁芯的位置设有中间层永磁体，内层包括内层转子铁芯，外层永磁体为切向充磁，中间层永磁体为径向充磁，相邻外层永磁体充磁方向相反，相邻中间层永磁体充磁方向也相反，外层转子铁芯相邻的两块外层永磁体以及中间层永磁体的充磁方向均相对于外层转子铁芯向外或者向内，外层永磁体所占外层周长的比例为0.1～0.55。本发明有效提高了电机的空间利用率和功率密度。
东南大学
2021-04-11
植入式/非植入式神经功能刺激器
复合功能脑深部刺激器及 MEMS 脑电极：本课题组针对 MEMS 脑电极及其配套脑起搏器极端制造技术中的诸多关键难题，开展了如下研究：环形脑电极的键合、封装等工艺，制造了环形脑电极样品；MEMS 硅基脑电极的结构设计及制造工艺、键合方法和封装工艺，制造了硅基脑电极样品；螺旋微导线和转接线的制造工艺，制造了样品；植入式颅内压传感器的制造和封装工艺，制造出颅内压微传感器样品；经皮无线能量传输供电的关键技术和方法，制造出稳定地无线供电装置；植入装置与体外控制装置之间的无线通讯方法研究及其实用装置；脑深部神经核团信号采集方法研究及其实用装置；植入式脑起搏器的封装工艺和方法。
西安交通大学
2021-04-11
第四批“全国高校黄大年式教师团队”拟入围名单公示！
200个团队拟入围！
云上高博会
2025-08-20
一种无深度反转的集成成像3D投影显示装置
本发明提出一种无深度反转的集成成像3D投影显示装置，该装置由投影机和微反射镜阵列组成，投影机将微图像阵列直接投影到微反射镜阵列的后方，微反射镜阵列包含的反射单元个数与微图像阵列包含的图像元个数相同，且反射单元与图像元中心对齐，微反射镜阵列的反射单元对投影机投影的光线进行反射并聚集还原，再现出无深度反转的3D图像。
四川大学
2016-10-27
一种无向图或有向有圈图的层次化显示方法
本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次 沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制 作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生 长 Cu(OH)2 纳米线；去除残余的光刻胶；对 Cu(OH)2 纳米线进行热分 解，得到 CuO 纳米线；对 CuO 纳米线进行还原，得到铜纳米线；利 用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个 基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的
华中科技大学
2021-04-14