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一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
铁电高分子柔性存储器：高容量电子数据存储
铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
南京大学
2021-04-14
一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合内存系统
本发明公开了一种非易失存储器和动态随机存取存储器的融合 内存系统，将非易失存储器和动态随机存取存储器融合在一起，共同 作为计算机系统的内存统一管理，其中动态随机存取存储器既可以与 非易失存储器统一编址，亦可以以部分容量充当非易失存储器的高速 缓冲存储器(cache)，其 cache 空间的容量大小自适应数据负载特点而动 态可配，以便加快非易失存储器的访问速度，并能降低 I/O 访问磁盘 频率，提高计算机系统整体性能。
华中科技大学
2021-04-14
64Mb 阻变存储器晶圆
已有样品/n64Mb ReRAM 芯片和内嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光国芯等单位共同设计，在实现基于ReRAM 存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等关键技术方面实现了突破和创新。两款芯片均已经在相关验证系统完成了应用演示等相关测试，其中64Mb ReRAM 芯片可成功实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，在功耗、速度和寿命等方面取得了令人满意的效果。
中国科学院大学
2021-01-12
一种相变存储器数据写入方法
一种相变存储器数据写入方法，属于存储器的数据存储方法，解决现有相变存储器数据写入方法存在的未最大化地利用能耗预算问题，以提升相变存储器(PCM)的写性能和寿命。本发明包括读出数据步骤、分析数据步骤、写入数据步骤。本发明针对 PCM 写“0”和写“1”的延时及能耗的不对称性，充分利用 PCM 的能耗预算(power-budget)，通过分别记录每一个数据单元待修改的“0”和“1”的个数，对每一个数据单元写入顺序重新调度
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种非易失性高密度三维半导体存储器件及其制 备方法，包括由多个垂直方向的三维 NAND 存储串构成的存储串阵列； 每个三维 NAND 存储串包括半导体区域以及围绕半导体区域的四层包 裹结构；半导体区域包括沟道以及分别与沟道两端连接的源极和漏极； 源极与漏极串联连接；沟道为方柱形结构；四层包裹结构从里到外依 次为隧穿电介质层、电荷存储层、阻隔电介质层以及控制栅电极；阻 隔电介质层在不同的方向具有不同的厚度，
华中科技大学
2021-04-14
一种闪存存储器的混合映射方法
一种闪存存储器的混合映射方法，属于固态存储领域，解决现 有映射方法存在的处理随机写请求并行度不足的问题，从而提升闪存 存储器的性能。本发明包括初始设置步骤、缓存操作步骤、数据读操 作步骤及数据写操作步骤，通过引入虚拟存储块的概念，当发生数据 写操作时，仅当缓存中替换出来的页连续，且能够写入顺序写日志块 中时，仍然按照传统闪存存储器的方式写入，在其他情况下，均可以 将其写入虚拟存储块中的一个大页内，由于一个大页中的多个
华中科技大学
2021-04-14
新型高密度存储材料与器件
已有样品/n“新型高密度存储材料与器件”面向大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，将为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
中国科学院大学
2021-01-12
一种安全存储器芯片、系统及其认证方法
本发明公开了一种安全存储器芯片、系统及其认证方法；该安 全存储器芯片包括总线接口模块、存储器模块、控制模块、加密模块 和私钥；控制模块和存储器模块共用一个总线接口模块，加密模块和 存储器模块均与控制模块相连，私钥与加密模块相连；存储器模块的 存储区域包括通用区域和受保护区域，通用区域用于存储软件程序， 受保护区域用于存储敏感数据；公钥存储于通用区域内。本发明提供 的安全存储器芯片具备更高的安全性；安全存储器芯片中的存
华中科技大学
2021-01-12
一种三维存储器及其制备方法
本发明的目的在于提供一种三维存储器及其制备方法，此发明 三维存储器由多层存储器垂直堆叠而成，每层包括：条状电极；电热 绝缘层；电热绝缘层中间的小孔；位于小孔中的 n 型半导体材料插塞 ·446·柱和 p 型存储材料插塞柱；该存储器可独立对每个单元进行读写。该 存储器选取 p 型存储介质与 n 型半导体材料形成 pn 结，所选取的 p 型 存储材料具有双重功能，既是存储介质也是选通管一部分。存储器自 带选通管，不要额外
华中科技大学
2021-04-14