本发明公开了一种相变存储器的热串扰测试方法，该方法利用 相变存储单元中的相变材料本身作为温度探测器，通过在一个相变存 储单元上施加激励信号，在另一个相邻的相变存储单元上施加测试信 号，采集相邻的相变存储单元上的响应信号，利用相变材料在不同温 度下电学性能及性质的差异来测量相变存储单元编程过程中相邻的单 元所受到的热串扰影响大小，从而对相变存储器热串扰稳定性进行评 估。本发明适用于一般的相变存储单元结构，不需要集成其他

本发明公开了一种相变存储器单元 SPICE 模型系统，包括：单 元电阻模拟模块，用于模拟相变存储器单元电阻；温度计算模块，用 于针对施加的连续脉冲序列，计算每个脉冲信号结束时刻考虑脉冲信 号下热量积累效应的存储器单元相变层温度；晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生晶化的相变层体积；非晶化速率计算模块，用 于计算单位时间内发生非晶化的相变层体积以及相变模块，用于选择 晶化速率或非晶化速率计算非晶化率。本发明还公开

本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路；基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址，通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择，并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时，在此电路结构的基础上，利用忆阻的非易失性原理，探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的

本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储 Bank 的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行

本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路，包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻； 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端，第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端；第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接，第一可控开关元件的第二端接地； 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接，第一电阻的另一端 接地；第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本

本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法，包括硅衬底，在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区，以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层；所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒，构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的

本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。

本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器的栅电极及其制 备方法；栅电极包括 n 个依次成阶梯状排列的栅电极单元，每个栅电 极单元为柱状结构，由连通电极和包围在连通电极周围的绝缘侧壁构 成；所述连通电极的上表面用于连接栅层，下表面用于连接字线。本 发明适用于在字线等前道工艺完成后制备连接栅层的电极结构。此电 极结构呈阶梯状连接不同堆叠层且相对应的栅层，对叠层中非相对应 的栅层与栅电极之间通过绝缘层隔离

产品详细介绍网络存储、NAS存储Kylines S624Kylines S600系列目前包含三款产品:S612、S616、S624 性能和容量的完美组合S600系列采用业界新一代的SAS接口技术以实现高性能的存储系统。SAS技术是SCSI技术的升级版，同时还兼容SATA技术。基于SAS技术的SAS接口是一种点对点，全双工，双端口的串行传输接口，支持在SATA兼容的电缆和连接器上传输SCSI协议，兼备SCSI所具有的可靠性和易管理性，同时可以大幅度提升性能。S600系列所使用的SAS磁盘转速为15000转，平均无故障时间(MTBF)更高达140万小时，与10000转的磁盘相比,IOPS提升30%，响应时间提高20%，特别适合对性能要求高，访问密集的在线数据库等关键应用，例如电子邮件、ERP、电子商务等，另外，S600系列采用点对点全交换架构，每个SAS或SATA II磁盘均独享3GB带宽，完全避免环行架构下多块磁盘共享带宽导致性能下降的问题。S600系列在支持SAS技术的同时还支持分级组合存储。单台设备同时支持SAS和SATA II磁盘混插，即使对于同一类型的磁盘混插，其容量也可不同，用户可根据应用不同选择相应的磁盘。针对不同的存储容量要求又可分别采用146GB，300GB SAS磁盘或500GB，750GB， 1TB，2TB企业级SATA II磁盘。所有这些需求在一台S600系列产品中即可完全实现，大幅度节省用户成本。S600系列拥有4个主机接口，可连接服务器或IP SAN网络交换机，多条数据链路支持链路聚合和动态故障切换，在确保数据读写带宽的同时保障数据通路的可用和畅通。简单易用的管理方式，完善的设备监控    易于管理使用，用户只需将S600系列存储设备连接到IP网络，无需添加其它任何专用设备。配置简洁方便，通过中、英文图形化的界面，可对存储设备各项功能配置和管理。完善的设备监控管理，通过存储管理软件，对设备本身硬件健康状况进行监控。不仅支持SNMP简单网络管理协议，实现远程网络管理。同时也支持Email报警功能，设备出现错误时能自动告警，方便管理员能及时了解系统运行情况。强大的数据管理功能    ◎NAS+IP SAN全功能统一存储方式:S600系列提供NAS+IP SAN全功能统一存储特性。无论是基于高速专用存储网络的IP SAN存储架构或者是不同操作系统和多台主机之间的NAS文件共享，都能通过一台S600系列产品实现，用户可根据不同业务需求灵活选择存储接入方式。◎CloudShots(全自动连续数据快照)功能:S600系列具备CloudShots全自动连续数据快照功能，特别适合对用户关键业务的数据进行连续保护。S600系列可以按策略为数据卷自动创建基于增量的多时间点标记，当发生软件程序导致的数据丢失或数据损坏、病毒破坏、意外删除及其它人为误操作引起的数据丢失或错误时，可以迅速通过对合适的时间点标记进行”回滚”来快速恢复数据。◎CloudMirror(远程复制)功能:S600系列基于IP的策略性远程复制功能可以为用户数据实现异地的备份，在发生意外灾难时能够对数据进行快速恢复，确保用户的业务持续性。S600系列的远程复制功能支持基于时间间隔、数据增量和设定时间点三种策略复制模式。◎重复数据删除功能MIDAS6124支持基于企业的不同的业务数据类型和备份模式，企业在文件保存过程中，通常会保存大量的不需要的冗余的数据，重复数据删除可以删除这部分冗余的数据，从而大幅度降低企业数据存储和备份对容量空间的需求，在企业备份过程中，可能更能体现价值◎丰富的RAID特性S600系列支持RAID 0,1,3,5,6,10,50,60等多种RAID方式，并提供按需使用磁盘空间建立RAID的虚拟磁盘技。S600系列还支持RAID在线容量扩展，RAID级别转换，RAID条带大小设置和修改，RAID初始化，重建等多种特性，能够增加配置灵活性,并满足业务增长需求。S600系列全功能统一网络存储技术规格 产品规格型号产品型号 S612 S616 S624主机磁盘数 12 16 24系统软件特点操作系统 CloudStorage存储专用操作系统文件系统 CFS 128位全日志文件系统, 最大卷尺寸不限, 在线扩容, 支持NTFS流, 用户 (User), 用户组 (Group) 和目录树 (Directory) 级别容量分配, Unicode文件服务协议 CIFS, NFS v2/v3/v4 (采用 UDP 或 TCP), HTTP/WebDAV, FTPSAN协议支持 支持iSCSI, 最多1024个逻辑卷(LUNs)支持操作系统 Microsoft Windows, Linux, Mac OS, Sun Solaris, IBM AIX, HP-UX目录和文件安全服务 DNS, WINS, UNIX? NIS, Macintosh? NIS, Windows活动目录, Windows工作组(本地)管理界面 中、英文B/S图形界面管理 (GUI)标准软件 自动RAID管理器, 248个CloudShot (快照) 对卷进行增量实时备份, CloudVol (自由卷) 动态扩展卷尺寸高级软件（许可） CloudMirror 远程镜像, 用于异地容灾恢复, 保证业务连续性; CloudBak高级备份和恢复RAID RAID支持0, 1, 5, 6, 10, 50, 60, 热备盘, JBOD系统硬件参数系统缓存 标配4GB, 可扩展至16GB 标配8GB ,可扩展至24GB 标配8GB , 可扩展至24GB网络接口 4个千兆网络数据通道，可扩展至8个I/O性能 200MB/s持续带宽（IP SAN）280MB/s持续带宽 (NAS)16000 OPS/s,60000 IOPS 410MB/s持续带宽（IP SAN）350MB/s持续带宽 (NAS)26000 OPS/s,85000 IOPS 430MB/s持续带宽（IP SAN）350MB/s持续带宽 (NAS)28000 OPS/s,90000 IOPS磁盘规格 3.5" 146/300/450GB/1TB/2TB, SAS磁盘3.5" 1TB/2TB, SATAⅡ磁盘最大磁盘数量 单柜12片，可扩展336片 单柜16片，可扩展336片 单柜24片，可扩展336片最大存储容量 696 TB (2TB*348) 704TB (2TB*352) 720TB (2TB*360)磁盘扩展 SAS磁盘通道，3U16盘位JBOD，最大21个环境参数电源/电流 带PFC, 100-240 VAC, 50-60 Hz, 最大14 Amp电源模块 1+1冗余热插拨电源最大输入功率 500W 800W 1010W风扇 3组65mm, 8000 RPM 热插拔风扇 3组90mm, 6000 RPM 热插拔风扇 3组90mm, 6000 RPM 热插拔风扇机箱尺寸 标准2U机架式, 89mm (高) x 482mm (宽) x 701mm (深)  标准3U机架式, 133mm (高) x 482mm (宽) x 698mm (深)  标准4U机架式, 177mm (高) x 482mm (宽) x 673mm (深) 重量 24.7公斤 32.1公斤 45.8公斤运行环境 10oC至35oC, 8%至90%相对湿度, 非冷凝结存放环境 -40oC至70oC, 5%至95%相对湿度, 非冷凝结认证 FCC, UL, CUL, TUV, EN 60950/IEC 60950, CE, CCC