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图形变换操作材料
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
风的形成实验材料
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
探索勾股定理的材料
产品详细介绍探索勾股定理的材料
宁波舜盈机电科技有限公司 2021-08-23
专用仪器及实验材料
产品详细介绍 代号 品名 规格 单位 单价(元) 备注 J30924 初中化学演示箱 J2624 套 389   J30925 初中化学实验箱 J2625 套 280   J35019 生理实验箱 J2719 箱 185   J00614 微小压强计 J2114 个 5   J04063 连通器 J2140 个 15   J30006 电解水器 液化自动调试 个 85   J02306 试管架 10孔 个 10   J02306 试管架 6孔 个 6.50     试管架   把 0.95     烧瓶刷   把 1.50   J02306 试管夹 竹制 个 1.50     漏斗架   个 8.50   J02305 三脚架   个 6.00   C12001 高中化学演示材料   套 158.00   C12002 高中化学实验材料   套 86.00   C12001 初中化学演示材料   套 103.00   C12002 初中化学实验材料   套 86.00   C14001 高中生物演示材料   套 86.00   C14002 高中生物实验材料   套 70.00   C14001 初中生物演示材料   套 113.00   C14002 初中生物实验材料   套 101.00   C16801 小学自然演示材料   套 116.00   C16802 小学自然实验材料   套 65.00  
河北省衡水教学仪器厂 2021-08-23
钢丝绳(原材料)
山东圣力金属科技有限公司 2021-08-31
一种网络感知的虚拟机镜像存储系统及读写请求处理方法
本发明公开提供了一种网络感知的虚拟机镜像存储系统,该存 储系统包括私有缓存管理模块、公有缓存管理模块、网络监控模块、 决策模块和动态寻址模块;其中,私有缓存管理模块、公有缓存管理 模块、网络监控模块和动态寻址模块位于计算节点,决策模块位于管 理节点;还公开了一种基于以上存储系统的读写请求处理方法,使得 网络负载较轻的节点处理更多的镜像访问请求,而网络负载较重的节 点处理较少的镜像访问请求,从而避免产生 I/O 热点,
华中科技大学 2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法, 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串,每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极;圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学 2021-04-14
两亲性Pt(II)配合物气致发光变色性质及存储器件
通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物,这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子(甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等)之间具有迅速的变色和发光响应性行为,并进一步制备成薄膜,利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中,通过调控溶剂的组成,实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作,进一步制备了存储器件,阈值电压为3.4V,开关比可达105,保持时间达104s,具有良好的二进制存储性能。
中山大学 2021-04-13
制备多层复合材料的方法、设备和结构阻尼复合材料
本发明提供了一种制备多层复合材料的方法和设备以及采用该方法和设备所得到的结构阻尼复合材料。制备过程包括以下步骤:1)以基体层为阴极,以作为第一结构层来源的第一电极为阳极,利用电火花沉积加工将第一电极沉积到基体层的表面并形成第一结构层;2)以作为第二结构层来源的第二电极为阳极,利用电火花沉积加工将第二电极沉积到第一结构层的表面并形成第二结构层。当所述第一结构层和第二结构层分别为由阻尼材料构成的第一阻尼层和第二阻尼层,所得多层复合材料为结构阻尼复合材料。上述方法所使用的设备的控制机构包括控制电极进给运动的机构和控制电极夹持部夹取或更换电极的机构。
西南交通大学 2016-10-19
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
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