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动态表面海洋防污材料
动态表面海洋防污材料由华南理工大学海洋工程材料团队研发,主要用于海军装备、船舶、海洋能源装备等的生物污损防治。该材料具有独特的主链降解性,在海水中形成不断变化的动态表面,避免污损生物的附着。涂层在静态条件下仍可不断稳定抛光,实现对环境友好防污剂的控制释放,可静态、长效防污。此外,该材料在海水中可降解为无毒小分子,避免海洋微塑料的产生,对海洋环境友好。该成果打破了欧美日在该领域的长期技术垄断。 已应用于军/民用船舶(数百艘)、南海岛礁用波浪发电平台、水下探测器等海洋工程装备,并在核电站试用,防污效果优异。
华南理工大学 2023-05-08
非线性超表面加密显示
 钙钛矿具有优异的非线性特性,在此基础上设计了具有特定谐振波长的光栅式超构表面,从而增强了钙钛矿三光子上转换发光(three-photon luminescence, TPL)过程。深入研究发现,这种共振增强的三光子发光同样适用于4周期超构表面,只有当入射波长是共振波长时,编码信息“NANO”才可见。这一研究成果拓展了钙钛矿超构表面在高分辨率非线性彩色纳米印刷和
哈尔滨工业大学 2021-04-14
非线性光学超构表面
非线性光学效应在频率转换、全光开关、电光开关等领域有着重要应用,传统非线性光学晶体在激光频率转换领域已取得巨大成功。然而,随着光学计算、量子光学芯片等领域的不断发展,如何将非线性光学功能集成于微小尺寸的芯片上是光电集成领域的重要科学技术问题。近年来,光学超构表面的出现为设计与实现特定光场调控功能的新型非线性微纳光学元件提供了很好的契机。
南方科技大学 2021-04-14
汽车板表面缺陷控制技术
随着国民经济的快速发展,国内汽车保有量迅速增加,对高品质汽车板的需求日益旺盛。目前,板材表面光洁性、涂漆性能是影响汽车外板关键因素,尤其是中高档轿车,外板材料必须达到 O5 级表面水平(O5 级别要求钢板表面无任何缺陷)。因此,控制汽车板材表面质量是钢铁企业生产中最重要的技术之一。当前高等级的汽车板生产难度极高,主要是存在以下三个难题:(1)汽车板浇铸过程中水口结瘤物严重,影响汽车板质量与正常生产;(2)连铸结晶器液面波动引起的界面卷渣缺陷;(3)大尺寸夹杂物及液态保护渣易出现在铸坯表层。当前普遍采用铸坯表面扒皮方法降低缺陷概率,然而此种方法耗费大量人力、物力,且不能从根本上解决高等级的汽车面板缺陷问题。因此,控制汽车板表面缺陷是打造高端 O5 板、实现高效节能稳定生产需解决的关键问题。 (1)汽车板钢连铸浸入式水口结瘤控制技术。汽车板钢 RH 精炼过程加入铝粒,脱除钢中[O]含量,生产 Al 3 O 2 夹杂物,在后续工艺中采用控制精炼渣系、提高软吹时间、防止二次氧化等手段,减少钢液中夹杂物含量。在实际连铸生产过程中,Al 2 O 3 仍频繁的造成水口结瘤,影响正常浇铸。在水口结瘤物中发现,水口内壁结瘤物中普遍存在大量的凝固钢,从而加剧水口堵塞的速度。本项目提出水口结瘤控制技术,在浸入式水口附近采用电磁加热技术,通过调整电流频率和强度,在水口内部附近产生高频交变磁场,诱导此区域产生大量的焦耳热,提高水口内壁温度,避免由于钢液滞留造成的凝钢现象,降低水口堵塞几率,避免由于偏流现象导致的界面卷渣行为,改善铸坯表层质量,提高高端汽车板生产节奏的稳定性。 (2)连铸结晶器界面卷渣控制技术。通过改变浸入式水口类型、浸入深度、吹氩流量等操作参数可以改变连铸结晶器内单环流—双环流流动行为,从而改善界面波动,降低卷渣概率。当前研究吹氩条件下结晶器钢液流动行为,普遍通过水模型进行物理模拟,而对实际生产过程中钢渣界面的波动行为研究很少。因此在实际生产过程中,仍频繁出现卷渣现象,遗留至铸坯表层附近,严重影响汽车板的正常生产。本项目采用插钉板实验,实验测量浇铸过程中钢渣界面形状和流速分布,确定获得钢渣界面的传输行为。通过优化操作工艺参数,实现连铸结晶器界面卷渣的有效控制。与国内研究相比,能够实现连铸结晶器液面波动行为的实际测量,测量结果更为准确直观,有效指导生产实践。 (3)初始凝固钩尺寸控制技术。连铸结晶器弯月面附近,高温钢液与结晶器铜板接触良好,大量的凝固潜热瞬时释放,凝坯壳快速形成。在结晶器往复震动作用下,初始凝固坯壳被液态保护渣挤压向钢液内部弯曲,病形成初始凝固钩。在非正常浇铸条件下,初始凝固钩尺寸较大,对上浮的大尺寸夹杂物和液态保护渣有较强的捕获作用,造成铸坯表层夹渣而遗留至铸坯内部,并在后续轧制过程中极易形成汽车板表层缺陷。目前国内对弯月面附近初始凝固行为研究较少,开展凝固钩捕获大尺寸夹杂物与保护渣研究很少。本项目采用实验检测与数值模拟手段,研究结晶器弯月面附近凝固行为,研究凝固钩形成过程及大尺寸夹杂物迁移、捕获行为,分析关键工艺参数初始凝固行为影响,实现凝固钩尺寸的有效控制,降低凝固钩对夹杂物和保护渣捕获概率。
北京科技大学 2021-04-13
金属表面预处理技术
该技术完成核心技术突破,形成了高效环保系列产品,全流程无废综合利用,且对施工人员无危害;打破了现有技术影响人体健康并造成大量废酸排放的技术弊端。 该技术相关产品主要包括:金属表面处理剂、除油除污剂及清洗剂等,可用于金属制品酸洗预处理、五金件清洗、压滤陶瓷板清洗及日常油污清除等行业。 市场预期:金属表面酸洗预处理行业在全国已形成万亿产业规模,产品已经过上百家现场试验,市场需求迫切,具备产业化推广基础,一旦技术得以在业内推广,其经济、环保及社会效益巨大。 成果发布时间:2019 年
中国科学院大学 2021-01-12
腺病毒载体表达西妥昔单抗基因用于肿瘤免疫治疗
已有样品/n成功将全长的西妥昔单抗基因分别克隆至腺病毒载体AdC68和Hu5,构建重组腺病毒AdC68-CEb和Hu5-CEb,通过WesternBlot4证明成功表达了西妥昔单抗;我们进一步通过夹心ELISA对表达的西妥昔单抗进行了定量,产量分别为639g/L和522g/L;同时,我们通过间接免疫荧光证明了所表达的西妥昔单抗与EGFR结合的特异性;并通过MTT实验证明了AdC68-CEb和Hu5-CEb显著抑制结直肠癌细胞的生长,而对正常细胞没有抑制作用;动物实验显示,用AdC68-CEb和Hu5
中国科学院大学 2021-01-12
新型高效可见光响应型半导体材料
能源短缺与环境污染是影响当前社会发展最重要的问题,亟需解决。新型光催化技术由于能够利用太阳光分解水制氢气和降解环境污染物,使其成为解决当前的能源危机和环境污染等问题最有前途的技术之一,备受瞩目。而当前光催化领域最重要的问题就是去设计、寻找高效稳定的可见光响应型半导体材料。在此,我们主要通过改性前驱体和设计新的焙烧策略成功得到了具备多孔结构、低碳含量、纳米片形貌的 g-C3N4 光催化剂,相比原始的 g-C3N4 ,光催化性能提升了 8 倍;通过介孔化设计和负载贵金属光催化剂,成功解决了 Pb3Nb2O8 光催化剂比表面积小、光生电子 - 空穴易复合的缺点,使光催化活性显著提升了 62 倍。通过调查浸渍提拉、磁控溅射、电泳沉积等手段,成果获得了 Bi2MoO6 和 Pb3Nb4O13 光电极材料,充分探索了其光电化学性能,并且通过负载 Co-P 显著提升了其光电转化效率,为分解水制氢与太阳能电池领域提供了一种可选择性的材料;过渡金属离子掺杂与介孔材料有效结合,有效地探索了表面掺杂与体相掺杂 Fe2O3 对其电子结构的影响、光电催化性能的影响。
辽宁大学 2021-04-11
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术,克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题,实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模,并结合第一性原理计算,给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据,解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学 2021-04-11
调谐外腔式半导体激光器
半导体激光器由于体积小、效率高、结构简单、便于调谐等优点,在工业、军事、科研以及家电等领域发挥越来越重大作用,已成为重要的基础器件。 项目研制和开发了半导体激光器系列产品,主要包括: 1、可调谐外腔半导体激光器 激光器二极管(LD)发出的光经准直透镜后平行入射到外腔闪耀光栅上,经光栅分光得到一级衍射光和零级光。一级衍射光反馈回外腔与有源区光场相互作 用,实现压窄线宽、降低噪声目的;零级光经聚焦透镜后作为输出光,调整光栅 的角度可实现波长的调谐。产品覆盖从 762 到 795 纳米(nm)各种波长,输出功 率 50~100 毫瓦(mW),线宽<500 kHz,可用于工业测量、光通信、光信息处理、 激光光谱学等。2、外腔半导体激光器稳频系统通过调制激光器的外腔、激光管的注入电流等得到激光光谱信号,处理后得 到参考谱线中心频率两侧极性相反的稳频误差控制信号,将激光频率锁定在参考 谱线中心附近。激光稳频在精密干涉测量、光频标、光通信、激光陀螺及其精密光谱研究等 领域中有广泛应用。产品可实现三种激光稳频,将线宽限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)饱和吸收锁——锁峰: 产品精度高且易于操作。利用饱和吸收峰将激光 器精确锁在某一固定频率上。(2)FP 腔锁——锁峰:产品使用非常方便。通过改变 FP 腔的腔长实现一定 范围的波长扫描。(3)PID 电路锁——锁边:产品简单易用,用于对精度要求不高的锁频应用。 3、外腔半导体激光放大器 放大器可对入射激光进行放大,同时保持注入光的偏振、线宽和波长等物理特性不变。产品输入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍数 13dB, 输出功率 500mW~ 1000mW,增益带宽 30nm。
西安交通大学 2021-04-11
一种半导体芯片的外观检测装置
本发明公开了一种半导体芯片的外观检测装置,包括吸取机构、U 形反光板、两个光源、平面反射镜、镜头、相机及调节机构,吸取机构用于吸取待检测芯片至待检测位,U 形反光板安装在吸取机构上,对称设置在芯片侧方,两光源发出的光一部分照射在 U 形反光板上,对芯片底面和其中的一组对边侧面进行背光照明,一部分对芯片的另一组对边侧面进行背光照明,平面反射镜为多个,倾斜对称均匀设置在芯片下方四周,使经平面反射镜反射后的光线垂直入射到镜头前端面,镜头安装在相机上,位于芯片下方,相机安装在调节机构上,调节机构用于调节所述
华中科技大学 2021-01-12
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