本发明公开了一种核壳结构软磁复合材料的制备方法。它的步骤如下：1）选取粒径为100-400目高纯铁粉进行粒度配比；2）通入高纯氢气进行还原反应；3）通入氨气和氢气的混合气体进行表面渗氮；4）渗氮过程结束，最终生成表面包覆Fe4N薄膜的核壳结构铁粉，Fe4N膜厚为0.5-10um；5）将制备好的铁粉在800-1300MPa的压强下压制成环形的软磁复合材料，采用有机粘结剂进行粘结；6）将环形软磁复合材料在真空退火炉中进行热处理。本发明针对现阶段铁粉芯电阻率低，在中高频电流中涡流损耗大的缺点，通过表面热处理工艺对铁粉进行核壳结构设计，提高了粉芯的电阻率，较大幅度降低了铁粉芯的损耗。

李源和合作者所关注的材料是Cu3TeO6，在这个材料中，每个原胞内有12个具有磁性的Cu2+离子。在61K以下，Cu3TeO6成为反铁磁体，原胞中6个Cu2+离子磁矩方向大致平行，而另外6个Cu2+离子与它们反向。利用线性自旋波理论，李源和合作者发现，Cu3TeO6中的自旋波具有线性的能带交叠，而进一步的分析表明这种能带交叠具有拓扑性质：具有纯数形式的拓扑电荷，它们不依赖于模型的细节，而只和体系的对称性有关。李源和合作者证明了，只要材料中具有PT对称性（时间反演和空间反演），那么，自旋波的线性能带交叠总是存在。如果同时也存在整体的自旋旋转对称性U(1)，这种拓扑能带交叠具有狄拉克点的形式（图1a），而将U(1)对称性移除，则狄拉克点将拓展为结线（图1b）。狄拉克点和结线都是在特定材料新预言的拓扑能带交叠类型。Cu3TeO6具有很高的晶体对称性（第206号空间群，图1c）,由此保证了在U(1)对称性存在的前提下，布里渊区P点位置的自旋波总是狄拉克点。图1：（a）基于J1-J2模型的自旋波色散（b）布里渊区以及布里渊区中的狄拉克点，同时展示了U(1)对称性移除后狄拉克点演化为结线的过程（c）材料中Cu2+离子J1-J2交换网络。 为了在实验上研究上述自旋波的拓扑能带，李源和合作者又对Cu3TeO6晶体阵列样品进行了非弹性中子散射实验。在实验中，李源和合作者观测到了四维空间中清晰的自旋波信号。为了将实验结果和理论计算进行对照，李源和合作者在模拟材料中磁交换作用方面做了大量工作，他们认为：Cu2+离子之间最主要的磁交换作用是最近邻和第九近邻的交换作用，前者由于距离最近，后者由于离子之间相对笔直的交换路径。从图2a和b可以看到实验和计算结果符合得相当好：数据不仅表明在布里渊区的P点存在狄拉克锥型的色散（图2c），而且散射信号的强度与计算也几乎是一致的（图2d和e）。散射信号的强度反映了动力学结构因子S(Q,w)，其中包含了自旋波波函数的重要信息，所以实验和理论的一致性可以认为是材料中自旋波拓扑属性的直接验证。图2：（a和b）沿着图1（b）高对称路径的实验和计算的自旋波信号强度图，布里渊区中心是(1, 1, 2)（c）布里渊区P点的狄拉克锥型色散（d和e）a和b虚线框中自旋波的细节，虚线包络表明了P点的狄拉克锥型色散。

产品概述： FCP磁场控制平台是根据磁控原理设计的理想磁测量系统，磁场范围超过3T，利用TESTIK475高斯计稳定磁场控制，适合各系列电磁铁配置，连续可变的电磁气隙，实心的和光学入口极帽，线型双极，真实四象限电磁铁电源。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁场控制平台磁控原理磁测量系统 FCP磁场控制平台控制特征： TESTIK475型高斯计努力保持确切的磁场密度，用户输入的控制设定点，用G、T、Oe、A/m来表示。北京锦正茂的电磁铁磁场控制平台集成了硬件和控制部件来形成一个变化的磁场平台，可以被独立的被利用或做为用户设计的测量系统的一个基础。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  磁场控制平台磁控原理磁测量系统 ※ 磁场控制平台包括锦正茂公司的电磁铁、双极电源、具有控制能力的DSP技术的高斯计、霍尔探头及支架等。 锦正茂提供的磁场控制平台具有不同的配制用来满足在磁场强度、磁场均匀性、样品尺寸、自定义测量要求等基础之上的用户要求。可以独立的形成用户所需要的不同磁场强度的可变磁场。广泛用于磁光测量系统、VSM测量系统、在线退火、霍尔效应、磁化率测量、自旋磁共振、B-H曲线测量和精准的传感器校准等领域。 475高斯计从高斯计霍尔探头得到反馈来计算并调整控制（模拟）输出。为了更大程度实现控制的稳定性，475型高斯计每33毫秒更新模拟输出。结果是一个内置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁场稳定性。 ※ 当设定点速率激活的时候，仪器会开始从当前磁场读数加速而不是当前设定点，基于对P和I的设定。另外，475高斯计能设定速率来控制设定点，从当前磁场读数到一个新的值，使用一个磁场中平滑线性变换而不是瞬态特性的PI控制。 ※ 开环磁场控制也可能用手动输出来使用475模拟输出，这意味着忽视了反馈并且模拟输出停留在手动用户调整。这个方法使磁体电源操作处于恒定电流模式。 ※ 475也包含了用户可设定的控制斜率限制和模拟输出电压限制。这些软件限制保证了磁体电源如果磁场控制系统遭到不合适的调整或开始摆动而不会损坏。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。    

研发阶段/n该成果成功制备了SF/SA复合双层结构支架材料，其在拉伸断裂强度明显增加，SF/SA50/50多孔材料的增加幅度最大，由单层材料时的48±7KPa提高到598±69KPa，增加了一个数量级，同时双层材料的形变量大幅度增加，双层材料的竖切面可形成定向大孔，横切面孔洞分布均匀，孔径在100~120 μm之间，薄膜与多孔材料之间紧密结合，增强了支架材料的力学性能。 通过对不同实验组全层皮肤缺损修复过程的观察和评价，结果表明，双层支架组修复效果最好，其修复的皮肤组织抗拉强度为1.29

本发明公开了一种用滚压变形制备金属材料表面梯度纳米层的方法，该方法将金属材料样品夹持于 夹具上，并将夹具固定于旋转工作台上;采用液压系统驱动压头底座使镶嵌于压头底座上的滚针压入金 属材料样品表面并对滚针施加压力;采用动力设备驱动工作台旋转从而带动金属材料样品旋转，滚针在 金属材料样品表面滚压使金属材料样品表面产生强烈塑性变形，从而在金属材料样品表面形成梯度纳米 晶层。本发明操作简便，安全性高，无噪音污染，且生产效率高;处理后的金属材料变形均匀、表面光 滑;可通过改变施加于金属材料表面的压力、处理时间

本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法，在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地，新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻，从而降低 VDMOS 器件的导通电阻；同时，采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响，也可降低 栅极与漏极间结电容，提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简

生物降解材料是生物材料中发展非常迅速的一类材料，广泛用于药物控制释放、基因传送、组织工程等领域。用这类高分子材料作为组织引（诱）导再生膜，在完成了它们的功能之后可以自行降解。1） 可降解皮肤引（诱）导隔离膜 特点：多孔梯度膜结构，使病损皮肤与空气隔离，预防感染，同时引导皮肤组织再生，生长因子或生物活性物质的添加则可实现组织的诱导再生。2） 可降解骨组织引

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