已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成

薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示，作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示，及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快，使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低，可批量工业

内容介绍： 本项目通过通过研究EMI多层片式LC滤波器的制造技术，攻克了材料 的低温烧结技术、器件的独石化流延工艺技术、异种材料的叠层共烧技术 和多层片式LC滤波器的结构设计技术等产业化关键技术难题，釆用先进 的流延成型工艺技术制备出尺寸为2Xl.2X0.8mm （0805规格）的EMI多 层片式LC滤波器，电学参数测试结果表明其各项性能参数与国外同类产 品相当，关键技术获得国家专利3项，并荣获陕西省科

本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜

本项目的创新点主要是采用环形镜解调和GSM数字移动网传输信号的技术。具有响应速度快、调谐范围宽、可实时检测、使用寿命长、抗电磁干扰能力强等优点，有重要实用意义。 光纤光栅传感器阵列的每一个光栅反射率大于90%，线宽小于0.4nm，各光栅中心波长间隔大于1nm。 研制出宽带光源等实验装置，宽带光源输出功率大于1mw，带宽30nm；已成功应用于光纤光栅传感器阵列检测实验。 研制出宽带光源、高双折射光纤环镜滤波边缘滤波解调系统的实验样机。 研制出快

项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。 

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本项目突破了电磁超材料存在的不可调谐、带宽窄、设计可靠性低等关键技术，开发出可调谐型射频微波电磁材料结构设计、电磁特性仿真与控制、材料制造与性能测试等工艺与方法，研制出系列射频/微波频段调谐型电磁超材料、基于超材料的射频滤波器/双工器/三工器/天线、超高频射频识别标签/读写器等产品，进行了规模化示范应用与验证，其性能指标达到市场同类产品国内领先水平；获得授权发明专利32项、实用新型专利27项，发表论文150余篇（其中SCI论文60余篇）。

针对射频天线挤出外罩类材料因户外使用易产生紫外光降解和介电损耗大的难题，以成本低廉的聚氯乙烯树脂为基体材料，通过复配耐热改性树脂、增韧剂、加工助剂、紫外光屏蔽剂等功能助剂，开发具有自主知识产权环境友好型射频天线基站用耐高温、耐候性改性聚氯乙烯天线罩。

主要性能指特点   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  ※高真空BNC直通头，真空度达10-6pa，可用于面板安装，也可用于机箱配线架安装。 ※BNC双通信号线连接，用于两段或多段信号线连接，也可用于安装面板，实属工程安装不可或缺。 ※两端都是BNC母头，可配合BNC公头使用。 ※高真空BNC连接器是按照*工技术研制生产，具有卡口锁定连接结构，可以快速接通和断开。 ※此款真空式母头专门用于压接广泛使用的RG174/188/316，50欧姆同轴线缆，真空度达10-6pa真空腔体*用屏蔽连接器。 ※BNC连接器连接扭锁，因而特别适合射频应用。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ BNC连接器主要性能指标 温度范围：-55℃～+165℃（PECable-40～+85℃） 特性阻抗：50Ω 频率范围：0～4GHz 工作电压：500V（rms） 耐压：1500V（rms） 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 接触电阻    中心导体之间：≤0.002Ω 外导体之间：≤0.0025Ω 绝缘电阻：≥500MΩ 内导体保持力：≥0.57N 插入损耗：0.20dB/3GHz 连接器啮合力：8-63N 连接器拉脱力：8-63N 电压驻波比：直 式：≤1.22/3GHz  弯 式：≤1.30/3GHz 耐用性：≥500次 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。