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专家报告荟萃⑯ | 重庆市南开中学校长肖力：汲汲骎骎，月异日新—— 重庆南开中学大中小一体化拔尖育人的实践与探索
重庆南开中学秉持“允公允能，日新月异” 校训，以 “整体优秀、拔尖显著、特长突出、素质全面” 为培养目标，积极探索大中小一体化拔尖学生选培模式，在教育教学方面取得显著成果。教育应超越知识传授，注重情感与社交技能培养，以促进学生的全面发展，特别是对拔尖人才的发掘与培养。
中国高等教育博览会
2025-01-15
【中国日报网】第63届高博会：吉林动画学院原创 IP 以“技术 + 艺术” 点燃数字创意
5月23日至25日，吉林动画学院携“技术 + 艺术” 融合成果亮相第63届中国高等教育博览会，以《疯狂电脑城》赛博朋克美学与裸眼 3D、虚拟角色互动等形式，打造穿越次元的数字创意盛宴，诠释产教融合创新实践。
中国日报网
2025-05-25
液压无级转向技术和液压复合无级转向技术（技术）
成果简介：从履带车辆的无级转向技术的发展来看，液压无级及液压复合无级转向是上世纪70至80年代发展的具有代表性的新技术。世界各国发展的新型和改进型军用履带车辆的传动装置上，几乎全部采用了这类新型的无级转向机构。在民用工程车辆上也逐渐开始采用。可实现履带车辆无级转向功能。主要技术指标是：车辆吨位：10～50t；可匹配的发动机功率范围：50～600kW；输入转速范围：2000～3000r/min；传动效率：90%～93%。 项目来源：自行开发 技术领域：先进制造
北京理工大学
2021-04-14
技术需求：工业级SLA打印机二极管泵浦固体激光Nd:YVO4波长的控制研发控制程序的编程研发
工业级SLA打印机二极管泵浦固体激光Nd:YVO4波长的控制研发控制程序的编程研发
临沂拓普三维科技有限公司
2021-08-24
教育部办公厅 工业和信息化部办公厅 国家知识产权局办公室关于组织开展 “千校万企”协同创新伙伴行动的通知
为贯彻落实党中央、国务院关于国家中长期科学和技术发展的决策部署，加快实施高校科学技术“十四五”和中长期发展规划、《“十四五”促进中小企业发展规划》和《“十四五”国家知识产权保护和运用规划》，推动高校与企业强化创新合作，促进创新链产业链深度融合，教育部、工业和信息化部、国家知识产权局决定共同组织开展“千校万企”协同创新伙伴行动（简称“千校万企”行动）。
教育部办公厅
2022-07-06
教育部办公厅 工业和信息化部办公厅 国家知识产权局办公室关于组织开展 “千校万企”协同创新伙伴行动的通知
推动高校与龙头企业、中小企业加强产学研合作，最大程度发挥高校作为基础研究主力军、重大科技突破策源地和企业作为创新主体的协同效应，分工协作、优势互补、协同创新，着力突破制约产业发展的关键核心技术和共性技术，加快高校知识产权和科技成果向企业转移转化，推动创新链产业链深度融合，打通从科技强到企业强、产业强、经济强的通道，有力支撑产业基础高级化、产业链现代化。
教育部
2022-07-11
广西壮族自治区人民政府关于印发《广西科学技术奖励办法》的通知
为了奖励在本自治区科学技术进步活动中作出突出贡献的个人、组织，充分调动科学技术工作者的积极性和创造性，加快建设高水平创新型广西，根据《国家科学技术奖励条例》和《广西壮族自治区科技创新条例》等规定，结合本自治区实际，制定本办法。
广西壮族自治区人民政府
2025-02-24
[5月23日·长春]第五届智慧校园新技术创新学术论坛启动报名
为深入贯彻习近平总书记关于教育的重要论述和全国教育大会精神，贯彻落实《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》和三年行动计划，研讨高等教育强国建设新路径新范式，宣传高等教育强国研究成果，聚焦高等教育领域借助人工智能实现数字化转型议题，展示 AI 技术在高校校园场景应用中的创新性实践，中国高等教育培训中心决定举办“第五届智慧校园新技术创新学术论坛”。
中国高等教育学会
2025-04-30
一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器
本发明公开了一种基于开槽结构的四分之一模基片集成波导滤波器，包括四分之一模基片集成波导弧形腔，四分之一模基片集成波导弧形腔通过基片集成波导圆形腔沿任意两条相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波导弧形腔包括介质基片，介质基片的上表面设有上金属层，介质基片的下表面设有下金属层，介质基片中沿四分之一模基片集成波导弧形腔的周向均匀分布有贯穿上金属层和下金属层的金属通孔。本发明相对于传统的基片集成波导圆形腔有效实现了小型化。并且，相对于传统的多层结构，本发明结构简单，加工方便。此外，相对于传统的微带结构，本发明的滤波器品质因数高，损耗小。
东南大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11